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3G MOSFET RF功率放大器 RF
- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，拥有业界最低RDSon，4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC-DC转换应用进行了优化，例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。
技术要点：
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恩智浦 MOSFET
- Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中，为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。
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Diodes mosfet
- 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
- 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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MOSFET 数据表
- 本文主要介绍瑞萨电子(又称：Renesas)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明，为客户的产品开发提供参考性的设计意见。
MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V，具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列，应用十分广泛。
MOSFET最重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察，因为它们只有
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Renesas MOSFET
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品，一款集成高压MOSFET并可实现功率因数校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用创新的控制方案，可提高轻载条件下的效率。此外，与使用分立式MOSFET和控制器的设计相比，HiperPFS器件能大幅减少元件数和缩小电路板占用面积，同时简化系统设计并增强可靠性。HiperPFS器件采用极为紧凑的薄型eSIPä封装，适合75 W至1 kW的PFC应用。
欧洲
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PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。
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Vishay Siliconix MOSFET
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系统等。
与传统的标准塑料封装器件相比，IR 的车用 DirectFET®2 器件可以实现整个系统级尺寸和更低的成本，以及超高的性
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IR MOSFET
- 当维持相同的结点温度时，可以获得更高的输出功率和改善功率密度。另外，散热能力的提高使得电路在提供额定电流的同时，还可以额外提供不超过额定电流50%的更高电流，并使器件工作在更低的温度、减少发热对其他器件的影响，也提高了系统的可靠性。
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技术 MOSFET 封装 新型 供电 需求 满足
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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Vishay MOSFET
- 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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MOSFET 双峰效 方法
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
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