- 在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等方面更进一步。现代应用需要更先进的功能1.更高的耐用性和可靠性：高级驾驶辅助系统和先进的互连航空电子技术等应用
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闪存 MRAM FPGA 莱迪思
- 不只是 imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好 MRAM。
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MRAM
- 大阪大学的研究人员介绍了一项创新技术，可以降低现代存储设备的功耗。
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磁阻RAM MRAM
- 自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠 存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠
- Source:Getty/kaptnal专注于磁阻随机存取存储器（MRAM）解决方案的美国企业Everspin Technologies日前宣布将与Lucid Motors合作，在Lucid即将推出的Gravity电动运动型多用途车中使用其PERSYST MRAM产品。Everspin旗下PERSYST产品线中的一款256Kb串行MRAM产品——MR25H256A，将被集成至Lucid的Gravity SUV车型中。Lucid之所以选择Everspin的MR25H256A MRAM型号，是因为它能够在较宽
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Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV车型
- 1956 年，IBM 推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。此后，随着科技的进步，内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器（DRAM），具有较快的读写速度，能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速存取需求。固态硬盘（SSD）以其高速的读写性能、低功耗和抗震动等优点，逐渐取代传统磁盘成为主流存储设备之一。存储技术仍旧在持续发展，近年来新型存储技术如雨后春笋般涌现，诸如相
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磁变存储器 MRAM
- 台积电利用其自身先进的制程优势，正在积极推动新型存储产业的发展。
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MRAM
- M 是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于 DRAM。被大厂看好的未来之星，非它莫属。三星：新里程碑目前三星仍然是全球专利第一，2002 年三星宣布研发 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对 MRAM 的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的 MRAM 研发逐渐走向低调。20
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MRAM
- 多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：「DRAM、SRAM、NAND 这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。」但是已经开始出现无法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
- 据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。论文中提到，该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ
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功耗 三星 MRAM
- 近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（Flash）储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。新一代嵌入式内存具有小体积、大容量、高效能等特性，可以满足庞大运算需求，
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工业储存 MRAM
- 在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术 MRAM RRAM PCRAM
- 全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM)，准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转，研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM为非挥发性存储器技术，断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失，是“不失忆”的存储器。其结构如三明治，上层是自由翻转的铁磁层，可快速处理数据，底层则是钉锁住的铁磁层，可用作存储数据，两层中则有氧化层隔开。 其
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MRAM DRAM
- 据报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。 三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。 这种解决方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的数据，并且不使用额外的备用电源，所以它的功耗也很
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MRAM 三星
- 在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式随机存取存储)，是一种非易失性存储技术，从 1990
年代开始发展。此技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，但平均能耗远低于
DRAM，而且基本上可以无限次地重复写入。 英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实
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英特尔 MRAM
mram介绍
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
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