- 简介：注释：静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。
前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。
虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电
- 关键字：
静电损坏 MOS
- 欧盟EUP环保指令你知道吗?你知道此指令对静态能耗有什么要求吗?我们产品上需要怎样应对呢?下面给你解决此问题的电源供电方案。
2009年1月6日，欧盟电子类产品待/关机模式之EuP能耗指令执行措施已正式生效，其生态化设计要求与去年7月经欧盟生态化设计管理委员会批准的工作草案相同。厂商需在2010年1月6日前达到第一阶段的要求，2013年1月6日达到第二阶段要求。
图1 Eup图标
我们来了解一下EuP能耗指令第二阶段的具体要求，
1、产品在关机或待机
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MOS AC-DC
- 无论LED是经由降压、升压、降压/升压或线性稳压器驱动，连接每一个驱动电路最常见的线程就是须要控制光的输出。现今仅有很少数的应用只需要开和关的简单功能，绝大多数都需要从0～100%去微调亮度。目前，针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节LED的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(PWM)来设定循环和工作周期可能是实现数字调光的最简单的方法，原因是相同的技术可以用来控制大部分的开关转换器。
PWM调光能调配准确色光
- 关键字：
PWM FET
- 【前言】在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。
【问题分析】
上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电
- 关键字：
MOS SCR
- 一、场效应管的工作原理- -概念
场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。
二、
- 关键字：
场效应管 MOS JFET 场效应管工作原理
- 混频器是无线收发机中的核心模块， 对整个系统的性能具有很大影响。线性度、转换增益是衡量一个混频器性能的重要指标。
在接收机中， 混频器具有一定的转换增益可以降低混频器后面各级模块设计的难度， 有利于提高系统噪声性能和灵敏度。线性度决定了混频器能处理的最大信号强度。随着现代通讯系统对性能要求越来越高， 无论是应用于接收机系统的下变频器(本文指的混频器) ， 还是应用于发射机系统中的上变频器都要求具有较高的线性度。因此设计具有高增益和高线性度的混频器就成为业界一直研究的热点。
在CMOS电路设
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MOS 谐波混频器
- MOSFET是一个时代产物,随着MOSFET技术的进展，特别是大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET出现，它的开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选。
在EEPW论坛呆久了，看了好多网友问起MOS管的事情，有很多童靴对MOS管的使用不是很熟悉，今天有空给大家说几个关于MOSFET的技巧的几个实用技巧的事情。
为了把问题说的明白些，还是有必要把MOS管的身世先介绍一下。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道
- 关键字：
MOSFET MOS
- 1 引 言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
2 ESD保护原理
ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为ESD的放电通路
- 关键字：
CMOS ESD MOS
- 1、芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的
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LED MOS 变压器
- 摘要：用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类，后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看，末级电流200mA是理想值。
前后级间耦合电容对听音影响较大，要求质量高些。
对于音频功率放大器而言，最好听的莫过于甲类放大器。根据频率分析的结果，由集成运算放大器构成的前级声音单薄、缺乏活力。所以，可不可以前级采用单管甲类放大器，后级采用甲乙类功率放大器?这样既兼顾听音需要，又兼顾效率的需要。目前，电子管音频功率放大器仍然占据
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FET 场效应管 功率放大器
- 因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
- 关键字：
MOS CMOS
- 随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能，但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战，汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗，许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能，而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机，当脚从刹车踏板移动
- 关键字：
P-FET MOSFET
- 脉冲电源是脉冲制式供电方式装备必不可少的供电电源。本文对脉冲电源特点及主要参数的影响原因进行分析，给出了一种脉冲电源的电路方案。重点分析输出脉冲电压跌落幅度产生原因及解决方法，总结了实用的脉冲电源工程设计方法。
- 关键字：
电源 MOS 脉冲电压 跌落幅度 脉冲电源 201405
- 为了解决现有浪涌保护电路可靠性差、专用模块体积庞大以及效率低的问题，提出一种抗机载80V浪涌、高效恒流源电路解决方案。其设计思路从以下几个方面考虑：(1)能够承受航空供电系统中80V/50ms过压浪涌且能正常工作;(2)外围电路较为简单，通过分离元器件可实现抗浪涌功能;(3)构建的电路占用体积仅为专用模块的50%～60%左右;(4)正常工作时，电路转换效率能达到90%以上;80V/50ms的高压浪涌电压时，电路转换效率能达到80%以上
- 关键字：
PCB MOS 恒流源
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