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Gartner下调全球半导体市场增长率至3.4%
- 据报道，在芯片需求走软价格下跌的情况下，市场调研机构Gartner下修全球IC产业营收增长率至先前预测值的二分之一。 去年12月，Gartner曾預估全球2008年IC市场将有6.2%的增长;但是在最新的预估中，修正至3.4%。 根据Gartner分析，2009-2012年IC市场增长幅度分别为9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。 然而，什么原因使2008年的预估表现下降?Gartner表示，市场中有许多不乐观的迹象，首当其冲的就是美国经济的疲软甚至衰退。
- 关键字： DRAM
芯片价格下滑 现代半导体Q4亏损5亿美元
- 据国外媒体报道，全球第二大储存芯片制造商韩国现代半导体周五公布去年四季度财务报告称，由于芯片价格下降，公司在超过四年的时间里首次出现亏损。 现代半导体表示，在12月31日结束的第四季度，公司亏损了4650亿韩元(约合4.928亿美元)，这是自2003年第二季度以来现代半导体首次出现的亏损。而2006年同期公司盈利1万亿韩元。 由于使用在计算机上的DRAM储存芯片和使用在数码相机上的NAND闪存芯片价格下滑，四季度现代半导体的销售收入从2006年同期的2.61万亿韩元下降了29%为1.85万
- 关键字： 储存 芯片 DRAM
奇梦达;消费电子将取代PC成内存主要推动
- 内存厂商奇梦达(Qimonda)上一季度的销售额出现了大幅下滑。在该公司的年度股东会议上，奇梦达的首席执行官罗建华对未来发表了谨慎乐观的预测，并称消费电子将取代PC市场成为行业的主要推动力。 在向股东的发言中，罗建华表示，在过去一年中主流内存芯片(DRAM)产品的平均售价下跌将近80%，这是奇梦达销售大幅减少的最主要原因。单在12月份的这个季度里，价格就下跌超过四成。“这是内存芯片行业历史上最严重的一次价格滑坡，”罗建华说。 根据罗建华的分析，价格急剧下降的原因是供
- 关键字： 内存 奇梦达 DRAM
全球DRAM厂亏损持续扩大
- 尽管DRAM价格暂止血，但全球DRAM厂亏损黑洞却持续扩大，为抢救当前重大危机，包括国际大厂及台系DRAM厂纷纷被迫出招应对，其中，全球第3大DRAM厂奇梦达(Qimonda)旗下位于亚太唯一自建12英寸厂，目前已确定将暂停机器设备移入；至于同样面临极大压力的台厂，则传出茂德决定在中科12英寸厂岁修时程将破天荒长达10天。台DRAM厂坦言，目前全球DRAM产业链的库存非常够用，尽管拉长岁修时程对整体供需帮助不大，却凸显各DRAM厂面对亏损扩大压力，纷纷展开应变措施。 现阶段对于DRAM厂而言，投资建厂
- 关键字： DRAM 半导体 Qimonda
Hynix预测：DRAM芯片市场将在二季度出现反弹
- 全球第二大存储芯片制造商、韩国Hynix半导体日前表示，预计到今年第二季度其主要业务——电脑存储芯片市场将出现反弹。 在美国拉斯维加斯参加2008 CES上，Hynix半导体公司首席执行官Kim Jong-kap发表了上述观点。 他称，“此前，电脑储存芯片市场一直处于低迷状态，持续了大约15个月。而新一轮的低迷态势从今年一月份开始，预计这一状态还将延续一段时间。我们认为从今年第二季度开始，存储芯片市场将会陆续出现反弹
- 关键字： Hynix DRAM 芯片市场
奇梦达开始供应首款512Mb XDRTM DRAM 样品
- 奇梦达公司宣布已开始向客户供应首款512Mb XDRTM DRAM的样品。XDRTM (Extreme Data Rate) 内存解体决方案扩展了奇梦达的绘图RAM产品组合，以针对全球成长快速的计算机和消费性电子市场，提供更佳的高效能、高频宽应用。 奇梦达公司绘图产品事业部副总裁Robert Feurle表示：“我们对与Rambus公司签订技术授权合约一年内，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常骄傲。XDRTM DRAM对于奇梦达的高效能DRAM产品组合而言，是一项高价值的延伸，同时也在
- 关键字： 奇梦达 DRAM XDRTM MCU和嵌入式微处理器
DRAM制造商将减少内存现货供应 力争稳定价格
- 【eNet硅谷动力消息】12月29日消息，来自中国台湾DRAM制造商的消息来源称，由于DRAM合约价格继续下跌，DRAM制造商们打算缩减现货市场的供应数量，以便稳定内存市场的整体价格环境。此举意在避免合约市场中DRAM价格的急剧下跌。 正如人们预期，DRAM合约价格一直在保持着下降趋势。内存交易机构DRAMeXchange的数据表明，主流产品DDR2芯片合约价格持续下滑 10%。在12月下半月，512MB DDR2-667的收盘价格为0.88美元，而1GB芯片收盘价格是1.75美元。到12月2
- 关键字： DRAM
2008：巨型晶圆厂初露锋芒
- 以DRAM和Flash为代表的存储器平均销售价格(ASP)自去年年初以来经历了令人震惊的下滑。随着现货价格与合约价格不断创下新低，价格压力充斥着整个上一季度。由于价格走低，对于NAND闪存等存储器的需求正在升温。呈井喷之势的预测数字显示出我们当前正处在黎明前的黑暗阶段，一个巨大而不断增长的市场即将出现。某些预测显示NAND闪存需求量将从2006年7,370亿兆字节增长至2011年的33.5万亿兆字节。 大举扩产NAND闪存 低价同时也推动了需求的增长，使得部分厂商出现供给不足。以东芝(To
- 关键字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微处理器
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]
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