- 摘要：提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法，并完成了设计和仿真。
关键词：微控制器 在线仿真 开发系统 Flash SRAM
由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级，MCU应用的领域也不断扩展， 因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比，最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作，顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面，Flash MCU市场价格也在不断下降。因此，许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于F
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MCU Flash 仿真器
- 全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今日宣布，来自移动设备、平板电脑和消费类电子产品行业生态系统的300多位领导厂商本周齐聚中国深圳，参加闪迪举办的第二届年度“Future Proof Storage”研讨会。本次活动于8月26日举行，囊括了中国及世界各地极具影响力的领先移动科技公司(包括几乎所有领先芯片组供应商的代表)，共同探讨塑造移动互联市场的新技术、新应用、新趋势和闪存技术演进。Future Proof Storage 研讨会邀请了移动行业中的十几位领导者担任演讲嘉宾
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闪迪 智能手机 NAND
- TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，由于智能手机、平板电脑等移动装置需求稳健增长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NANDFlash，2015年NANDFlash整体产业规模将提升至266亿美元，年增长9%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2014年NANDFlash需求位增长率为36%，在更多元化的产品开始导入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增长率将依旧有35%。市场趋势观察的重
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NAND Flash 穿戴性装置
- 摘要：本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时，采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子，详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。
1 背景描述
笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核，带512K字节的片内FLASH，98k字节的片内RAM，支持片外LOCAL BUS总线，可从片外NOR FLASH启动CPU。由于代码量较大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
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ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
- 今年第二季NANDFlash品牌供货商营收达76.49亿美元，季成长5.6%，随着智能手机与平板电脑等进入出货旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市场表现。
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Intel NAND
- 全球NANDFlash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NANDFlash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。
市调机构IHSiSuppli最新报告预测，NANDFlash今年底报价将跌至0.49美元每GB，远低于去年的0.71美元，预估2018年将进一步跌至0.14美元，其间年复合成长率为负的28%。
NANDFlash产出过多是导致价格崩跌的主因，若以1GB等量单位计算，IHSiSuppl估计，2018年NANDFlash产出将自2013年的
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东芝 NAND
- 今年上半年，上海海尔集成电路公司推出十几款单片机产品，有其自主知识产权内核的HR7P155~170、201、192、196等系列，还有新的触摸按键芯片等，容量涵盖0.5~64kB，管脚数从10pin至80pin。丰富的资源为客户的方案设计提供了多样选择。
专注于专用MCU的上海海尔，为何此次在如此多的通用产品上发力?在芯片本土化的热潮下，上海海尔的愿景是什么?
处于从专用向通用MCU升级的开端
MCU(单片机，微控制器)一般有通用和专用两类。很多欧美大公司喜欢推出通用单片机，而日本、
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海尔 MCU Flash 201408
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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LVDS FPGA Flash
- 并非所有的嵌入式应用都“生而平等”。在设计者们继续寻求途径改善用户体验和性能等方面的过程中，一个必须考虑的重要因素是嵌入式应用的运行环境。从北极地区冰冷刺骨的户外天线，到美国德州油气公司极度炙热的井下钻机，嵌入式应用所需支持的环境千差万别。嵌入式系统及其组件不仅须支持高温环境下功能运作，还必须保持其交流和直流参数以及其它规格要求。如果在极端温度范围内无法满足所有规格要求，必须做出得失权衡，就必须记录下这一信息，并在设计过程中进行共享。在汽车、消费、工业、游戏、网络或通信应用中，
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Spansion NAND FL1-K
- 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。这款业界领先的产品采用了Marvell第三代NANDEdge™ 纠错、低密度奇偶校验(LDPC)技术，使消费类及企业级SSD便于采用15nm TLC NAND闪存。先进的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器显著降低了存储系统的总体成本，功耗更低，并提供无与伦比的性能。 Marvell公司总裁、联合创始人
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Marvell 控制器 NAND
- 科研投资
日本资深专业人士泉谷涉还说：2012年日本国内半导体产值约5万亿日元，占GDP的5%，但它对应用半导体的服务业、硬件业以及通过IT业以提高生产力的下游产业来计算，半导体产生的经济效益约为100万亿日元 ，两者之比达到1：20，如此给力，谁不动心?!但是，半导体业又一向被称为“食金虫”产业，没有国家的大力支持，没有生产设备和科研经费的巨大投入，那是美梦难圆的。
半导体设备投资也是引导世界经济增长的要素之一，它每年投资计划的发表还常关联到生产设备、材料公司的股
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半导体 NAND IC 201405
- 2013年eMMC需求在智能手机市场带动下大幅成长，2014年，平板电脑应用需求亦值得期待，尤其在中国大陆销售的平板电脑中，有90%尚未采用eMMC，这可能进一步扩大eMMC市场规模，引来业内厂商混战一片......
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Flash 控制芯片
- 智慧之石 作为电子工业发展基础的电子器件，已经历了三个巨大变革时代：1. 电子管时代――1905～1947(42年);2. 晶体管时代――1947～1958(11年);3. 集成电路时代――1958～…(到2014年已有56年)。 电子管的发明拉开了电子时代的序幕，为当时蓬勃发展的无线电报事业提供了核心器件，在它存在的40多年的时间里，推动了收音机、电视机、雷达、计算机的发明和应用。美国是电子工业发展的代表，1920年即开始广播，也是30年代最早开始电视广播的国家之一
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NAND DRAM PC 201404
- 随着FPGA的功能日益强大和完善，FPGA在项目中的应用也越来越广泛，其技术关键在于控制日益广泛而丰富的外围器件。本文以Flash存储器件为FPGA的外围，叙述了FPGA中SPI总线接口的Flash驱动模块的设计，其接口基本符合Avalon总线的规范要求，并且通过实际的读写操作验证
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Flash 驱动 FPGA
- 静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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