- 由于目前存储器供应短缺、供不应求，全球第2大存储器厂商海力士(Hynix)预期2010年的营收可望达到10年来的最高点。
目前DRAM市场正处于供不应求的状态。自2009年全球经济逐渐回温后，企业放宽支出，对个人计算机(PC)的需求也回升，光是2010年PC销量就可能较2009年增加10%，带动了DRAM的需求量上升。
另外，智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)及其它行动设备的市场规模日增，也让NAND Flash的需求量不断攀升。但相对于存储器芯片需求量节
- 关键字：
Hynix NAND 存储器芯片
- 据彭博(Bloomberg)报导，全球第2大存储器厂商海力士(Hynix)表示，目前全球存储器市场仅能满足60%的需求，海力士有可能会重新审视资本支出计画，此外，海力士将和存储器大厂美光(Micron) 讨论先前海力士与恒忆(Numonyx)在大陆拥有的合资企业。
海力士新任执行长权五哲(Kwon Oh-chul)表示，2010年全球存储器市场对生产者有利，目前市场并未形成泡沫，优于预期的市场状况可能会延续至下1季。此外，海力士原先计划在 2010年投资2.3兆韩元(约20.2亿美元)，然若存储
- 关键字：
Hynix 存储器
- 据彭博社报道，海力士(Hynix Semiconductor Inc.)债权人任命Kwon Oh Chul担任这家全球第二大电脑内存片制造商CEO。
海力士主要债权人韩国外换银行(Korea Exchange Bank)今天在一份电子邮件声明中表示，该公司债权人在对海力士执行副总裁Choi Jin Seog、执行副总裁Park Sung Wook、和高级副总裁Kim Min Chul评审之后，最后选择了今年51岁的Kwon Oh Chul。海力士债权人为了给予救助而对这家韩国电脑内存片制造商投入
- 关键字：
Hynix 内存
- 南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后，他们已经于日前成 功开发出了基于26nm制程的NAND闪存芯片。他们并称将于今年7月份开始量产基于26nm制程的64GB容量NAND闪存芯片产品.
按闪存芯片市占率计算，Hynix公司去年在闪存芯片市场上的市占率排在第三位，仅次于排在前两位的三星与东芝公司。据此前的报道显示，三星公司和由Intel和镁光公司合资成立的IM Flash公司均计划于今年第二季度推出基于25n
- 关键字：
Hynix 26nm NAND 闪存芯片
- DRAM厂普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM厂海力士(Hynix)却发出警语，认为今年DRAM恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警语，看法与三星大为迥异。
外电报导，海力士执行长金钟甲(Kim Jong-kap)在接受媒体采访时透露，由于各大芯片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM会供给过剩;不过，他认为储存型闪存(NAND Flash)需求仍会不错。
- 关键字：
Hynix DRAM
- NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场的价格杀手，但高容量产品新增产能又相当有限，因此2010年NAND Flash价格发展持续两极化。
近期NAND Flash现货价和合约价都有止跌的迹象，1月下旬NAND Flash合约价持平开出，在高容量32Gb和64Gb
- 关键字：
Hynix NAND
- 2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。华亚科表示，表示旗下的50纳米制程是最正统的完整世代技术，并非是制程微缩下的产物，因此成本竞争力有十足把握;在尔必达、美光跟上制程进度后，年底4大阵营技术实力大幅缩小，竞争更激烈。
虽然三星电子和海力士已先一步转到40纳米世代，其中三星是
- 关键字：
Hynix DRAM 40纳米
- 全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。
2009年第4季海力士营收为2.8兆韩元(约24.7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成长主因为DRAM及NAND Flash存储器出货量成长，同时，DRAM平均售价也上扬，此外，第4季海力士净利为6,570亿韩元，更较第3季大幅成长167%。
和2009年第3季相较，2009年第4季海力士DRAM平均售价及出货量分别成长26%及12%，至于N
- 关键字：
Hynix DRAM NAND
- 韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。
这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装(如MCP/POP封装形式)的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这
- 关键字：
Hynix 44nm DDR2 内存芯片
- 阿布扎比政府属下的阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)6日称，公司无意收购韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.)股份。
公司首席执行官阿贾米(Ibrahim Ajami)电话告诉媒体称，“这与ATIC没有任何关系，我也不清楚是不是阿布扎比政府旗下其他投资半导体的投资公司。”
6日早前一家媒体援引韩国政府官员的话报道称，阿联酋政府显示有兴趣收购海力士半导体的股份。
阿贾米称，由高级微设备公司(AMD)拆分而来的半导体制造厂商Glob
- 关键字：
Hynix 半导体制造
- 韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布，并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为，也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。
反垄断监管单位声明，针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相关的价格操纵调查已经全部结束。
2007年1月，FTC宣布将针对NAND快闪记忆芯片制造商进行反垄断调查，侦查是否有操纵价格的事实，之后已针对全球4家企业进行调查，其中2家位于韩国，另外2家分别在美国和日本，但FTC并未公布详细的企业名单。
韩国快闪记
- 关键字：
Hynix DRAM DRAM
- 国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息，韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出，预估将从1兆韩元调高至1.5兆韩元，相当于12.7亿美元，虽然以全球的角度来看，2010年的资本支出仍高居全球第三大，然经此一调高，海力士明年资本支出规模已经接近华亚科(3474)的13.85亿美元，且资本支出的规模也是2007年的高峰以来，最大规模的一次行动。
目前已知将调高资本支出的国际厂商包括尔必达、三星半导体、华邦电，上周25日，韩国大厂海力士也跟进宣布调高资本支出。
根据外电指出，海
- 关键字：
Hynix DRAM
- 据华尔街日报(WSJ)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现，将提升资本支出并扩张产能。
海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑，此外，预期2010年全球个人计算机(PC)市场需求将增加10%、全球DRAM存储器芯片将缺货，半导体市场已走出过去3年的谷底，前景相当稳定。
随著景气逐渐回升，海力士计划2010年提升资本支出，共投资2.3兆韩元(约20亿美元)提升技术水平，及扩张目前的NAND
- 关键字：
Hynix 存储器 NAND
- Hynix公司近日宣布成功开发出了业内首款面向PC机和游戏机的40nm制程2Gb GDDR5显存颗粒产品。Hynix称这款新开发出来的GDDR5显存运行频率可达7GHz，在芯片位宽为32位的条件下，芯片的传输带宽可达 28GB/s.这款GDDR5芯片的工作电压为1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5产品能耗可下降20%左右。
Hynix公司计划于明年下半年开始量产这种40nm制程2Gb GDDR5芯片。
- 关键字：
Hynix 40nm GDDR5 显存芯片
- 韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证，Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品，另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。
这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条)，验证时的运行频率为1333MHz，芯片电压为1.5V。
Hynix宣称
- 关键字：
Hynix 40nm SDRAM 50nm
hynix介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
2004 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
