- 储存型快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片大厂群联(8299)昨(19)日宣布，参与记忆体模组厂宇瞻私募，将以每股25.38元、总金额3亿8,070万元，取得宇瞻9.9%股权，成为宇瞻最大法人股东，双方将携手冲刺工控应用固态硬碟(SSD)市场。
群联昨股价上涨2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。
群联斥资约3.8亿元，取得宇瞻9.9%股权，成为最大法人股东。图为群联董事长潘健成。 本报系资料库
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上述私募价格是采依过去30个交易日均价31
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群联 宇瞻 NAND Flash
- 三星电子(Samsung Electronics)日前发布2014年第4季暂定财报，营收止跌回升为52兆韩元(约478.8亿美元)，其中半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部贡献达一半以上，可说是最大功臣。
据韩媒ChosunBiz报导，三星电子在1月8日发布2014年第4季暂定财报，业绩终于跌回升，营收为52兆韩元，营业利益达5.2兆韩元。
韩国KDB大宇证券推估，三星电子DS部门第4季贡献营业利益约2.9兆韩元，比IT暨移动通讯(IM)事业部高出1兆韩元左右。第3季DS部门营业利益(2
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苹果 DRAM NAND Flash
- Gartner发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。
Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.
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Gartner DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics) 为与其他尚无法生产V NAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上，并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位，计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NAND Flash。
据首尔经济报导，三星近来已完成48层结构的V NAND研发，并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。原本韩国业界推测三星会在2015年下半完成48层V NAND，并在2016年才投入量产，然三星大幅提前了生产日程。
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三星 NAND Intel
- 有时，在小型开发板上分模块地测试代码，要比自己在大脑里想出整个完整的多模块应用更切实际。你要做的只是现在就着手，一行一行地编写代码。
周末我们打算在电子棋盘游戏系统上开发几款游戏。我们要做的是将思路转化成实际的一款游戏，而非只是模糊的设计理念或想法。
最终我们打算做一款虚拟足球游戏。假设您是玩家，请问您是否更希望比赛时有同步的现场解说呢?当您控制球场上的角色，尝试拦截、抢球但球却不小心漏掉时，此时若恰好出现评论员或解说员的声音，您是否会更有身临其境之感?
我们坚信这款游戏定会很受欢迎
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电子解说员 AS3 Flash mp3 Audacity
- 物物相联，万物智能的时代渐行渐近，越来越多的设备都将拥有“智慧”，除了处理器、传感器之外，Flash存储器也是不可或缺的核心部件之一。
物联网或带动Flash新需求
物联网的场景很美好，但其中涉及太多的跨品牌、跨平台、跨设备之间的无线通讯。只有不断的在通信技术领域全面而迅速的发展，才能打造出智慧城市，从而实现物联网中的互联互通。
NOR Flash应用的另一大重要场景就是网络通信设备。
大量的网络通信产品需要升级换代，以作为抢占客厅入口的路由器为例，因智
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物联网 Flash 处理器
- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。
东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好，在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
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东芝 NAND 闪存 3D 201501
- 引言
针对需要切换多个FPGA配置码流的场合， Xilinx公司提出了一种名为System ACE的解决方案，它利用CF(Compact Flash)存储卡来替代配置用PROM，用专门的ACE控制芯片完成CF卡的读写，上位机软件生成专用的ACE文件并下载到CF存储卡中，上电后通过ACE控制芯片实现不同配置码流间的切换[1]。
System ACE的解决方案需要购买CF存储卡和专用的ACE控制芯片，增加了系统搭建成本和耗费了更多空间，而且该方案只能实现最多8个配置文件的切换，在面对更多个配置
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Flash JTAG FPGA
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系统的全新工业级e.MMC产品系列。众所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式应用的SLC NAND产品。至此，我们为SLC NAND解决方案发展了一个强大的客户群，而且我们还发现，这些客户对嵌入式集中规模存储解决方案的需求也越来越大。对于那些不仅仅是要购买一款“现成”产品的嵌入式客户而言，Spansion全新的e.MMC系列产品是一个完美的选择。
作为Spansion第一款管理型NAND产品系
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Spansion NAND
- 固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division资深副总Gi Hyun Bae担任公司高层。
慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运
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SSD NAND Flash SK海力士
- NAND闪存已经成为固态存储的霸主，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。
从FRAM到相变式存储器，新选手不断涌现，但目前还未能挑战NAND的地位。直到最近，名为电阻式RAM的新贵出现了，它最被看好，三星、闪迪等巨头都在投入，不过，走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。
RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别，Crossba
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NAND 三星 闪迪
- 记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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DRAM 三星 海力士 NAND Flash
- 据国外媒体报道，东芝首席执行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司将在始于明年4月份的下一财年决定在何处新建一座内存芯片工厂，并且在选择建厂地址时会考虑海外地区。
东芝在不到4个月前在四日市新开了一座NAND闪存芯片加工厂，田中久雄在接受采访时称，需求超过了产能，公司必须扩大产能。NAND闪存芯片主要被用于智能手机和其他电子产品。
田中久雄称：“三星已经在中国西安市建厂，海力士也在中国建了一座生产厂。”当被问及中国是否会是海外建厂的最佳地区时，他补充说
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东芝 NAND
- 美国存储器大厂美光(Micron)宣布，与存储器厂商华邦电拟进一步合作开发新一代超高速序列式编码型快闪存储器(Serial NOR Flash)，抢攻汽车电子、穿戴装置，以及智慧家庭等物联网应用商机，预计2015年1月就会开始送样认证1GB芯片。
据了解，美光日前宣布与华邦电结盟，双方将开发新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash产品线;双方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比现有序列式NOR Fla
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- 智能手机全球迅速普及、终端记忆体的大容量化、大数据时代到来等，都将大幅增加对NAND型记忆卡的需求。
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