现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状，中国这波掀起对存储格局的改变，或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。
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存储路 NAND
储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。
目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NANDFlash市场投下新变数。
稍早三星和美光也都
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Flash 晶圆
2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
DRAMeXch
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NAND TrendForce
SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
美国记忆体晶片大厂美光科技(Micron)财务长Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference时表示，该公司在3D NAND记忆体生产上已取得重要历程碑。
科技网站AnandTech报导，Maddock表示，虽然目前2D NAND晶片生产数量仍高于3D，但就记忆体总容量而言，3D NAND产能的总容量已高于2D产品。
据悉，美光2D和3D NAND生产采用完全不同的技术。 2D NAND生产依赖于光刻(lithography)技术，3D NA
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美光 NAND
“三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”(东京有明国际会展中心)的“半导体高端论坛”上登台发言，并如此介绍了该公司的三维闪存(3D NAND)高密度化战略。
成毛以对比15nm工艺2D NAND(二维闪存)的形式，介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FL
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东芝 NAND
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2
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美光 NAND
DRAMeXchange最新研究显示，受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第1季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。
今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。
DRAM
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NAND SSD
三星在手机市场遭遇一定挫折，不过由于全球手机的出货量成长以及对更大容量的内存和存储的需求却让它在NAND Flash市场成为大赢家，据TrendForce的数据显示营收同比增长20.6%，市占率提升到36.6%创下新高。
目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎，由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度，在采用更低工艺的情况下却可以提供远比工艺更高2D NAND技术数倍容量，例如采用16nm工艺的2D NAND存储器容量为64GB，而采用21nm工艺的三星 48层3D NAN
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Intel NAND
三星凭藉着技术优势，NAND快闪存储器市占率逐季甩开东芝等竞争者的纠缠，龙头位置越座越稳。
市调机构DRAMeXchange最新数据显示，三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。(韩国经济日报)
同期间，东芝NAND存储器营收为20.26亿美元，市占率较前季下滑0.3个百分点成为19.6%，落后三星幅度从前季的16.2%扩大至16.8%，此为历史新高水平。
刚完成并购SanDisk的Western Digital市占率达17.1%
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三星 NAND
芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写 例如，在有对Flash写入或擦除操作的代码中，如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数，这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况，可以在程序中设置多个允许操作的变量，当执行写入或擦除操作时，对
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驱动程序识别设备时，有以下两种方法： (1)驱动程序本身带有设备信息，比如开始地址、中断号等;加载驱动程序时，就可以根据这些信息来识别设备。 (2)驱动程序本身没有设备信息，但是内核中已经(或以后)根据其他方式确定了很多设备的信息;加载驱动程序时，将驱动程序与这些设备逐个比较，确定两者是否匹配(math)。如果驱动程序与某个设备匹配，就可以通过该驱动程序来操作这个设备了。 内核常使用第二种方法来识别设备，这可以将各种设备集中在一个文件中管理，当开发板的配置改变时，便于修改代码。在内核文件incl
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NAND 驱动
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
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NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)
根据DIGITIMES的报导，NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业，2017年将增加至13兆韩元，其中4兆韩元用于DRAM，Flash则约9兆韩元，远不如原
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Flash 存储器
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨，在MLC-SSD部分，季涨幅达6～10%，TLC-SSD部分则上涨6～9%。展望2017年第一季，虽然终端产品实际销售状况仍保守，但由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换阵痛期，及龙头厂商持续以提升获利为主要策略下，预估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持
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