在开关电源电路设计当中，电流的转换分为很多种。其中直流转换是较常见的一种设计。通常称为DC-DC转换，是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置。直流转换设计在开关电源当中非常常见，也是新手接触比较多一种电路设计，本篇文章将为大家介绍这种电路当中非同步与同步的区别。
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DC-DC MOS 同步 开关电源 非同步
与之前介绍的晶体管放大电路相同，各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接，以构成CR的连接方式。此时，为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系，就需要偏置电路来提供栅极电压。 与晶体管放大电路的接地方式相同，结型FET放大电路也有多种接地方式。 最一般的源极接地电路和自偏置电路 n沟道FET的例子如下图所示，p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向，与此图完全相反。 FET源极接地电路的功能，与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作，要求栅极和源极间的电压VGS为
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FET 放大电路
该电路采用衰减场效应晶体管(FET)分流信号到地面。这个R2是用来控制输出级(衰减等级),但是你可以用其他来源的电压信号来控制网格的FET如DAC输出,这是一种负面的信号电压会(你可以用DAC采用对称与供电系统)。使用FET...
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FET 压控衰减器
首先介绍一下这样做的优点：采用低的晶振和总线频率使得我们可以选择较小的单片机满足时序的要求，这样单片机的工作电流可以变得更低，最重要的是VDD到VSS的电流峰值会更小。
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单片机 FET 穿通电流 工作频率
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体
硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。
根据电流流动的构造，可将半导体分为N型和P型两类。
半导体的电流流通原理
(1) N型半导体
图1是在硅晶
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嵌入式系统 FET
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。
MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，
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MOS MOS驱动电路
半导体行业的重组还在继续。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)将把经营分立器件、逻辑芯片、功率MOS半导体等产品的标准产品业务部门出售给中国的投资公司(英文发布资料)。
标准产品业务部门2015年财年的销售额为12亿美元，约占恩智浦总销售额(61亿美元)的2成。该部门约有员工1.1万名，约为恩智浦总员工数量(4.5万)的2.5成。
出售金额约为27.5亿美元，购买方是北京建广资产管理有限公司(简称“建广资产”)与Wise Road Capital两家
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恩智浦 MOS
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。 静电放电形成
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MOS 击穿
前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。 虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电流也有最大限制，如果电流过大，比如外接负载短路，同样会被烧毁。短路都是非正常工
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防短路 MOS
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的
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场效应晶体管 MOS
EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠，为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。 宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告，展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果，以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得
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宜普电源 FET
近日，德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。bq76200高电压解决方案能有效地驱动能量存储系统，以及电机驱动型应用中常用电池里的高压侧N沟道充放电FET，包括无人机、电动工具、电动自行车等等。如需了解更多详情，敬请访问：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
电感性
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TI FET
当我们还是学生的时候，不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性：静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管，老师一般都会草草带过，没有那么深入的分析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制，一个是电流控制，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些明显的特性，下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。 首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。 在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格，通常使用N沟道和P沟道MOS
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MOS 场效应管
所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与
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MOS 集成电路
简介： 今天一个刚刚入行的朋友找到我说，他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后，他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数，就写个短短的文章说一下fmax到底是什么和哪些参数有关。
这两个频率都是晶体管的重要参数，无论BJT还是MOS，也决定了将来电路能工作到的最大频率(当然这个最大频率是绝对不可能到fmax和ft的)。这两个频率其实离得不远，那他们有什么差别呢：ft是用电流增益来定义的，fmax是用最大功率增益来定义的，千万别弄混了哦。下图是一
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MOS fmax
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