新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout)，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台
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Synopsys FinFET
随着半导体工艺技术的进步与智能手机对极致效能的需求加剧，移动处理器的工艺制程正在迈向新的高度。目前，全球领先的晶圆代工厂商已经将工艺制程迈向10纳米FinFET工艺，16/14纳米节点的SoC也已实现量产，那么半导体技术节点以摩尔定律的速度高速发展至今，移动处理器的工艺制程向前演进又存在哪些挑战?同时，进入20纳米技术节点之后传统的CMOS工艺式微，这将给FinFET与FD-SOI工艺在技术与应用上带来怎样的发展变革?
5纳米节点是目前技术极限 摩尔定律被修正意义仍在
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处理器 FinFET
台积电7月14日首度揭露最先进的5纳米FinFET(鳍式场效电晶体)技术蓝图。台积电规划，5纳米FinFET于2020年到位，开始对外提供代工服务，是全球首家揭露5纳米代工时程的晶圆代工厂。
台积电透露，配合客户明年导入10纳米制程量产，台积电明年也将推出第二代后段整合型扇形封装(InFO)服务。台积电强化InFO布局，是否会威胁日月光、矽品等专业封测厂，业界关注。
台积电在晶圆代工领域技术领先，是公司维持高获利的最大动能，昨天的新闻发布会上，先进制程布局，成为法人另一个关注焦点。
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台积电 FinFET
ARM今日发布了首款采用台积电公司(TSMC)10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。 此款测试芯片的成功验证(设计定案完成于2015 年第四季度)是ARM 与台积电持续成功合作的重要里程碑。该验证完备的设计方案包含了IP、EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积电最先进的
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ARM FinFET
据中新网、网易等报道，当地时间2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为2015年度美国最高科技奖项获得者颁奖，包括9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者。其中两张华裔面孔格外引人注意，包括80岁高龄的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年毕业于台湾大学。
她1993年制造出一种酵母，除了让木糖发酵，也可以吧果糖变成乙醇，因此能够利用稻草之类的非食用材料大量制造乙醇，帮助减少对进口石油的依赖。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在台湾长大，后
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FinFET
Nvidia和AMD双方都拥有为数众多的粉丝,每天在网上相互抨击的文章和帖子是数不胜数，大家都认为自家购买的显卡是最好的，而把对方贬的一无是处，显卡如此，CP党争更是如此。
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AMD FinFET
全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变，成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies (IBS)创
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FD-SOI FinFET
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和台积电宣布签订针对7纳米 FinFET工艺技术的长期战略合作协议，涵盖了未来低功耗，高性能计算SoC的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方的长期合作关系，并将领先的工艺技术从移动手机延伸至下一代网络和数据中心。此外，该协议还拓展了此前基于ARM® Artisan® 基础物理IP 的16纳米和10纳米 FinFET工艺技术合作。 ARM全球执行副总裁兼产品事业群总裁
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ARM FinFET
三星(Samsung)即将量产用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，这项消息持续引发一些产业媒体的关注。三星第二代14nm LPP制程为目前用于其Exynos 7 SoC与苹果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了进一步的更新。
业界目前共有三座代工厂有能力制造这种鳍式场效电晶体(FinFET)：英特尔(Intel)、三星 和台积电(TSMC)。TechInsights曾经在去年
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三星 FinFET
半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术(FP)，这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界
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5纳米 finFET
应用材料集团副总裁暨台湾区总裁余定陆认为，在3D NAND和10奈米技术带动下，今年晶圆代工资本支出有望回升。 应 用材料集团副总裁暨台湾区总裁与全球半导体业务服务群跨区域总经理余定陆表示，2015年看到这四年以来晶圆代工的资本支出进入谷底，预估今年投资水位有 望提升，而大部分支出将发生在下半年，其中有五成以上将集中于10奈米技术;对晶圆代工来说，10奈米不同于16奈米，最显着变化在于鳍式场效电晶体 (FinFET)
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晶圆 FinFET
一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑制程。
香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示，高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成，到2017年之后会将大多数10/14奈米订单转往三星：“三星会是未来高通14奈米晶片与数据
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三星 FinFET
尽管GPU(绘图处理器)市场剩下AMD与NVIDIA两大供应商，但在先进技术的投入上，仍然没有手软过。
AMD的GPU主力产品Radeon系列，在去年推出导入HBM(高频宽记忆体)技术后，引来市场关注。AMD又在今天发布Radeon新一代的产品Polaris架构，采用14奈米FinFET制程，目前已经送样给主要的OEM客户，预计在今年年中进入量产时程，该产品适用于笔记型电脑、VR(虚拟实境)与桌上型电脑等领域。
据AMD资深副总裁Raja Koduri公开表示，Polaris架构有别于过往
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AMD FinFET
finfet介绍
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9奈米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [
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