- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术，该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中，将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明，以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
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友达 FED FET
- 台湾友达科技近日宣布，他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议，友达将出资收购FET公司的部分资产，并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位，索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示，其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利，FED技术实施方案，以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势，其工作原理与CRT显示器完全相同，同样采用
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友达 FED FET
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器，该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合，可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器，与同类竞争产品相比，该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时，还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制，帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求，从而可实现整个负载范围内的高
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TI FET 转换器 TPS51315
- 2009年1月22日，中国北京——Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
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ADI 运算放大器 FET ADA4817
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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FET TI IC－bq2407x
- TPS54377 是一款输入电压为 3V ～6V 的 DC/DC 转换器，具有可将电压步降至 0.9V 的集成的 FET。其转换频率为同步频率并可调至 1.6MHz，以减少外部组件数量且有助于确定频谱噪声频带。该器件在整个温度范围内均可提供高达 3A 的输出电流并可支持 4A 的峰值输出电流。其具有电源状态良好指示、启动、可调慢启动、电流限制、热关断以及 1% 的参考精度等特性。TPS54377 可用于宽带、联网和通信基础设施、分布式电源系统以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 稳压。
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TI 转换器 DC/DC FET
- 当输入至输出的开销电压(overhead voltage)和/或充电电流较高时，线性电池充电器的功耗相当大。以一般的便携式DVD播放器(双节锂离子电池组、12V车载适配器、1.2A额定充电电流)为例，其线性充电器的平均功耗超过5W。 bq241xx系列开关充电器是对过热问题的简便解决方案。内置功率FET能够提供高达2A的充电电流。同步PWM控制器的工作频率为1.1MHz，输入电压最高可达18V，非常适用于由单节、双或三节电池组供电的系统。该系列开关充电器具有的高电压、高电流、高效率等优异特性，并且
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FET 锂离子开关充电器 电源
- Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 开关稳压器系列，支持广泛的工作输入电压，并且可以处理高达 100V 的瞬态尖峰。 ISL8560 支持 9V 至 60V 的输入电压以及 1.21V 至 55V 的可编程输出电压；而 ISL8540 支持 9
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模拟技术 电源技术 Intersil FET 稳压器 电源
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面优化的集成式FET加驱动器功率级解决方案FDMF6700，采用超紧凑型6mm x 6mm MLP封装。对于空间极度受约束的应用，比如小外形尺寸的台式电脑、媒体中心PC、超密集服务器、刀片服务器、先进的游戏系统、图形卡、网络和电信设备，以及其它电路板空间有限的DC-DC应用，FDMF6700为设计人员提供别具吸引力的解决方案。
在个人电脑主板中，典型的降压转换器在每个相位可能包含：采用DPAK封装的三个N沟道MOSFE
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嵌入式系统 单片机 飞兆 DrMOS FET 模块
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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FET DAC ADI
- LTC4414是一种功率P-EFT控制器，主要用于控制电源的通、断及自动切换，也可用作高端功率开关。该器件主要特点：工作电压范围宽，为3.5～36V；电路简单，外围元器件少；静态电流小，典型值为30μA；能驱动大电流P沟道功率MOSFET；有电池反极性保护及外接P-MOSFET的栅极箝位保护；可采用微控制器进行控制或采用手动控制；节省空间的8引脚MSOP封装；工作温度范围-40℃～+125℃。
图1 LTC4414的引脚排列
引脚排列及功能
LTC4414的引脚排列如图1所示，各引脚
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LTC4414 P-FET 电源技术 工业控制 模拟技术 工业控制
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