美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体，包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。
Crucial SSD的售价为200美元，这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的
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美光 3D NAND
受惠于中国智能手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，第二季eMMC、消费级固态硬盘与企业级固态硬盘的合约价跌幅开始收敛，渠道端wafer价格更从4月起逐月上扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%，结束前两季度连续衰退的颓势。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季
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美光 NAND
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对
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3D NAND
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最
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三星 东芝 NAND Flash
根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬续跌5~10%，亦即8月合约价较7月重跌11~18%
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存储器 NAND Flash芯片
韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包
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3D垂直闪存 V-NAND 固态硬盘
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路，IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态，期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备，通过CMOS处理技术，DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP
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硬件设计 FlaSh DSP
使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码。示例展示了ARM构架中中断是如何操作
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Flash SRAM 触发中断
市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺，加上厂商库存水位依旧偏高，采购意愿薄弱，
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NAND Flash
在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下，2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证，美光(Micron)公司有意将这套已出现两
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美光 企业级闪存 NAND
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