- 图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因
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进行 缓冲 电压 关断 转换器 FET 如何
- MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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MOS-FET 开关电路
- 1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时，VGS=0，J-FET导通，传输信号至VO；当VC比V1足够负，VD导通而J-FET截止，VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
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J-FET 开关电路 工作原理
- 电路的功能如使用发光二极管直流发光，正向偏流只能在数10MA以下，允以获得大的发光输出，若采用缩小导通时的占空比，则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ，脉冲载频为38KHZ，受发光电路很容易分辩外来光。电
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驱动 电路 脉冲 发光二极管 C-MOS 与非门 采用
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 VP FET 结合 使用 万用表
- 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
- 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟定时电路
- 电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路，R用高阻值，便可加长CR时间常数，但是，由于内部比较器的输入偏流较大，难以充电到门限电压，比较器无法驱动，为此，本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片，选用高阻
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电路 定时 C-MOS 时间 设定
- 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算电路
- 电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术，该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中，将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明，以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
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友达 FED FET
- 台湾友达科技近日宣布，他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议，友达将出资收购FET公司的部分资产，并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位，索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示，其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利，FED技术实施方案，以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势，其工作原理与CRT显示器完全相同，同样采用
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友达 FED FET
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器，该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合，可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器，与同类竞争产品相比，该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时，还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制，帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求，从而可实现整个负载范围内的高
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TI FET 转换器 TPS51315
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