GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器，与传统控制器IC和外部MOSFET相比，这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率（远高于AM频段的2 MHz范围内）下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外，如果稳压器的最小导通时间(TON)较低，则无需中间稳压，可直接在较高的电压轨上工作，从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制，以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
离线电源是最常见的电源之一，也称为交流电源。随着旨在集成典型家用功能的产品数量的增加，对所需输出能力小于1瓦的低功率离线转换器的需求也越来越大。对于这些应用程序，最重要的设计方面是效率、集成和低成本。在决定拓扑结构时，反激通常是任何低功耗离线转换器的首选。但是，如果不需要隔离，这可能不是最好的方法。假设终端设备是一个智能灯开关，用户可以通过智能手机的应用程序进行控制。在这种情况下，用户在操作过程中不会接触到暴露的电压，因此不需要隔离。对于离线电源来说，反激拓扑是一个合理的解决方案，因为它的物料清单（BOM
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BOM FET VDD
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管（FET），因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场增长了3到6倍（见图1）。图1：从有刷拓扑转换到无刷拓扑意味着FET数量出现了6倍倍增但BLDC设计在这些FET上提出了新的技术要求。例如，若电路板上FET的数量6倍倍增
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FET BLDC
每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International
Electron Devices Meeting，缩写：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
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DRAM GAA-FET
智能集成电机驱动器和无刷直流(BLDC)电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。 图1所示为集成电机驱动器结合驱动电机所需的一切要素，如场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和状态机。集成避免了电线从电子控制单元(ECU)到电机的布线距离过长，并还具有更小印刷电路板(PCB)尺寸和更低整体系统成本的优点。 BLDC电机在汽车应用中提供的优势包括效率、紧凑的尺寸、更长的电机寿命和电池寿命、更安静的车内体验以及更好的EMI性能。 图1：智能集成BLDC电机驱动器 集成智能系列博
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BLDC FET
使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路-下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
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FET 双极性晶体管 缓冲电路 宽带
如何保护你的系统不受反向电流的影响- 在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以相反的方向运行；从输出到输入。幸运的是，有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章，在这篇文章中，你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
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FET TPS22963 德州仪器 反向电流
揭开电池管理系统的神秘面纱-现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色，电池技术进步推动了这一进展，并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来，电池效率（输出功率/尺寸比）和重量均出现大幅改善。试想一下汽车电池得多庞大和笨重，其主要用途是启动汽车。随着技术的最新进展，你可以改用锂离子电池来迅速启动汽车，其重量只有几磅，尺寸也就人手那么大。
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电池管理系统 FET FET驱动器
与之前介绍的晶体管放大电路相同，各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接，以构成CR的连接方式。此时，为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系，就需要偏置电路来提供栅极电压。 与晶体管放大电路的接地方式相同，结型FET放大电路也有多种接地方式。 最一般的源极接地电路和自偏置电路 n沟道FET的例子如下图所示，p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向，与此图完全相反。 FET源极接地电路的功能，与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作，要求栅极和源极间的电压VGS为
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FET 放大电路
该电路采用衰减场效应晶体管(FET)分流信号到地面。这个R2是用来控制输出级(衰减等级),但是你可以用其他来源的电压信号来控制网格的FET如DAC输出,这是一种负面的信号电压会(你可以用DAC采用对称与供电系统)。使用FET...
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FET 压控衰减器
首先介绍一下这样做的优点：采用低的晶振和总线频率使得我们可以选择较小的单片机满足时序的要求，这样单片机的工作电流可以变得更低，最重要的是VDD到VSS的电流峰值会更小。
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单片机 FET 穿通电流 工作频率
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