本文讲解保护开关等创新器件,对 USB-C 接口实现大功率供电升级起到的关键作用。大功率 USB-C 接口保护开关属于专用集成电路,能够为电子系统提供过压、过流等电气故障防护,同时支持接口供电与受电双向功率传输功能。 USB集线器,连接多个接口,连接到笔记本电脑。图片由Adobe Stock授权提供在充分发挥 USB-C 大功率传输优势的系统设计中,这类防护器件不可或缺,可将内部电路与异常电压、电流工况隔离开来,同时保护主机与外接外设,有效抵御过压、过流、静电放电等电气损害。倘若缺少完善防护,U
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USB-C
大功率供电
保护开关
过压保护
过流保护
ESD
导通内阻
反向电流阻断
车规级防护
eFuse
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。近年来,在工业设备和车载市场,高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地,系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面,随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展,IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此,对于兼
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ROHM
10Gbps
高速I/F
ESD
保护二极管
2025年12月3日 - Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,推出 5.0SMDJ 系列瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。新系列采用节省空间的紧凑型 DO-214AB 封装,专为行动通讯、运算及影像设备应用提供有效的静电放电 (ESD) 保护而设计。Bourns® 5.0SMDJ 系列包含 13 款单向型号及 8 款双向型号。Bourns® 5.0SMDJ 系列 TVS 二极管该系列具备高效能能量吸收与箝位能力,使设计人员可在 12 V 至 30 V 的广泛工作峰值反向电
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Bourns
ESD
TVS
二极管
DO-214AB
封装
静电放电 (ESD) 事件每年给半导体行业造成约 80 亿美元的损失,这凸显了对集成电路 (IC) 采取有效保护措施的必要性。闩锁是 IC 设计中的一个重大可靠性问题,由可能导致灾难性故障的寄生结构引起,这强调了保护环等预防技术的重要性。保护环的实施对于通过吸收少数载流子和提供电气隔离来防止闩锁至关重要,从而增强 IC 的鲁棒性。概述:保护 IC 免受代价高昂的 ESD 和闩锁故障的影响静电放电 (ESD) 事件每年估计会给半导体行业造成 80 亿美元的生产力损失、保修索赔和产品故障 [1]。确保集成电路
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闩锁保护环
ESD
Nexperia 推出了据称是业界首款专为 48 V 汽车数据通信网络设计的 ESD 保护二极管产品组合。这些符合 AEC-Q101 标准的器件旨在节省空间和成本,同时在更高的数据速率下保持信号完整性,这是现代 EV 和混合动力 EV 平台的关键要求。对于涉及汽车电子、动力总成系统或嵌入式通信的 eeNews Europe 读者来说,这一发展直接解决了 EV 设计中越来越多地使用的高压板网络和传统网络协议的 ESD 保护方面长期存在的差距。解决汽车网络中的 48 V 偏移问题随着电动和
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Nexperia
EV
数据网络
48V
ESD
保护二极管
一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。二、MOS管被击穿的原因及解决方案?第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界
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MOS管
电路设计
ESD
ESD对于很多电子产品是一个致命硬伤,如何设计好产品的ESD,是需要花很多时间和精力来研究的。下面通过几个实例来和大家一起分享下。某智能手表在侧键附近打ESD后出现反复开关机现象根据反复重启的时间判断,类似于长按Power键。检查Power_On信号,发现已经被持续拉低,Power_On信号的原理图如下:为了降成本,位置1并没有贴TVS管,而是用一个电容代替,电容的耐压值是25V。失效的机器,这个电容已经短路,可以判断ESD进入壳体,直接打坏了位置1的电容。如果把位置1的电容耐压提高到50V,能抗的ESD
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ESD
静电释放
电磁兼容
一、什么是ESD?ESD代表静电放电。许多材料可以导电并积累电荷。ESD 是由于摩擦带电(材料之间的摩擦)或静电感应而发生的。每当发生这种情况时,物体都会在其表面形成固定电荷(静电)。当这个物体放置得太靠近另一个带电物体或材料时,电压差会导致电流在它们之间流动,直到恢复电荷平衡。因此,可以将静电放电定义为两种带电材料或物体之间由接触、短路或电介质击穿引起的瞬时电流流动。对于消费类产品,ESD 和空气中的介质击穿通常发生在两点之间的电场大于 40 kV/cm 时。气压、温度和湿度等因素会影响电场强度。例如,
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ESD
PCB设计
强茂推出最新一代的静电保护组件——第二代ESD保护二极管,结合了高效率和低漏电流的特点。经10 GHz频率测试,此系列产品的插入损耗数值为-0.25 dB至-0.38 dB之间。此外,第二代ESD保护二极管具有超低的结电容值 (Cj),范围从0.09 pF到1 pF,并拥有2.6 V到11.6 V的低静电钳位电压,能够有效降低静电放电对电子设备的损害与能量消耗。 为满足现代电子产品的小型化需求,此新系列产品采用多种封装形式,包括节省空间的DFN0603-2L、DFN1006-2L、DFN1006
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强茂
ESD
高速应用
低耗损
低电容极限
美国加州时间2024年7月15日,SEMI旗下技术社区电子系统设计联盟(ESDA)在其最新的《电子设计市场数据报告》(EDMD)中宣布,2024年第一季度电子系统设计(ESD)行业销售额从2023年第一季度的39.511亿美元增长了14.4%,达到45.216亿美元。与前四个季度相比,最近四个季度的移动平均值上涨了14.8%。SEMI电子设计市场数据报告执行发起人Walden C.Rhines表示:“2024年第一季度,EDA行业销售额持续强劲增长。所有产品类别都有所增长,包括计算机辅助工程(CAE)、I
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ESDA
ESD
销售额
EDA
一直想给大家讲讲ESD的理论。但是由于理论性太强,如果一些器件理论不懂的话,这个大家也不要浪费时间看了。任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫。静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。
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ESD
静电放电
电路设计
随着电子器件在汽车和其他产品上的应用越来越广泛(智能化),芯片的集成度也越来越高、体形也越来越小、研发的难度也越来越高,这些器件通常具有线间距短、线细、集成度高、运算速度快、功耗低和高输入阻抗的特点,这也导致了这类器件对静电的要求越来越高。其中涉及到的标准为:ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能,都会使用TLP 测试,除了使用标准的TLP脉冲发生器之外,还需要使用示波器对其脉冲进行
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ESD
TLP
随着电子器件在汽车和其他产品上的应用越来越广泛(智能化),芯片的集成度也越来越高、体形也越来越小、研发的难度也越来越高,这些器件通常具有线间距短、线细、集成度高、运算速度快、功耗低和高输入阻抗的特点,这也导致了这类器件对静电的要求越来越高。其中涉及到的标准为:ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能,都会使用TLP 测试,除了使用标准的TLP脉冲发生器之外,还需要使用示波器对其脉冲进行
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ESD
保护设计
传输线脉冲
TLP
数十年来,以太网广泛应用于工业和计算网络,但如今,越来越多地部署到汽车应用,取代了控制器局域网络(CAN)等传统网络。汽车以太网提供拓扑灵活性、高带宽和稳定的通信,能够满足原始设备制造商(OEM)从域向区域网络架构过渡期间的车内数据通信需求。本文首先讨论各种汽车以太网标准,然后再考虑它们必须符合的严格静电保护(ESD)和电磁兼容性(EMC)标准。最后介绍 Nexperia(安世半导体)的一系列元件,汽车 OEM 可利用这些元件确保车辆网络在发生 ESD 事件时得到全面保护。汽车以太网标准2016 年,开放
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安世半导体
汽车以太网
ESD
控制器局域网 (CAN) 是许多汽车应用中广泛使用的通信协议。如同任何其他外露连接器接口,CAN 接口会发生高压瞬变事件,如静电放电 (ESD)。在 CAN 总线连接器上安装 ESD 保护二极管,不仅能够保护 CAN 收发器,还能够保护所有下游和相邻系统免受 ESD 耦合能量的影响。为了确保稳健的系统级保护,了解 CAN 总线的基本工作条件以及如何为 CAN 总线选择合适的 ESD 保护二极管非常重要。
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汽车
CAN 总线
ESD
如今,电路板设计人员面临着多种 ESD 保护选择。设计人员通常会受到某些限制的限制,例如他/她的应用可以承受的寄生电容量或电路板必须通过的所需 ESD 级别。通常,这些限制不会将可用的 ESD 设备数量缩小到可管理的列表。本白皮书将为设计人员提供指导,帮助他/她选择 ESD 器件,从而地实现成功的设计。如今,电路板设计人员面临着多种 ESD 保护选择。设计人员通常会受到某些限制的限制,例如他/她的应用可以承受的寄生电容量或电路板必须通过的所需 ESD 级别。通常,这些限制不会将可用的 ESD 设备数量缩小
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ESD
DFN双面无引脚封装, 因其封装体积小,形式简单,高引脚密度,热管理和防干扰能力佳,稳定性和可靠性高等优点,被广泛应用于各种需要小型化设计的应用场景,如移动设备,笔记本电脑,TWS耳机等。 矽力杰致力于开发高性价比的DFN封装ESD防护芯片。通过定制化晶圆工艺、器件开发,与封装厂深度合作的特殊设计,以及供应链优化升级,使得矽力杰DFN封装ESD产品具有了极佳的性价比。优秀的成本表现,高性能的ESD保护效果,矽力杰DFN ESD 产品也因此受到广大客户青睐,广泛应用于各种电子产品终端。
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矽力杰
ESD
保护芯片
我们都知道,TVS产品的主要作用之一就是用来吸收ESD能量并钳位,保护我们的后级芯片或电路不受其冲击影响。所以我们在选型的时候需要特别关注的一点,就是TVS的ESD钳位参数。其钳位参数的重要性我们在之前的文章中都有提过了,今天我们就和大家一起聊聊ESD的波形图的一些事儿。01 IEC 标准ESD波形图ESD波形ESD波形参数IEC 61000-4-2中明确规定了ESD的波形图及其参数,如图所示。其上升时间非常快,第一个尖峰在0.7~1ns之间,第二个尖峰在30ns,而整个事件持续时间为60ns。ESD事件
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Semtech
TVS
ESD
在日常生活中,人们触摸车门时偶尔会感到手指刺痛或静电冲击,这感觉仅会令人不快;但对于一些电子组件,遇上静电放电(ESD)可能意味着完全失效。半导体结构越微小,模拟和数字I/O引脚的阻抗越高,便越容易受到静电放电(ESD)的影响。可能的后果包括p/n结的热击穿、氧化物击穿(电介质击穿),以及金属化层的熔化。目前电子组件大约占据一辆汽车总价值的三分之一,而且这个比例还将上升。汽车中17%的半导体故障是由静电放电(ESD)造成的,因而必需采取适当的ESD保护措施。在日常生活中,人们触摸车门时偶尔会感到手指刺痛或
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儒卓力
ESD
【2023 年 4 月 6 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出新款双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,以满足市场妥善保护高速数据端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以满足保护静电放电 (ESD) 冲击和突波事件。这款产品的主要应用为高效能运算硬件、智能型手机、笔记本电脑和平板电脑、显示器及游戏机的 I/O 端口。虽然许多竞争产品必须在设计上做出折衷,择一选择强大的突波保护特性或低输入电容,D3V3Z1BD2CSP 可以同时提出这两项优点。它
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Diodes
TVS
ESD
突波保护
随着智能手机和TWS等移动设备日趋小型化和高功能化,设备和集成电路(IC)对ESD(静电放电)和浪涌的抗扰性越来越弱。此外,这些移动设备被要求支持触摸操作和可穿戴设计的机会也逐渐增多,因此采取ESD保护措施变得空前重要,这也极大地促进了ESD保护元件的应用。随着智能手机和TWS等移动设备日趋小型化和高功能化,设备和集成电路(IC)对ESD(静电放电)和浪涌的抗扰性越来越弱。此外,这些移动设备被要求支持触摸操作和可穿戴设计的机会也逐渐增多,因此采取ESD保护措施变得空前重要,这也极大地促进了ESD保护元件的
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TDK
LED
ESD
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,采用新一代Cyllene 2 IC升级红外遥控应用TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和 TSOP77xxx系列红外(IR)接收器模块。配置新型IC旨在确保产品长期供货并缩短交货期,有助于设计人员大幅降低更宽电源电压范围内的供电电流,同时提高抗ESD和阳光直射的可靠性。日前发布的增强型Vishay Semiconductors接收器可用于电视机、机顶盒(STB)、音响和游戏机、空调等电器,以及
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Vishay
红外接收器
ESD
在电子产品开发中ESD静电防护是不可或缺的一环,下面就为大家简单介绍一下,核心板产品开发时有用的ESD二极管知识和技巧。ESD管的介绍ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元器件,又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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ZLG
嵌入式
ESD
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带,浪涌抗扰度出众,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia开发了TrEOS产品组合,专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
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Nexperia
高速数据线
TrEOS
ESD
保护器件
TDK的多层贴片式压敏电阻产品阵容齐全,可保护设备因受ESD(静电放电)影响而引发的故障和误动作,能帮助客户有效解决ESD问题。但随着用户设备的小型化、轻量化和高功能化,以前效果出众的多层贴片式压敏电阻产品也出现了无法充分发挥保护效果的情况。为了查明原因,我们以客户设备的小型化为前提进行了ESD实验,本期推文就来为您详细介绍通过此次实验得出的各数据与结果。5G技术的发展实现了设备之间的相互协作和实时通信,也对设备的设计提出了更高的要求,比如更小、更轻、更低功耗、更高功能、长期运行、高可靠性、更高的EMC耐
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TDK
ESD
ESD,是静电放电(Electrostatic Discharge)是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是一种常见的近场危害源,可形成高电压,强电场,瞬时大电流,并伴有强电磁辐射,形成静电放电电磁脉冲。静电的来源在电子制造业中,静电的来源是多方面的,如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。人体是最重要的静电源,这主要有三个方面的原因:1、人体接触面广,活动范围大,很容易与带有静电荷的物体接触或摩擦而带电,同时也有许多机会将人体自身所带的电荷转移到器件上或者通过器件
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ESD
静电放电
将一个电容充电到高电压(一般是2kV至8kV),然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件(图1)。电荷的极性可以是正也可以是负,因此必须同时处理好正负ESD两种情况。 (1)HBM(Human Body Model),人体放电模型; 指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时,产生的ESD现象。 人体等效电阻约1500欧姆,等效电容值为lOOpF,Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~10ns范围内,持续时间在150~200ns范围内
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ESD
静电放电
ESD(Electrostatic discharge),中文释义为静电放电。 造成静电放电有多种原因,但最常见的是静电和静电感应。静电通常是通过摩擦充电产生的,而静电感应则是作为物体的电荷重新排列而产生的。通常,当一个物体的表面获得负电子而另一个物体失去电子并带正电时,就会产生摩擦充电。当带相反电荷的物体相互接触时,电子传递能量然后分离,形成一种电荷接触带电。 在工业生产中静电放电会导致两种类型的电气设备损坏,具体如下: 灾难性的:造成永久性伤害。 潜伏性的:几乎检测不到,已经对组件造成损伤
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ESD
静电放电
记得小学时候的自然课上老师用冬天脱毛衣时的火花向年少的我们描述静电的情形,那时候不禁对大自然肃然起敬。没想到很多年之后学习集成电路课程,又一次跟静电有了接触,只是这一次没有年少时的轻松与愉悦。静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)很容易造成电子元件或电子系统遭受过度电应力而被永久破坏。静电放电破坏的产生,大多数是由于人为因素造成的,但又很难避免。在芯片制造、生产、测试、搬运等过程中,静电会积累在人体、仪器、设备之中,甚至芯片本身也会积累静电,这些静电一旦在某些情况下形放电通路
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ESD
静电放电
esd介绍
ESD的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写
ESD知识介绍
静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。
人体自身的动作或与其他物体的接触,分离,摩擦或感应等因素,可以产生几千伏甚至上万伏的静电。
静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两 [
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