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fd-ces 文章 进入fd-ces技术社区

CES 2017,我们当有所期待

  • 虽然目前还没有太多的厂商公布自己参加CES 2017的计划,但是我们已经可以根据之前的一些消息来期待一下在明年的CES上我们都应该有哪些期待。
  • 关键字: CES  可穿戴设备  

新型智能手表显示FD-SOI正当时?

  •   在今年,业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的制程技术比较,转移到由产品与应用所决定的技术竞争。   因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色,全空乏绝缘上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)制程一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑,例如:该技术的好处在哪?在商业市场上有实际产品吗?它真正的优势何在?   终于,现在有实际产品可以做为FD-SOI制程的实证──是一只中国智慧型手机品牌业者小米(Xiaomi)副品牌华米(Huami
  • 关键字: 智能手表  FD-SOI  

格罗方德推出12nm FD-SOI工艺并拓展FDX路线图

  •   格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗,并通过软件控制实现按需定制性能,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。   随着数以百万计的互联设备出现,世界正在逐步融合为一体,众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统,集成包括无线连接、非易失性存
  • 关键字: 格罗方德  FD-SOI  

MIPS在CES展示3DTV、上网本等设备

  • 美普思科技公司(MIPS Technologies, Inc., 纳斯达克代码:MIPS)宣布,全球数十家领先的电子厂商在日前于拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES)上推出并展示
  • 关键字: MIPS  CES   

格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺,拓展FDX路线图

  •   格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图,从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。   随着数以百万计的互联设备出现,世界正在逐步融合为一体,众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统,集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件,
  • 关键字: 格罗方德  FD-SOI  

格罗方德半导体推出生态系统合作伙伴计划以加快未来互联系统创新

  •   格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™,该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计,并缩短产品上市时间。   随着公司新一代12FDX™的发布,格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图,并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划,为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。   通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案,客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
  • 关键字: 格罗方德  FD-SOI  

28纳米FD-SOI制程嵌入式存储器即将问世

  •   Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。   三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体,做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项​​。   Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该
  • 关键字: FD-SOI  存储器  

FD-SOI制程决胜点在14nm!

  •   产业资深顾问Handel Jones认为,半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用该技术的众多优势…   半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示,在制程微缩同时,每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加,其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面,当制程特征尺寸缩 减时,晶片系统性与参数性良率会降低,带来较高的闸成本。     
  • 关键字: FD-SOI  14nm  

Globalfoundries正进行下一代FD-SOI制程开发

  •   Globalfoundries技术长GaryPatton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。   晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator,FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。   Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程,能提
  • 关键字: Globalfoundries  FD-SOI  

下一个IT时代 英特尔发展前景如何?

  •   2016年5月11日,CES Asia在上海开展,300多家企业都在这个高规格的展会上展示了自家的技术与未来产品。宝马展示基于i8的新时代新能源汽车和无人驾驶技术,HTC展示进军VR的新产品vive头戴虚拟现实设备。   而作为CES的常客,我看到英特尔这一次带来了更多的跨界技术和产品。正如英特尔展台的布置分为运动、游戏、创意三大区域,所展示的Recon Jet智能眼镜,联想F2智能鞋,HTC Vive的VR设备,Yuneec无人机等,都让前来体验的人们感受到英特尔的技术真的是在改变生活各个领域的体
  • 关键字: 英特尔  CES  

CES Asia 2016:英特尔演绎技术如何重塑消费

  •   在今天揭幕的亚洲消费电子展(CES Asia 2016)上,英特尔重点阐述了塑造未来的关键趋势,并精彩展示了技术如何以巨大威力重塑人类日常生活方方面面的体验,包括颠覆运动和游戏体验、变革健康管理和健身运动,以及释放创造力。作为全球领先的消费类科技行业展会之一,亚洲消费电子展今年是第二次登陆中国,吸引了众多全球企业展示自己最新的产品与技术,全方位展示了亚洲产业价值链推动创新的广度与深度。        英特尔公司高级副总裁兼新技术事业部总经理Josh&
  • 关键字: 英特尔  CES  

CES Asia前瞻:新奇可穿戴设备值得期待

  •   第二届CES亚洲展(2016年亚洲消费电子展,CES Asia2016)即将于下周(2016年5月11--13日)在上海新国际博览中心开幕,喜欢看新奇产品的读者切莫错过这次盛会,特别是对于喜欢可穿戴设备的读者来说最好亲自去体验一番。   可穿戴设备在最近一两年逐步走向了更多人的生活,有人甚至认为这将是人机交互的下一个时代。根据主办方美国消费技术协会((Consumer Technology Association))指出,当前已有超过25家穿戴式装置相关产业链业者表达参与意愿,将借由此次盛会,将旗下
  • 关键字: CES  可穿戴设备  

FD-SOI会是颠覆性技术吗?

  •   全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变,成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说,业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动,象征着为这项技术背书。   “我认为,FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间,但它终将获得新的动能,并发展成为一项关键技术,”International Business Strategies (IBS)创
  • 关键字: FD-SOI  FinFET  

中国真的对FD-SOI制程技术有兴趣?

  •   身为一位记者,我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导,要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题,我会确实感受到人气飙涨。   因 为几乎每家媒体都穷追不舍,我不需要向读者解释为何我要写那些,以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的,要写冷门题材、比较少人讨论的话题,挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法,认为那 些题目不关他们
  • 关键字: FD-SOI  FinFET  

FD-SOI与FinFET互补,是中国芯片业弯道超车机会

  • 本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统,并将FD-SOI与FinFET作比较,分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
  • 关键字: FD-SOI  FinFET  制造  201604  
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