- 近日，德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决：三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术，需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。 据了解，韩国技术学院曾向法院提起诉讼，指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。然而三星向陪审团表示，它与韩国技术学院合作开发了这项技术，并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。就在三星对此不屑一顾时，其对手英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权，围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变，三星才开始重视这个事件的严重性。 据悉
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三星 FinFET
- 小小的芯片，看似简单，却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理，了解每一颗芯片生产背后的艰辛，才能看懂制造商从小处用心的美好。
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芯片 FinFET
- “半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变。而半导体技术上的创新，可能让半导体晶体管密度再增加1000倍，仍有巨大空间。”近日，美国加州大学伯克利分校教授、国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示。 自1965年摩尔定律提出以来，历经半个多世纪的发展，如今越来越遭遇挑战，特别是新世纪以来，每隔十年，摩尔定律以及半导体的微型化似乎便会遭遇到可能终止的危机。 胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI)，两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月
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FinFET 7纳米
- 在2018年，如果苹果新一代产品应用7nm制程工艺的消息被确认，那么对于其竞争对手，或将成为一场腥风血雨;而对于整个产业来说，或将成为转折点;对于我们消费者来说，当然是件好事情。
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7nm FinFET
- 近日，格芯2017技术大会（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海举行，格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂，并精心为与会者准备了公司的核心业务、市场推进方向与创新成果，以及包括制程工艺、设计实现、IP、射频以及生态圈的发展等方面的最新进展，共同聚焦格芯面向5G互联时代的技术解决方案。作为格芯的年度技术盛会，本次大会格芯分享的技术主题十分广泛，包括FDX®设计和生态系统、IoT，5G/网络和汽车解决方案智能应用，FDX®、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 详解先进的半导体工艺之FinFET-FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。
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FinFET 半导体工艺
- 随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手三星 29 日也宣布，将开始导入 11 奈米的 FinFET，预计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。
根据三星表示，11 奈米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技术在物联网蓬勃发展的大环境下，以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下，该产业链正逐步得到完善。此外，在中国大力发展集成电路的当口，FD-SOI技术还给中国企业带去更多的发展空间和机遇，如何充分利用FD-SOI技术优势，实现差异化创新成了众IC设计企业的探讨重点。此外，5G网络与物联网的不断进化，对RF技术革新的强烈需求，对RF SOI技术带来更广大的市场前景。
FD SOI生态系统逐步完
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FinFET 物联网
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力，从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z产品。 14HP是业内唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。该技术采用了17层金属层结构，每个芯片上有80多亿个晶体管，通过嵌入式动态随机存储器(DRAM)以及其它创新功能，达到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高了15%，性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术
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格芯 FinFET
- 随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
- 在这样一个对数字电路处理有利的世界中，模拟技术更多地用来处理对它们不利的过程。但这个现象可能正在改变。 我们生活在一个模拟世界中，但数字技术已经成为主流技术。混合信号解决方案过去包含大量模拟数据，只需要少量的数字信号处理，这种方案已经迁移到系统应用中，在系统中第一次产生了模数转换过程。 模拟技术衰落有几个原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩尔定律适用于数字电路而不是模拟电路;晶体管可以而且必须做得更小，这有利于数字电路。但这对模拟晶体管的影响并不大，反而器件尺寸越小，模拟器件特性往往越差。器件的
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摩尔定律 FinFET
- 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预
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格芯 FinFET
- 大家都在谈论FinFETmdash;mdash;可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人mdash;mdash;除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜（FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
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ALD 半导体制造 FinFET PVD CVD
finfet介绍
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9奈米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [
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