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nand flash 文章 进入nand flash 技术社区

闪迪联合创始人荣获美国科技成就和创新最高荣誉

  •   全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今天公布闪迪联合创始人、退休的董事长兼首席执行官 Eli Harari 博士因其对闪存技术研发和普及的重大贡献而被美国国家科学基金会授予国家技术与创新奖章。   美国国家技术与创新奖章代表了推进科学与技术进步的美国国家最高荣誉,获奖者对加深人类对世界的认识和改善人类的生活作出了不可磨灭的贡献。在美国国家政要和其他获奖者的见证下,美国总统奥巴马于11月20日在白宫举办的典礼上授予EliHarari博士该项奖章。   25年前,Harari博士与合伙人共同创立了
  • 关键字: 闪迪  NAND  

台内存大厂挥军日本 直闯工控和车用市场

  •   征战海外展览的台湾内存大厂,终于在日本找到了机会。
  • 关键字: 内存  NAND Flash  

六大NAND Flash厂商:东芝最“吸金”

  •   2014第三季度 NAND Flash厂商营收排名出炉,其中东芝最为亮眼,原因是因为它最涨势最猛。
  • 关键字: NAND Flash  东芝  三星  

美光咬苹果大单 力成同乐

  •   苹果公司继推出iPhone 6/6 Plus新款智能手机后,今年底或明年初,将紧接推出Apple Watch智能手表,目前正展开一波拉货,力成最大客户美光传出大啖苹果Apple Watch存储器绝大部分订单,力成受惠度看涨,也激励今天股价逆势上涨;另一档美光受惠股华东则维持小跌与平盘间的狭幅震荡。   据了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,内建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包办绝大部分的订单,而在下游后段封测代工制程方面,目前多半由力成与华东共同负责,由于测试时
  • 关键字: 苹果  iPhone 6  NAND Flash  

台IC设计前3季 联发科稳居每股获利王 敦泰群联位居二三名

  •   IC设计第3季财报全数公布完毕,累计前3季,联发科(2454-TW)每股税后盈余23.41元,稳居IC设计每股盈余获利王,也是税后净利获利王,其次是触控IC厂F-敦泰(5280-TW),前3季每股税后盈余为13.67元,排名第二,第三名则是FLASH控制晶片厂群联(8299-TW),前3季每股盈余为13.34元,排名第三。   根据公开资讯站资料显示,联发科前3季税后净利与每股税后盈余稳居IC设计之冠,表现亮眼,显示行动装置需求持续升温,第3季旺季效应加持发威下,相关厂商营运表现都相当亮眼,联发科第
  • 关键字: 联发科  触控IC  FLASH  

Spansion:eMMC填补市场需求和闪存发展缺口

  •   昨天,Spansion举行媒体发布会,推出面向消费电子、通信和工业嵌入式系统的工业级eMMC闪存产品,并向记者介绍了eMMC闪存的市场定位和需求情况。   与其他Spansion产品一样,这次发布的eMMC闪存主要是针对嵌入式客户设计的,这类客户通常对于工作温度范围、数据保护和支持工具有严格的测试和要求,这样让OEM能够更容易地据此设计自己的产品。   据Spansion公司NAND闪存产品营销及业务拓展总监Touhid Raza介绍,eMMC是一种在行业使用比较普遍的存储器标准,而Spansio
  • 关键字: Spansion  eMMC  NAND  

下游需求高企 2014年中国内存芯片市场将占全球两成

  •   TrendForce最新研究报告显示,随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放,GDP成长率呈现高度的成长,所伴随而来的就是惊人的消费潜力,无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示,以2Gb颗粒来换算,2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿,分别占全球产能19.2%与20.6%。   从DRAM市场来观察,PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%,内需市场的强劲
  • 关键字: 内存  DRAM  Flash  

基于FLASH介质嵌入式存储方案的设计与实现

  •   引言   FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点,已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别,使用FLASH时必须根据其自身特性,对存储系统进行特殊设计,以保证系统的性能达到最优。   FLASH的特点   FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory),根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不
  • 关键字: FLASH  NAND  

全球半导体市况良好 韩厂火热、日厂踌躇

  •   全球半导体市场第3季,以870亿美元创下史上最高营收纪录,景气持续乐观。其中亚太地区比前年增加12.0%成长最多,南韩业者营收屡创新高,然而日本地区却出现成长衰退迹象。   据Digital Times报导,日前美国半导体产业协会(SIA)宣布,第3季半导体产业全球营收,与前年同期相比成长8.0%,以870亿美元创下史上单季最高纪录。不但比第2季增加5.7%,也高于世界半导体贸易统计组织(WSTS)在7月预测的年度成长值6.5%。   SIA CEO Brian C. Toohey表示,第3季半导
  • 关键字: 半导体  DRAM  NAND  

Spansion 推出面向消费电子、通信和工业嵌入式系统的工业级e.MMC 存储产品

  •   全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司今日宣布推出面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。Spansion的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储密度,工作温度范围为-40度到+85度,可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的Spansione.MMC闪存系列完善了Spansion领先业界的并行和串行NOR闪存以及面向嵌入式应用的SLC NAND闪存产品组合。   Spansione.MMC闪存采用高密度的MLC NA
  • 关键字: Spansion  NAND  MMC  

OEM需求拉货动能增温,第三季NAND Flash品牌营收季增12.2%

  •   第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下,eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年,NAND Flash价格表现也相对稳健,使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流,有助于各家业者成本结构的改善,而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世,整体N
  • 关键字: NAND Flash  SSD  iPhone6  

LED产业推动中国半导体时代的来临

  •   过去媒体与业界常讲最尖端、先进的半导体技术不会到中国投资,某些国家的政府对于输出特定半导体技术到中国投资都有设定限制,因此过去国际半导体厂在中国投资半导体相关事业,以芯片封装测试厂、8 寸以下晶圆厂为主。不过,这个局面在中国市场打开,中国政府近期又积极招商,宣示要花大笔人民币来买技术、买设备与外资合作建立中国半导体产业的新局后,有了重大改变。   英特尔才刚于 2014 年 9 月 26 日和中国手机芯片厂展讯联合宣布,以 15 亿美元入股紫光集团,持股占比约为 20%。而前身是 AMD 快闪内存事
  • 关键字: AMD  Spansion  NAND  

中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程

  •   中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度 NAND 闪存持续增长的需求,使中芯国际占据该领域的领先地位。   NAND 闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38纳米 NAND 闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IoT)、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。客户也可利用此技术带动串行外设接
  • 关键字: 中芯国际  NAND  

iPhone 6推升智能手机NAND搭载容量

  •   TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查报告显示,苹果(Apple) 9月份推出大萤幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球热销,带动 2014全年 iPhone 销售量提升至1.88支,年成长率高达22%,成功扭转过去一年来iPhone趋缓的销售动能,重新站稳高阶智慧型手机领导厂商的地位;值得注意的是,苹果这次的改变除了将萤幕尺寸从一直坚守的4寸,向上突破至4.7与5.5寸,在储存容量与价格上也开始展现更积极的策略。   DRAMeXchange
  • 关键字: 智能手机  NAND  

提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命方法

  •   在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应
  • 关键字: MSP430  Flash  EEPROM  
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nand flash 介绍

 Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。   NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]

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