不久前，Spansion宣布面向嵌入式系统的全新工业级e.MMC产品系列。众所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式应用的SLC NAND产品。至此，我们为SLC NAND解决方案发展了一个强大的客户群，而且我们还发现，这些客户对嵌入式集中规模存储解决方案的需求也越来越大。对于那些不仅仅是要购买一款“现成”产品的嵌入式客户而言，Spansion全新的e.MMC系列产品是一个完美的选择。
作为Spansion第一款管理型NAND产品系
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Spansion NAND
固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division资深副总Gi Hyun Bae担任公司高层。
慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运
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SSD NAND Flash SK海力士
NAND闪存已经成为固态存储的霸主，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。
从FRAM到相变式存储器，新选手不断涌现，但目前还未能挑战NAND的地位。直到最近，名为电阻式RAM的新贵出现了，它最被看好，三星、闪迪等巨头都在投入，不过，走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。
RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别，Crossba
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NAND 三星 闪迪
记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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DRAM 三星 海力士 NAND Flash
据国外媒体报道，东芝首席执行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司将在始于明年4月份的下一财年决定在何处新建一座内存芯片工厂，并且在选择建厂地址时会考虑海外地区。
东芝在不到4个月前在四日市新开了一座NAND闪存芯片加工厂，田中久雄在接受采访时称，需求超过了产能，公司必须扩大产能。NAND闪存芯片主要被用于智能手机和其他电子产品。
田中久雄称：“三星已经在中国西安市建厂，海力士也在中国建了一座生产厂。”当被问及中国是否会是海外建厂的最佳地区时，他补充说
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东芝 NAND
美国存储器大厂美光(Micron)宣布，与存储器厂商华邦电拟进一步合作开发新一代超高速序列式编码型快闪存储器(Serial NOR Flash)，抢攻汽车电子、穿戴装置，以及智慧家庭等物联网应用商机，预计2015年1月就会开始送样认证1GB芯片。
据了解，美光日前宣布与华邦电结盟，双方将开发新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash产品线;双方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比现有序列式NOR Fla
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美光 NOR Flash 物联网
智能手机全球迅速普及、终端记忆体的大容量化、大数据时代到来等，都将大幅增加对NAND型记忆卡的需求。
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东芝 三星 NAND
在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
FerriSSD解决方案旨在代替以往被广泛应用在车载IVI系统等嵌入式应用中的SATA及PATA硬盘驱动器。由于集成了NAND闪存及慧荣科技业界领先的控制器并采用小尺寸BGA封装，FerriSSD解决方案与传统的硬盘驱动器相比不仅运行速度更
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慧荣科技 NAND BGA
由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意，并且随着工艺水平的提升，其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平，存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。
日前，镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储
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NAND MLC TLC
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示，美系厂商在第三季季底财报结算压力过后，不再采取积极价格战，使得原厂间战火稍缓。另一方面，因模组厂预期此波价格跌势将持续，再加上手中库存仍充足下，大多倾向12月月底再进行采购谈判，以争取更优惠的价格。因此，12月上旬因交易气氛冷清，NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示，在欧美圣诞节备货动能正式结束后，受到季节性因素影响，预期明(2015)年第一季全球智慧型手机
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NAND Flash eMMC
韩国时报(Korea Times)15 日报导，三星电子明年将投资半导体设备 13.5 兆韩圜，或相当于 120 亿美元，稍高于今年的 13 兆韩圜。
全球记忆体晶片市场目前由三星、SK 海力士与美光所把持，三大厂市占率合计来到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加设备资本支出的主要考量是明年策略将放在维持价格稳定与市场供需平衡。
据报导，三星看准储存型快闪记忆体(NAND Flash)的市场需求有望增加，因此考虑明年在大陆西安开设新厂房。除此之外，有鉴于 DRAM 的需求平稳，
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三星 SK 海力士 美光 NAND
本文设计的超低功耗电子温度计能够通过温度传感器测量和显示被测量点的温度，并可进行扩展控制。该温度计带电子时钟，其检测范围为l0℃～30℃， 检测分辨率为1℃，采用LCD液晶显示，整机静态功耗为0.5μA。其系统设计思想对其它类型的超低功耗微型便携式智能化检测仪表的研究和开发，也具有一 定的参考价值。
1 元器件选择
本系统的温度传感器可选用热敏电阻。在10～30℃的测量范围内，该器件的阻值随温度变化比较大，电路简单，功耗低，安装尺寸小，同时其价格也很 低，但其热敏电阻精度、重复性、可
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MSP430 传感器 FLASH
伴随大陆手机产业的崛起，一批本土IC设计企业正在逐步壮大，兆易创新无疑是其中的佼佼者之一。
功能手机大多采用SPI NOR Flash芯片，设计相对简单，而且制造成本较低，对于低端手机颇有吸引力。目前来看，功能机的市场容量依然不可小觑。工信部曾发布2014年第一季度《中国手机行业运行状况》报告，其中显示今年一季度，2G手机(功能机)总出货量为1144万部，虽然同比下降超七成，但是仍然是个不小的数字。放眼全球市场，根据IDC发布的全球智能手机出货量报告，去年全球智能手机的出货量达到10亿400万台
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苹果 三星 Flash
2014年NAND Flash市场在便携式电子新品持续、快速更新的带动下表现出价格稳定、需求强劲的发展态势。尤其在下半年苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下，新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流，三星、东芝这些存储行业大牌的表现尤为出色。据市场调研机构TrendForce最新报告，2014年第三季度东芝NAND Flash产品营收环比大增23.7%，稳居世界前二位，其中15nm新制程的产出比重持续增加。
在今年的高交会上，记者也对东芝新制程的存储
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东芝 NAND Flash TransferJet
NAND会不会彻底占据数据中心？答案是不会。截至2018年的磁盘与SSD出货容量预测显示，磁盘的发展速度将一路高于闪存方案。SSD整体出货容量与磁盘间的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND几何尺寸的每一次缩减都会给制造流程带来巨大的成本压力、并要求供应商利用更多配套解决方案保持现有使用寿命——具体而言，在每天写满一次的条件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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NAND SSD 数据中心 闪存
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