- 据华尔街日报(WSJ)报导指出，由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash，日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器，这也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。
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Micron NAND
- 2011回归正常
据各市场调查公司和企业的预测，2011年半导体业还将保持在2010年的3000亿美元的规模，上半年相对是淡季。同时2011年也将会回归正常，不会像过去两年过山车式地剧烈震荡。
回首过去，一些企业如何在危机中成长，对即将来到的淡季又将如何准备?成功的企业是否有些经验可循?我国本土半导体企业成长的根结在哪里?2010年的后两月，笔者走访了一些企业老总和市场调查公司分析师，期待从中找到答案。
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Micron 半导体 201102
- 由于DRAM价格再度崩跌，原本财务体质就相当孱弱的台厂再度面临难关，DRAM产业整并潮恐再次启动，但业者预期这次参与整并成员将单纯许多，美光(Micron)阵营的南亚科和华亚科在台塑集团财务支持下，已走出自己的路，不过，力晶、茂德、瑞晶合计26万片12寸产能，恐怕都将成为尔必达(Elpida)囊中物。
DRAM产业2年前的整并赛轰轰烈烈开演，最后却草草收场，大家都把理由推给DRAM价格反弹，不需再由政府插手，经济部亦乐得抛开烫手山芋，台系DRAM厂则沈溺在报价反弹的荣景，纷购买机台及转换制程扩产
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Micron DRAM
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010财年第二季度的运营成果。对于2010财年的第二季度，该公司取得了可归属于其股东的3.65亿美元，合摊薄股每股0.39美元的净收入，其净销售额达近20亿美元。相比之下，2010财年第一季度的净收入为2.04亿美元，合摊薄股每股0.23美元，净销售额为17.4亿美元，并且2009财年第二季度的净亏损为7.63亿美元，合摊薄股每股0.99美元，净销售额为10亿美元。2010财年之前各个时期的金额及
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Micron NAND Flash
- 美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世，同时也全面导入铜制程技术，与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比，美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多，预计在2010年第2季试产，而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程，与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。
2010 年DRAM市场50
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Micron 40纳米 DRAM
- 存储器大厂Micron以50：50比例与澳大利亚Origin Energy公司组成合资的光伏技术公司。
至此关于合资公司的细节未能透露。2009年5月Micron曾准备化500万美元来促进LED Solar方面的嘗试。
该项目执行总经理Andrew Stock表示将利用Micron在存储器方面的实力来推动光伏发展及市场化。
Origin Energy是澳大利亚领先的集成能源公司，工作范围涉及天然气,石油开釆与生产、发电及能源行业。该公司列于澳大利亚股票市场ASX的前20位，有近400
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Micron 存储器
- 位于美国芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二公布，受惠于存储处理器旺销，公司第一财季扭亏为盈。
财报显示，美光第一财季实现净利润2.04亿美元，合每股收益23美分。去年同期，美光亏损7.18亿美元，合每股亏损93美分。美光当季营收为17亿美元，去年同期为14亿美元。盘后交易中，良好财报刺激美光股价上涨约3%。
据FactSet Research的调查，分析师此前对美光第一财季的营收的预期为16亿美元，对每股收益的预期为6美分。
美光披露，受惠于产品量价齐升，当
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Micron 存储 处理器
- 美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17.4亿美元，较2009年度同期成长约24%。净利为2.04亿美元，每股盈余(EPS)为0.23美元。
据彭博(Bloomberg)的预估，美光第1季的每股盈余为0.06美元，实际表现情况超出华尔街多数分析师的预期。美光执行长Steve Appleton表示，尽管全球经济仍挑战重重，美光靠著技术领先、成本优势及财务稳健的优势，可望在市
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Micron 存储器
- 在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，Samsung营收为10亿3千7
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Micron NAND
- Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2x nm技术做准备，计划于第四季度推出样品。
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Micron 纳米 NAND USB闪盘
- 美国内存芯片大厂Micron Technology Inc.采取进一步行动专注于核心业务，周二宣布分拆旗下影像处理技术子公司AptinaImaging，并出售大部分股权予2私募基金公司Riverwood Capital及TPG Capital(德州太平洋集团)。
据国外媒体报道，该分拆行动，显示美光努力弥补核心业务——内存芯片——销售锐减的冲击。不过美光可能因此蒙受巨额损失，也更加证实首席执行官Steve Appleton为了核心芯片业务避险而采取
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Micron 内存芯片 传感器
- 根据《埃达荷政治家报》网站报导，DRAM大厂Micron Technology正对外寻求资金以扩展 LED制造业务，且同时考虑生产太阳能板。
美国埃达荷州政府看好Micron的未来表现，亦积极向美国能源部申请，由该州能源资源局拨款500万美元。
由于DRAM业务亏损连连，Micron索性裁员并关闭部份产线，连闪存部门也分拆出去与 Intel(英特尔) 共组合资企业IM Flash Technologies LLC。
有意改变营运重心的Micron，逐渐将眼光放在技术水准类似，获利却更
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Micron DRAM LED
- 今年第一季度，美国存储器制造商Micron Technology重返全球DRAM市场份额三甲行列。
iSuppli存储IC首席分析师Nam Hyung Kim指出，第一季度Micron超过日本Elpida重获DRAM市场第三名的位置。
第一季度DRAM销售额为4.84亿美元，同比减少28%，Micron市场份额为14.6%，较去年第四季度的13.8%有所增长。
韩国Samsung和Hynix分列第一第二位。Samsung市场份额创纪录地达到34.3%，去年第四季度为30%，Hynix
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Micron DRAM
- 与多年前相比，现在的移动消费电子装置结构复杂，功能丰富，能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是，存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用。例如，适用于大容量存储的高性价比紧凑型 NAND 闪存就替代了手机、MP3 播放器和数码相机中使用的 NOR 闪存和其它非易失性存储装置。
随着工艺技术的进步，存储器密度大约每 12 至 18 个月即提高一倍。对于 NAND 闪存而言，这意味着对多层单元 (MLC) 技术的重视程度日益提高。传统的单层单元 (SLC) NAND 闪存
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NAND 嵌入式 MMC 存储器 Micron
- 全球NAND型闪存(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NAND Flash市场未来发展发出警语表示，目前NAND Flash厂制程技术发展相当快速且先进，但微影技术无法跟上NAND Flash厂发展，尤其令人感到惊讶的是，微影设备商技术竟远落后NAND Flash大厂数年，几家NAND Flash厂商为于未来顺利发展，还必须领先微影设备商，自行开发一些相关技术。 近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂，加上NAND&
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NAND 闪存 美光 Micron
micron介绍
1. Micron（美国美光）半导体是全球第二大内存芯片厂，是全球著名的半导体存储器方案供应商，是美国500强企业之一。
Micron是其中先进的半导体解答领先世界的提供者之一。Micron微量和闪光组分用于现代最先进的计算，Micron的网络和通信产品，包括计算机、工作站、服务器、手机、无线电设备、数字照相机和GAMING系统。
美光科技有限公司（Micron Technology, [
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