2016 CES(国际消费类电子产品展览会，International Consumer Electronics Show，简称CES)即将在美国开场，除了最新的电子产品，去年开始，可穿戴设备就已成为CES的亮点。而今年的CES上，智能可穿戴展商翻了几番，达到了40余家。
这其中，医疗健康可穿戴产品将成为重头戏。2015年的时候，医疗健康可穿戴设备赚足眼球，将微型化带进潮流。而在本届CES上，医疗级消费技术、挽救生命的可穿戴设备无疑因其巨大的刚需唱起主角。
挽救
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CES 可穿戴设备
智能家居并没有一套完整的标准，某些安全策略不足以支撑设备彼此间的兼容，消费者为了控制不同的产品，不得不频繁的切换应用，最让人感同身受的便是手机上各式各样的APP。
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CES 安防
2015年已经过去，这一年可穿戴设备的种类层出不穷，但最终穿戴在我们身上的电子设备却并不多，最多的就要算就是手环和手表了。 主要是消费者也不将可穿戴产品作为“刚需”电子产品，不过相信2016年凭借更灵敏的传感器、低功耗芯片，以及节能的无线技术等等，就能解决了产品被吐槽已久的“诟病”，改变续航、交互方式甚至是大大降低成本。
除此之外，监控血糖水平、可以测肺活量和皮肤温度，甚至分析人体体内化学成分的传感器设备也将会在2016年CES上亮相，这些也将会为可穿戴设备赋予更多
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CES 智能可穿戴
2016年1月5日消息，美国消费性电子大展CES即将于6日开展，联发科(2454)今年将以主题“全新消费者体验从联发科技开始”在2016 CES展出，并发表三款新晶片，採用这些晶片的消费性电子產品将与周围世界有更好的连结。这三款晶片分别是：4K超高解析蓝光播放器晶片、智慧型手表晶片、以及家庭物联网晶片。
在家庭娱乐方面，推出 MT8581是全球首款支援高动态范围成像的4K超高解析度蓝光播放器专用SoC，其所带来的视觉体验堪比从VHS录像机到DVD播放机的革命性飞跃。
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CES 联发科
虽然CES的光环逐渐黯淡，但它仍可用来预测未来一年(有时甚至是两年)的消费技术潮流，如虚拟现实、高清晰度电视、自动驾驶车辆等。
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CES 智能家居
近期CES在科技圈热闹起来了，2016年1月6日至1月9日，一年一度的国际消费类电子产品展览会CES(Consumer Electronics Show)将在美国赌城拉斯维加斯举行，即将参展的企业纷纷热身，CES2016这场全球最大规模的高科技年度盛事，势必会成为2016年国内智能硬件行业潮流的一个风向标。展会将汇集来自全球一百多个国家和地区的数千家优秀消费类电子厂商、IT核心厂商和物联网设备提供商，涵盖数码电子、穿戴式设备、计算机设备、3D打印、汽车电子、家用电器、智能家居等相关领域。在2015年C
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智能家居 CES
苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为，此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。
据SemiWiki报导指出，SEMI World Fab Watch Database资料显示，苹果买下的晶圆厂于1987年建立，即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆，规模相对小且老旧，无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。
苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程，而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
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三星 FD-SOI
在下个月2016年的消费电子CES展，英飞凌和pmdtechnologies有限公司将展示REAL3，3D图像传感器芯片。
相比之前的版本，光灵敏度，功耗得到相应的提高。节省空间的设备，这使手机操作微型摄像系统，可以测量3D深度数据。
相机的范围和测量精度取决于所发射的和反射的IR光的强度，并且所述三维图象传感器芯片的像素灵敏度。后者是先前版本的两倍，如将一个微透镜的每个所述传感器芯片的像素中的一个结果。因此，大部分的入射光被引导到像素的敏感表面上，所以几乎没有光能量损失到非活动区域。这意
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CES 3D图像传感器
备受瞩目的2016年国际消费电子展 (CES) 已经正式进入倒计时阶段。作为全球领先的半导体公司之一，TI将在本次的展会中展示超过100项的创新技术。无论是先进的高级驾驶员辅助系统(ADAS)还是适用于物联网(IoT)和可穿戴技术的创意解决方案，TI所提供的半导体技术赋予了消费电子产品全新的工程设计创造力。 对于那些即将前往拉斯维加斯参展的与会者而言，他们将可以在TI Village体验创新技术所带来的突破与变革。而为了让更多的朋友能够一览TI Village
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CES TI
2015年CES展上出现的各类穿戴装置主要的还算是被动资料搜集设备，但今年手势控制介面的发展值得关注。
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CES 机器人
DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
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格罗方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
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