- Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布扩展了其MOSFET驱动器系列产品。在已获得业界推崇的Microchip下桥臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驱动器上，Microchip推出全新下桥臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驱动器。经扩展后，这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A至4.5A，工作电压范围宽达4.5V至18V。全新器件具备使能输入引脚，可实现关断功能以节省能耗，并采用8引脚SOIC和8引脚6mm×5m
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Microchip MOSFET
- 为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装，Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。
Dual Cool封装具有外露的散热块，能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比，Dual Cool封装在配合散热片使用时，可将功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封装的MOSFET通过使用飞兆
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Fairchild MOSFET Dual Cool
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最
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Vishay MOSFET
- saber下MOSFET驱动仿真实例,设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteris
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实例 仿真 驱动 MOSFET saber
- 宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60VN沟道Trench FET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK®SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
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MOSFET 最低导通电阻
- 进入2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数千家LED灯具厂商欢欣鼓舞――因为一个巨大的市场就要开启，而这次唱主角的是中国厂商。不过，应当看到，LED灯具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解决能效和可靠性的难题，如何解决这些难题，Power Integrations市场营销副总裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED灯具
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PI MOSFET LED
- 0 引言 众所周知，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。近年来，内核CPU所需的电源电流每两年就翻一番，即便携式内核CPU电源电流需求会高达40A之大，而电压在0.9V和1.75
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功耗 计算 MOSFET 变换 便携式 DC/DC 电流
- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
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问题 分析 击穿 雪崩 MOSFET 功率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
- 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温...
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MOSFET RDS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET
- 近日（2010年11月2日）凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/宽输入电压范围(2.7V至5...
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MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出一系列25V及3...
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MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本，该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器，为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。该驱动器与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器之一相结合，可构成完整的高效率同步稳压器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的节温范围内工作，而 I 级版本的工作温度范
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Linear MOSFET
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