存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。存储器的性能、可扩展性，可靠性和成本是决定推向市场的每个系统产品经济上成功或失败的主要标准。目前，几乎所有产品都使用一种或组合使用
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MRAM 存储器
MRAM市场可能会在明年开始变得越来越“拥挤”──开发OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技术的美国业者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研发晶圆厂制作出仅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目标是在明年第一季开始提供其MRAM样品，并在2018年让产品正式上市。
STT执行长Barry Hobe
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STT MRAM
三星电子(SamsungElectronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(SpinTransferTorque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示，预计在3年内展开MRAM量产，也引起了业界高度的注目。
韩媒指出，STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NANDFlash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
SamsungFoundry行销暨业务开发负责人KelvinLow在接受EETimes欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28
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存储器 MRAM
据海外媒体报道，DRAM 发展快到尽头，磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM 和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性存储器(STT-MRAM)”的研究出现突破，有望加速走上商用之途。
韩媒 BusinessKorea 11 日报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会(IEEE)发布研究论文宣称，两家公司携手研发的 STT-MRAM 的生产技术，成功实现 10 纳秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构，理论上表现超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。
比利时研究机构IMEC记忆体部门总监Arnaud Furnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体(PCM)等其他类型的记忆器也都有其支持者，但这些记忆体都存在着微缩的问题，而难以因应28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS节点可望具有更长的寿命，以因应更多的“超越摩尔定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
日本东北大学2016年3月21日宣布，开发成功了可超高速动作的新型磁存储器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基础元件，并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。
三种自旋轨道力矩磁化反转元件构造。(a)与(b)为以前的构造，(c)为此次开发的构造(该图摘自东北大学的发布资料) (点击放大)
PC及智能手机使用的SRAM及DRAM等半导体存储器，因构成元件的微细化，性能获得了提高，但随着微
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MRAM
记忆体产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取记忆体(SRAM)的快速、快闪记忆体的高密度以及如同唯读记忆体(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性记忆体。如今，透过磁阻随机存取记忆体(MRAM)，可望解决开发这种“万能”记忆体(可取代各种记忆体)的问题
遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的最佳化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存储器
不同存储器都有其各自的优势和缺点，由消费类产品驱动的存储器市场在呼唤性能更优存储器技术，当然也要价格便宜。
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MRAM SRAM
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，业界认为次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体”(MRAM)、“可变电阻式记忆体”(ReRAM)可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。
韩媒BusinessKorea 16日报导，南韩半导体业者指出，16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限，10奈米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的专利诉讼。
据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约，并自2011年开始共同开发下一代记忆体STT-MRAM。2014年3月因记忆体半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。
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东芝 SK海力士 STT-MRAM
近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。
MRAM技术的读写速度可以媲美SRAM、DRAM，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，等于综合了RAM、Flash的优点。
TDK多年来一直在研究STT-MRAM，但此前从未公开展示。这次拿出的原型芯片
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闪存 MRAM
MRAM以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。MRAM是以取代Flash为使命的。目前TDK已经推出这种存储技术的原型。
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闪存 MRAM
市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。铁电存储器(FeRAM)铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存储器
mram介绍
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
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