据日本媒体报导,光刻机设备龙头阿斯麦(ASML)执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示,半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术,满足半导体发展。Christophe Fouquet表示,自2010年以来EUV技术越来越成熟,半导体制程微缩至2020年前后三年,以超过50%幅度前进,不过速度可能会在2030年放缓。故ASML计划年底前发表首台商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光设备(原型制作),
关键字:
ASML NA EUV 光刻设备
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal
Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell
Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core
Tr
关键字:
SK海力士 High-k Metal Gate
可穿戴等市场发展快。DC/DC转换器成为影响这些产品电池寿命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超轻载消耗电流只有180 nA,通过电路、布局和工艺实现。
关键字:
可穿戴 DC/DC 降压型 轻载 nA 201804
一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
关键字:
制作 音箱 监听 A4 High-end
一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
关键字:
制作方法 音箱 监听 A4 High-end
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字:
安森美 ADS High-QIPD 高电阻率 硅铜
IIN/C1(V/S),1UA电流为10的负6次方/800*10的负12次方=1.25*10的6次方V/S,穿越-5.6~+5.6V的时间林约是9MS,频率为111HZ。实际上必须加上上升时间,所以振荡频率大约为100HZ。 因为C1的微调很困难,所以允许A2的正
关键字:
100 0.1 KHZ NA
一、设计及制作 由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系: no=knmiddot;f33middot;VB 上式中,k
关键字:
监听 音箱 A4 High-end 制作 如何
Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
关键字:
high-current Derive simple source
一、设计及制作 由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系: no=kn・f33・VB 上式中,kn是箱体系数,
关键字:
音箱 方法 监听 A4 High-end 制作
市场研究机构Gartner警告,半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元,使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示,研发联盟的兴起将成为救星。
缺乏适当的投资将导致技术蓝图延迟,而且公司恐怕无法做好迎接未来挑战的准备;在目前营收低迷的情况下,半导体设备业正面临着如此的危机点。不过Freeman却认为,在这一轮不景气中最大的不同,就是在过去十年来有不少产业联盟的建立,而这些结盟关系在某些程度上减轻了业者因营收减少对研发所带来的冲击。
Fr
关键字:
半导体设备 通孔硅 high-k金属闸极
ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar原子层沉积技术(ALD)工具。
除此之外,此家晶圆厂也将与ASM针对最新世代的high-k闸极技术进行制程开发活动。 ASM 在2009年第2季将针对进阶节点开发计划提供额外的 Pulsar 制程模块。该晶圆厂在过去4年也使用ASM的ALD high-K和金属闸极设备来开发其以铪基材料为基础的high-k 闸极制程。
纳米节点上实现成功的high-K制程
关键字:
ASM high-k 晶圆
凌华科技推出High Speed Link系统延伸模块HSL-HUB3与HSL-Repeater。此产品可以为HSL用户提供最长可达2400公尺的长距离使用及多点连接(multi-drop)接线架构,搭配高达十余种I/O及运动控制模块的组合,提供客户实时控制的完整解决方案。 凌华的High Speed Link(HSL)技术是串列式远程I/O实时控制的绝佳选择。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技术,针对接线的
关键字:
High Link Speed 工业控制 凌华 汽车电子 通讯 网络 无线 延伸 模块 工业控制
音讯内容保护 (Content Protection) 技术与透过传统电话的Skype应用功能加速音讯转换芯片在数字家庭的应用 瑞昱半导体在美国旧金山的Intel春季科技论坛推出最新一代的高精准音讯转换芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885与ALC888 Telecom。瑞昱ALC885内建内容保护与防拷&nbs
关键字:
High Definition 音讯转换 瑞昱 通讯与网络 芯片
尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺(hp55)芯片制造、开口数(NA)为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。 这家大型半导体厂商的名字,尼康没有公布,估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。 作为全折射型液浸曝光设备,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技术,能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题,据称利用名为“Local-fill(局部
关键字:
NA 尼康 嵌入式系统
high-na介绍
您好,目前还没有人创建词条high-na!
欢迎您创建该词条,阐述对high-na的理解,并与今后在此搜索high-na的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473