foresee-spi-nand-flash 文章
最新资讯
三星电子正计划对美国德克萨斯州奥斯汀的一处内存芯片工厂进行升级改造，这一过程中将裁员500人。
三星奥斯汀半导体公司将投资5亿美元将对该工厂进行改造。该工厂将于10月份关闭，改造工作将于2009年末至2010年初开始。
今年早些时候，三星奥斯汀半导体公司在三星电子的大规模重组中裁员20人。该公司在当地拥有两家工厂，分别生产DRAM内存芯片和NAND闪存芯片。
关键字：
三星 内存芯片 DRAM NAND
手机及其它移动电子设备微型投影机发展惊人
据 iSuppli 公司，由于能够克服移动电子设备显示屏尺寸的限制，嵌入到智能手机等产品中的微型投影机的出货量未来四年将增长约 60 倍。
到 2013 年，内嵌式微型投影机的出货量将从今年的 5 万部升至超过 300 万部。附图为 iSuppli公司对内嵌式微型投影机全球出货量的预测。
iSuppli 对微型投影机的定义是：重量小于 2 磅 (约 0.9 公斤)、体积小于 60 立方英寸(约 983 立方厘米)、无需电池组的正投影机。虽然微
关键字：
智能手机 NAND
NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。
积极地来看，Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB，1 peta=100万Giga)，而现在为7000PB。当前和未来的NAND闪存需求让将爆炸性增长，其中包括最有潜力的市场驱动力——嵌入式移动应用市场。
Harari在闪存峰会的主题演讲中
关键字：
SanDisk NAND 闪存
英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量的优盘。
美光NAND闪存营销经理Kevin Kilbuck说，虽然在一个存储单元加入更多比特的数据能够提供更大的数据密度，但是，这种做法没有基于更标准的技术的闪存那样可靠。因此，每个储存单元3比特的芯片最初将仅限于应用到优盘。优盘没有要求固态硬盘的那种数据存储可靠性。固
关键字：
英特尔 NAND 34纳米
曾经是欧洲最大内存厂的奇梦达进入资产拍卖阶段，而此举刚好给了大陆切入内存产业领域的大好时机!浪潮集团将于8月中收购奇梦达西安研发中心，至于苏州封测也传出将由华润集团接手，而这些收购公司背后都有国资背景，显见在官方撑腰并下指导棋的情况下，大陆内存产业链终于完备。
德国内存龙头厂奇梦达确定遭到市场淘汰，并已正式进入资产拍卖阶段。目前奇梦达的资产包括6大研发中心、美国的弗吉尼亚与德国的德勒斯登12吋晶圆厂，以及大陆、葡萄牙、马来西亚的后段封测厂。至于奇梦达在大陆的基地，只有西安的研发中心与苏州的内存后
关键字：
奇梦达 晶圆 服务器 DRAM NAND
据日本媒体报道，日本近期半导体和液晶面板的生产水平得到回升，大型电器生产厂家纷纷决定利用暑期休假时间加班加点进行生产。由于环保积分制度促进数码家电销量增长等因素，市场需求得到恢复，库存调整也取得进展。生产水平的回升一旦上了轨道，这些企业的业绩有望得到好转，也可能为日本国内经济带来一股活力。
在液晶生产领域拥有主导权的夏普公司旗下龟山第二工厂的液晶面板生产线暑期照常开工。该工厂从8月起将液晶面板产能提高约10%，在建中的堺市新工厂也将于10月起按预定计划开工。
东芝公司旗下生产用于手机等的&
关键字：
夏普 液晶面板 半导体 NAND
基于FPGA的高速大容量FLASH存储,1、引言
关键字：
FLASH 存储 大容量 高速 FPGA 基于
Maxim推出用于汽车开关的24通道开关触点监测器MAX13362。器件采用单片微控制器监测多达24路遍布整个汽车的机械开关，省去了多个远端微控制器的花费。MAX13362能在高压(最高27V)和电池反接情况下保护低压电路，非常适合监测工作环境恶劣的远端机械开关。器件还提供3种工作模式(连续、轮询和关断)，以优化功耗。MAX13362理想用于车体控制器和车门模块。
器件的SPI™接口提供多种编程选项。用户可以配置轮询周期和轮询运行时间，以节省监测操作间的功耗。还可设置湿电流、中断
关键字：
Maxim 监测器 开关触点 MAX13362 SPI
Flash存储器已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。但是在对Flash进行编程或擦除的操作过程中，如果单片机需要处理一些紧急的情况(如中断、数据存储等等)，就需要暂停相对比较消耗时间的Flash编程/擦写过程，优先处理这些紧急情况。这对Flash存储器的工艺水平及控制技术提出了更高的要求。
瑞萨公司推出的R8C/1B单片机采用改进的Flash存储器工艺，大大缩短了编程/擦除挂起的时间，使其能够更加及时地响应中断或进行其他操作。
Flash编程/擦除挂起功能
所谓挂起功能，是
关键字：
瑞萨 R8C Flash
8月6日消息，日本芯片制造业龙头东芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片业务资本支出增长将减缓，并寻求扩张核能发电及智能型电网业务，3年后其电力及基础建设业务的获利，将达电子产品部的2倍。
东芝的半导体部门已连续3季出现营业亏损，使其减缓该部门支出，并在其它领域寻求固定营收来源，例如健康医疗及水处理等。
东芝目前预期，包含微芯片、传感器及液晶显示器(LCD)等电子产品部门于2012年3月底结束的会计年度，获利将达约1000亿日元(10亿美元);而届时社会基础建设业务获利则可达2000亿
关键字：
东芝 NAND 晶圆
尽管最近市场调研公司VLSI仍不修正半导体业阴沉的预测， 即09年全球设备市场下降44.2%及半导体市场下降12.4%，而其CEO Hutcheson对于IC工业仍非常乐观。
根据与Hutcheson的对话及公司的最新报告， 以下将结论刊出， 共有4个正面意见及2个负面看法。以下是为什么分析师呈现乐观或者担心的原因。
1. 看到回升
7月的周报IC销售额上升到33亿美元， 打破了三周来IC销售额的阴沉局面， 因为通常7月是典型的弱月份， 所以这条消息具正面意见。依周与周的比较，IC销
关键字：
Cisco 通讯 太阳能 NAND
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，Samsung营收为10亿3千7
关键字：
Micron NAND
随着EDA(电子设计自动化)技术的发展和可编程逻辑器件性能的不断提高，基于FPGA的可编程片上系统技术为系统设计提供了一种简单、灵活、高效的途径。基于NiosII的可编程片上系统(SoPC)设计中，几乎所有的应用设计都需要使用Flash存储器，而Flash的编程必需相应的目标板Flash编程设计支持。结合实际应用详细论述了目标板Flash编程设计的创建及应用。
关键字：
Flash SoPC 编程
据台湾媒体报道，东芝日前发生日本晶圆厂遭到雷击短暂停电事件，尽管NAND Flash产能并未受到影响，然令业界意外的是，由于该厂房主要生产包含快闪记忆卡控制芯片的逻辑IC产品，因此，使得东芝microSD卡供应量骤降，带动近期microSD卡价格上涨逾10%。
内存业者认为，过去记忆卡价格一直严重偏低，业界趁此机会调涨终端记忆卡售价，但NAND Flash芯片价格上涨机率则不高。
业内人士表示，2009年初NAND Flash芯片价格持续上涨，记忆卡价格却没有跟上来，导致NAND Flas
关键字：
东芝 NAND 晶圆
foresee-spi-nand-flash介绍
您好，目前还没有人创建词条foresee-spi-nand-flash!
欢迎您创建该词条，阐述对foresee-spi-nand-flash的理解，并与今后在此搜索foresee-spi-nand-flash的朋友们分享。
创建词条
foresee-spi-nand-flash相关帖子
foresee-spi-nand-flash资料下载
foresee-spi-nand-flash专栏文章
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473