全球DRAM现货价16日正式跌破1美元重要心理关卡，以目前现货报价及DRAM厂每月产能状况推估，台DRAM厂力晶、茂德及南科3雄每月合计将蒙受约1亿美元损失，且未来亏损数字恐持续扩大，若2007年底前DRAM现货价无法翻扬，初步估计台DRAM3雄从现在起到2007年底前总共将亏掉新台币100亿元以上，其中，以力晶处境最为不利。
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据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称，全球半导体大型设备开支增长速度正在减缓，这种低迷的状况预计将持续到2008年第一季度。2007年全球半导体大型设备开支总额将达到437亿美元，比2006年增长4.1%。2008年全球半导体大型设备开始预计将比2007年增长0.3%。 Gartner分析师称，2007年全球半导体大型设备开支的增长将影响到2008年的增长。2008年半导体大型设备的开支将勉强实现正增长，晶圆加工设备的开支将出现小幅度的负增长。后端设备市场的前景仍是正增长。 Gar
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地时间本周二，日本索尼和德国芯片制造商奇梦达宣布，它们计划建立一个芯片设计合资机构，开发消费电子和游戏机使用的DRAM储存芯片。 两公司在一份联合声明中称，新的合资机构称为 Qreatic Design，计划在今年年前在东京成立，在由双方30名专家组成的芯片设计合资公司中，两公司将各自拥有50%的股份。合资公司主要开发高性能、低能量消耗、嵌入式的、明确用于消费电子产品的DRAM芯片。 奇梦达是全球最大的DRAM储存芯片制造商之一，尽管索尼内部拥有它自己的芯片设计
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DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以来由于市场需求不振以及买卖双方抱持观望的态度，使得价格持续缓跌。然而当DDR2eTT价格跌破5月低点后，部分分销商及模块厂开始备货，使得现货价格出现反弹，间接带动了些许买气。而合约市场方面，由于现货价格快速下跌，加上PCOEM厂商已经备足旺季所需的库存水位，因此部份OEM厂商于9月上旬所谈妥的合约数量有砍单的动作。
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据国外媒体报道，所有想为自己电脑增加更多内存的人都赢得了来自DRAM行业的礼物--激烈竞争使得内存价格猛跌，行业分析师预测，DRAM价格还将进一步下降。 使用最广泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合约价格已比两周前下跌了12.5%，周二时跌至1.75美元，创下了DRAMeXchange今年记录的新低。DRAMeXchange公司运营一家对内存芯片进行网上交易的网站。 这条重大新闻将对用户产生三个重大影响：第一，DRAM价格下跌将增加惠普和戴尔这类电脑制
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高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。
计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快，但是内存过热的风险也随之增加。温度传感器可以监视内存温度，为中央处理器调整数据流量和采取防过热措施提供依据，因此温度传感器在系统设计中变得更为重要。
STTS424是一个独立使用的数字温度传感器芯片，而STTS
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2001年DRAM市场价格崩溃以来，经历了市场恶化最严重的半年后，2007年下半年DRAM市场开始重现谨慎乐观气氛，预计2007年下半年销售价格将一路走高。下半年的乐观因素包括返校带来的销售高峰，以及季节性假日需求来临，其它具体原因还包括：2007年PC出货量预计增长12%，内存平均容量为1.4GB，比2006年的平均800MB内存增长75%。2007年第2季度，预计每台电脑平均内存容量为1.3GB，2007年第3季度预计达到1.4GB，2007年第4季度发展到1.6GB。一些DRAM供应商相信，到200
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闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。 DRAM报价一片涨声 根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价
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根据iSuppli公司的正式消息，NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的，并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地，供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 与2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND闪存的平均定价有望下降35%到40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失，该市场有史以来第一次发生这样的事情。 经济学101法则 需求对降价呈现弹性的响应，市况恶劣的主要原因在于NAND供
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2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技（Ramaxel Technology Ltd）和勤茂科技（TwinMOS Technologies Inc.）产品销量迅猛增长，增长率分别达到85%和127%。 中国的记忆科技公司不仅是给全球排名第四的PC制造商联想直接供货的OEM，而且是PC制造业龙头惠普公司的模块供应商。其营收和出货量增长均与HP市场份额的上升保持一致。 台湾勤茂的增长受益于它和中国模块分销商的合作，它们让其享受到中国经济高速增长推动PC组装
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根据集邦科技(DRAMeXchange)所发表的最新内存市场报告指出，上周DRAM现货报价受到三星停电事件影响而短暂走高，但后续追价力道不强，使得部份库存较多的分销商反手杀出手中的库存。集邦表示，DDR2 eTT报价在上周五(10号)再度跌破2美元关卡到1.93美元。 集邦表示，时序进入传统PC销售旺季，但DRAM现货市场终端需求始终没有明显放大，尤其往年七月份是中国大陆地区的销售旺季，但如今需求也显得十分冷清。尽管现货市场需求已较上个月回温，但仍不足以刺激现货市场价格。 至于合约市场部分，八月
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海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。为确保这项优势，两家公司已经投入相当大的工程资源共同开发该项目。 Z-RAM最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处
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从国外媒体处获悉：当地时间本周四，由于计算机内存芯片价格大幅上涨，包括韩国现代半导体在内的主要亚洲芯片生产商股价均呈现不同程度的上涨。
根据DRAMeXchange公布的数据显示，本周三512MB DDR2内存的现货价格上涨17%，这同时也是疲软的内存市场近期出现的罕见的价格反弹现象。由于产量增加再加上市场需求低于预期，今年DRAM芯片价格大幅下滑，各大内存芯片厂商也因此受到不同程度影响。
业内分析人士指出，本周三内存现货价格反弹可能也只是暂时现象，但同时也坚定
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据外电报道，市场研究公司iSuppli称，2007年第二季度对于DRAM内存芯片厂商来说是非常可怕的一个月。DRAM内存芯片严重的供过于求使全球十大DRAM内存芯片供应商中有九家供应商的销售收入大幅度下降，尽管这些供应商的出货量增长了。 受到打击最大的是排名第二位的海力士半导体。海力士第二季度的DRAM内存芯片销售收入为15.2亿美元，比第一季度下降了29.7%，尽管海力士的出货量比第一季度增长了22%。 Elpida的DRAM内存芯片销售收入为8.85亿美元，比第一季度下降了24
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7月26日消息，据最新一份市场调查报告，如果按照公司营收标准计算，内存制造商金士顿在全球记忆体模组（DRam）供应商排行榜上名列第一。
据vnunet报道，此份调查报告由iSuppli提供，凭借产品利润率方面的优势，在2006年中金士顿公司创造了DRam产品总销量22亿美元的新纪录，几乎比前一年提高了8亿美元。按照该数字计算，金士顿公司在全球市场的占有率攀升到了18.1％，几乎是市场第二名Smart Modular科技公司的三倍之多，后者只有可怜的5.5％。“能够成为iSuppli排行榜上的第
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dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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