- 由于航天应用对可靠性提出了更高的要求，这是与一般的FPGA开发最大的不同。当高能粒子撞击可编程逻辑器件时，撞击的能量会改变器件中的可配置的SRAM单元的配置数据，使系统运行到无法预知的状态，从而引起整个系统失效。这在航天设备中是必须要避免的。以FLASH和反熔丝技术为基础的FPGA与以SRAM为基础的FPGA相比，在抗单粒子事件方面具有很大的优势，可靠性高。
ACTEL公司是可编程逻辑解决方案供应商。它提供了多种服务，包括基于反熔丝和闪存技术的FPGA、高性能IP核、软件开发工具和设计服务，定位
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FPGA FLASH 反熔丝
- 储存型快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片厂群联 (8299)董事长潘健成表示，智慧手机市场本季需求不振，主要是受到市场上迷漫观望气氛影响，直到苹果公布iPhone 6系列产品规格之后，其它手机品牌厂出现抢零组件热潮。
他说，10月的急单火红，第4季零组件拉货力道优于本季。
潘健成表示，先前消费者期待iPhone 6上市，导致iPhone 5系列产品，自今年3月起就销售不佳;其它品牌的Android系统也在第2季出现清库存的情况，上游供应商不敢备货、通路商也不愿意拉货囤积库存
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NAND 控制晶片
- 核心提示：东芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工厂，主持采用更高精度制程NAND Flash厂、第五工厂第二期工程完工典礼，与3D NAND Flash厂、第二工厂新工程动土典礼，象征在NAND Flash市场的积极作为。
东芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工厂，主持采用更高精度制程NAND Flash厂、第五工厂第二期工程完工典礼，与3D NAND Flash厂、第二工厂新工程动土典礼，象征在NAND Flash市场的积极作为。
由于智能型手
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东芝 NAND
- 虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头，不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错，28nm工艺年初也正式量产了，还从TSMC手中抢到了部分高通处理器订单，现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存，而且是中芯国际自主研发的技术。
NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯国际 NAND
- 东芝公司今天宣布，该公司在闪存峰会(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND闪存和存储产品。闪存峰会是全球最大的闪存讨论会，于8月5至7日在美国加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉会议中心(Santa Clara Convention Center)举行。
闪存峰会的展览环节在会议的最后两天8月6日和7日举行，东芝在504号展位布展。
主要展品
1、企业级固态硬盘(eSSD)：
企业级读密集型
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东芝 NAND 固态硬盘
- 摘要：提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法，并完成了设计和仿真。
关键词：微控制器 在线仿真 开发系统 Flash SRAM
由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级，MCU应用的领域也不断扩展， 因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比，最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作，顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面，Flash MCU市场价格也在不断下降。因此，许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于F
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MCU Flash 仿真器
- 全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今日宣布，来自移动设备、平板电脑和消费类电子产品行业生态系统的300多位领导厂商本周齐聚中国深圳，参加闪迪举办的第二届年度“Future Proof Storage”研讨会。本次活动于8月26日举行，囊括了中国及世界各地极具影响力的领先移动科技公司(包括几乎所有领先芯片组供应商的代表)，共同探讨塑造移动互联市场的新技术、新应用、新趋势和闪存技术演进。Future Proof Storage 研讨会邀请了移动行业中的十几位领导者担任演讲嘉宾
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闪迪 智能手机 NAND
- TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，由于智能手机、平板电脑等移动装置需求稳健增长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NANDFlash，2015年NANDFlash整体产业规模将提升至266亿美元，年增长9%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2014年NANDFlash需求位增长率为36%，在更多元化的产品开始导入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增长率将依旧有35%。市场趋势观察的重
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NAND Flash 穿戴性装置
- 摘要：本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时，采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子，详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。
1 背景描述
笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核，带512K字节的片内FLASH，98k字节的片内RAM，支持片外LOCAL BUS总线，可从片外NOR FLASH启动CPU。由于代码量较大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
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ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
- 今年第二季NANDFlash品牌供货商营收达76.49亿美元，季成长5.6%，随着智能手机与平板电脑等进入出货旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市场表现。
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Intel NAND
- 全球NANDFlash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NANDFlash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。
市调机构IHSiSuppli最新报告预测，NANDFlash今年底报价将跌至0.49美元每GB，远低于去年的0.71美元，预估2018年将进一步跌至0.14美元，其间年复合成长率为负的28%。
NANDFlash产出过多是导致价格崩跌的主因，若以1GB等量单位计算，IHSiSuppl估计，2018年NANDFlash产出将自2013年的
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东芝 NAND
- 今年上半年，上海海尔集成电路公司推出十几款单片机产品，有其自主知识产权内核的HR7P155~170、201、192、196等系列，还有新的触摸按键芯片等，容量涵盖0.5~64kB，管脚数从10pin至80pin。丰富的资源为客户的方案设计提供了多样选择。
专注于专用MCU的上海海尔，为何此次在如此多的通用产品上发力?在芯片本土化的热潮下，上海海尔的愿景是什么?
处于从专用向通用MCU升级的开端
MCU(单片机，微控制器)一般有通用和专用两类。很多欧美大公司喜欢推出通用单片机，而日本、
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海尔 MCU Flash 201408
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：
LVDS FPGA Flash
- 并非所有的嵌入式应用都“生而平等”。在设计者们继续寻求途径改善用户体验和性能等方面的过程中，一个必须考虑的重要因素是嵌入式应用的运行环境。从北极地区冰冷刺骨的户外天线，到美国德州油气公司极度炙热的井下钻机，嵌入式应用所需支持的环境千差万别。嵌入式系统及其组件不仅须支持高温环境下功能运作，还必须保持其交流和直流参数以及其它规格要求。如果在极端温度范围内无法满足所有规格要求，必须做出得失权衡，就必须记录下这一信息，并在设计过程中进行共享。在汽车、消费、工业、游戏、网络或通信应用中，
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Spansion NAND FL1-K
- 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。这款业界领先的产品采用了Marvell第三代NANDEdge™ 纠错、低密度奇偶校验(LDPC)技术，使消费类及企业级SSD便于采用15nm TLC NAND闪存。先进的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器显著降低了存储系统的总体成本，功耗更低，并提供无与伦比的性能。 Marvell公司总裁、联合创始人
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Marvell 控制器 NAND
nand flash 介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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