电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 电路 VP FET 结合 使用 万用表
隔离式FET脉冲驱动器原理及设计三相控制整流器和变换器、矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率 ...
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隔离式 FET 脉冲驱动器
电路的功能如使用发光二极管直流发光，正向偏流只能在数10MA以下，允以获得大的发光输出，若采用缩小导通时的占空比，则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ，脉冲载频为38KHZ，受发光电路很容易分辩外来光。电
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电路 工作 原理 分析 驱动 脉冲 C-MOS 与非门 发光二极管
采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品 ...
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路，R用高阻值，便可加长CR时间常数，但是，由于内部比较器的输入偏流较大，难以充电到门限电压，比较器无法驱动，为此，本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片，选用高阻
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工作 原理 电路 定时 时间 C-MOS 设定
电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器电路
在严苛的汽车环境中，各种功率场效应晶体管(power FET，功率FET)，被一贯地认为可承受极端的温度变化和热机械应力。间歇性短路、寒冷的运行环境、高压电弧或有噪声性短路，连同电感负载及多次短路久而久之会让该器件疲损，致使其进入开路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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改善 能量 效率 开关 FET 优化 变换器 通过
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计，由于最大限度地利用了SiC器件的特点，从而大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化、高效化，在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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罗姆 SiC MOS
简介
一提到电源设计，大多数工程师都会感到挠头，他们往往会问，“从哪里入手呢?”。首先必须确定电源的拓扑——包括降压、升压、flyback、半桥和全桥等。
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intersil FET DC/DC
这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程： 图1 工作原理 一、方波的产生 这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而
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自制 逆变器 效应 MOS
NCP1396A/B为NCP1395的改进型。它包括一个最高500kHZ的压控振荡器，在必需悬浮驱动功能时龅控制模式有很大...
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光耦 可调 死区时间 MOS
1 引 言 目前,实现微电路最常用的技术是使用MOS晶体管。随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性
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行为 建模 及其 效应 管短沟 MOS
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