- 在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及东芝(Toshiba)等快闪记忆体大厂力拱下，消费性固态硬碟(SDD)及用户端(Client)SSD产品预计将自今年下半年开始加速采用更高性价比的3D NAND方案，并可望在2016年完全进入3D世代;而企业与资料中心应用由于对SSD可靠度要求等级较高，预估将自2016下半年后才会转换至3D NAND规格。
- 关键字：
NAND SSD
- 在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客户端SSD控制器现支持Micron(镁光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 闪存，有助实现优异的性能和无可比拟的可靠性，成就新一代高性价比的TLC SSD产品。
SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同时也是市场上性能最佳、成本最优
- 关键字：
NAND SM2256
- 固态硬碟(SSD)规格更吸睛。记忆体制造商扩大采用新型3D堆叠与三层式储存(TLC)设计架构，让NAND Flash晶片容量密度激增，且成本显着下滑，吸引固态硬碟开发商大举采纳，用以打造兼具高储存容量和价格优势的新产品。
固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。NAND快闪记忆体(Flash Memory)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)快闪记忆体解决方案，并将于2015?2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发
- 关键字：
NAND SSD
- 固态硬碟(SSD)规格更吸睛。记忆体制造商扩大采用新型3D堆叠与三层式储存(TLC)设计架构，让NAND Flash晶片容量密度激增，且成本显着下滑，吸引固态硬碟开发商大举采纳，用以打造兼具高储存容量和价格优势的新产品。
固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。NAND快闪记忆体(Flash Memory)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)快闪记忆体解决方案，并将于2015?2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发
- 关键字：
NAND SSD
- 笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核，带512K字节的片内FLASH，98k字节的片内RAM，支持片外LOCAL BUS总线，可从片外NOR FLASH启动CPU.由于代码量较大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在运行程序时，需对片外的NOR FLASH擦写的需求。图1为存储部分框图。
图1存储部分原理框图
在设计中，片外NOR FLASH的大小为16M字节。其中2M规划为存放运行程序，剩余的空间用于产品运
- 关键字：
ARM7 FLASH
- 近期固态硬盘大降价，刺激了SSD晶元代工市场。
- 关键字：
SSD NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，受到新款智慧型手机上市以及 2015年度苹果(Apple)新款iPhone即将开始拉货的影响，NAND Flash市况将逐渐增温，预估在第三季摆脱供过于求，转为供需较为平衡的格局。
从供给面来观察，虽然各家NAND Flash厂商陆续宣布3D-NAND Flash的量产时程，但嵌入式产品应用仍须考量控制晶片的搭配，与各种系统端搭配的相容性问题，DRAMeXchange预估2015年3D-NAND Flash的产出比
- 关键字：
TrendForce NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，受到新款智慧型手机上市以及今(2015)年度苹果新款iPhone即将开始拉货的影响，NAND Flash市况将逐渐增温，预估在第三季将摆脱供过于求，转为供需较为平衡的格局。
从供给面观察，虽然各家NAND Flash厂商陆续宣布3D -NAND Flash的量产时程，但嵌入式产品应用仍须考量控制晶片的搭配，与各种系统端搭配的相容性问题，DRAMeXchange预估，2015年3D-NAND Flash的产出比重将仅
- 关键字：
TrendForce NAND Flash
- 在存储器芯片市场上，垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大，全球企业间的竞争也将渐趋激烈。
据韩国MT News报导，2016年前3D V-NAND市场规模预估将扩大10倍，而除目前独占市场的三星电子(Samsung Electronics)外，也将有更多半导体厂加速生产V-NAND。三星独大V-NAND市场，为拉大与后起业者的差距，生产产品将从目前的32层堆叠结构，增加到48层。
外电引用市调机构IHS iSuppli资料指出，以NAND Flash的技术分类，V-N
- 关键字：
三星 V-NAND
- 1 VxWorks系统的启动流程
嵌入式VxWorks操作系统的启动包括两个阶段，一是BootRom引导，二是VxWorks操作系统映像的启动。BootRom映像也叫做启动映像，它主要是初始化串口、网口等很少的硬件系统来下载VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目标板上运行的操作系统。它启动后会重新初始化几乎所有的硬件系统，这样操作系统才可以在目标板上正常运行。两种映像的区别如表 1所示。
VxWorks内核有多种启动流程。本文基于的声呐原型机采
- 关键字：
VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
- 固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
- 关键字：
3D NAND SSD
- 在经历多次市场价格的大起大落后，全球存储器芯片产业终于在近年来迈向整合，使得定价渐趋稳定。不过，近来存储器大厂新帝(SanDisk)接连2季下修预测数据，并归因于快闪存储器的价格下滑，引发外界质疑新兴的稳定机制是否为昙花一现的假象，又或现状仅是个别公司所遭遇的瓶颈。
据Barron's Asia报导指出，眼下虽然存储器芯片价格有所衰退，但许多专家仍对整体产业抱持乐观态度，认为与2014年积弱不振的表现相比，快闪存储器的市场供需平衡现已渐入佳境，多数问题的发生恐是因公司而异，并非普遍的业界趋势。
- 关键字：
存储器 3D NAND
- 固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
- 关键字：
3D NAND SSD
- 2014年NAND flash销售数据出炉，IHS报告称，前四大业者中，三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)销售皆有成长，唯有二哥东芝(Toshiba)疑似因为产品出包遭苹果召回，市占和业绩双双下滑。
BusinessKorea报导，IHS 13日报告称，三星电子稳居NAND flash老大，去年销售年增4%至90.84亿美元，市占率成长0.1%至36.5%。二哥东芝去年市占率由34.3%减至31.8%，销售也大减将近3亿美元。
- 关键字：
三星 NAND flash
- 近年来，固态硬盘似乎已经成为了计算机的标配。而随着SSD的普及，人们对于速度和容量的渴求也在迅速膨胀。为了能够在单颗闪存芯片上塞下更大的存储空间，制造商们正在想着3D NAND技术前进。与传统的平面式(2D)设计相比，垂直(3D)堆叠能够带来更显著的容量提升。但是最近，一家名为Stifel的市场研究公司却发现：为了实现这一点，制造商们正在砸下大笔投资，而这种成本压力却无法在多年的生产和销售后减退多少。
影响利润的一个主要原因是，3D NAND芯片的生产，比以往要复杂得
- 关键字：
3D NAND SSD
nand-flash介绍
您好，目前还没有人创建词条nand-flash!
欢迎您创建该词条，阐述对nand-flash的理解，并与今后在此搜索nand-flash的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
