首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> mosfet

mosfet 文章 进入mosfet技术社区

隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效 ...
  • 关键字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

MAX5048C高电流MOSFET驱动器-高频开关电源的理想选择

  • MAX5048C是一个高速MOSFET驱动器,能够吸收/7A/3A峰值电流。该器件采用逻辑输入信号,驱动外部MOSFET。该器件具...
  • 关键字: MAX5048C  高电流  MOSFET  驱动器  

隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效...
  • 关键字: 门极驱动光耦    隔离驱动IGBT    Power  MOSFET  

飞兆提供业界领先的高可靠性体二极管性能

  • 服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度,因此要获得成功,设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  SuperFET  

如何提升数字控制电源性能?MOSFET驱动器有办法

  • 如何提升数字控制电源性能?MOSFET驱动器有办法,UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件冲突。当然,这种争议会阻碍数字控制电源以
  • 关键字: MOSFET  驱动器  办法  性能  电源  提升  数字  控制  如何  

电源设计小贴士46:正确地同步降压FET时序

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低...
  • 关键字: FET    MOSFET    电源设计小贴士    德州仪器  

电源设计小贴士:同步降压 MOSFET电阻比的正确选择

  • 在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和F...
  • 关键字: 同步降压  MOSFET  电阻比  

飞兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更强、效率更高

  • 汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  FDB9403  

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

  • 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电池组、逆变器、不间断电源 (UPS) 、太阳能逆变器、叉车、电动工具、代步车,以及ORing和热插拔应用等。
  • 关键字: IR  MOSFET  

高压MOS缺货 晶片商抢推高整合LED驱动器

  •   半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下,LED照明系统商正面临出货递延的窘境,因此晶片商正加紧发表整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案,让LED照明系统客户免于高压MOSFET缺货之苦。   恩智浦区域市场总监王永斌表示,调光与非调光LED驱动IC和LED灯具的谐振控制器皆需要高压MOSFET,因此恩智浦将透过高整合LED驱动IC方案确保客户掌握货源无虞。   恩智浦(NXP)区域市场总监王永斌表示,20
  • 关键字: 恩智浦  LED  MOSFET  

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

Vishay将参加西安2012西部电源技术创新论坛

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将参加11月24日在西安皇后酒店举行的中国西部电源技术论坛。论坛与中国电源行业协会合办,由Vishay技术专家做4场技术报告,探讨在新能源、军工、通信、工业电源和其他行业中电容器、电阻、电感器、MOSFET、功率模块和二极管的应用。
  • 关键字: Vishay  电容器  电感器  MOSFET  

功率元器件的发展与电源IC技术的变革

  •   前言   为了防止地球温室化,减少CO2排放量已成为人类的课题。为了减少CO2排放量,节电与提高电压的转换效率是当务之急。在这种背景下,罗姆通过用于LED照明的技术贡献于节电,通过功率元器件提升转换效率。   而提高转换效率就需要减少损耗。发电站产生几十万伏的电压,通过电线和变压器将这些电压降低为如我们所熟悉的手机充电器所提供的约5V的电压进行使用。从发电站到充电器之间电压被多次转换,每次转换都会发生损耗。这些损耗的原因之一是功率元器件的损耗。只要这些损耗变成零,就可以大幅消减CO2排放量。虽然不
  • 关键字: 罗姆  功率元器件  MOSFET  

新型降压稳压器拓扑在宽输入、高用电量负载中的应用

  • 摘要:本文介绍了一种“零电压开关(ZVS)降压”的新型降压稳压器拓扑,说明了其给系统带来的优势和其在Picor Cool-Power ZVS降压稳压器系列产品中的集成。
  • 关键字: 稳压器  栅极驱动  MOSFET  201211  

罗姆在新一代功率元器件领域的飞跃发展与前沿探索

  • 在功率元器件的发展中,主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里,在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k,同时将电压也降低到1/k,力争更低功耗”的指导原理下,随着微细加工技术的发展,实现了开关更加高速、大规模集成化。在功率元器件领域中,微细加工技术的导入滞后数年,需要确保工作电压的极限(耐压)并改善模拟性能。
  • 关键字: 罗姆  功率元器件  MOSFET  
共1282条 51/86 |‹ « 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 » ›|

mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

热门主题

VD-MOSFET    JFET-MOSFET    IGBT/MOSFET    MOSFET-driver    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473