- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价，调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期，DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测，市场消息传出，全球DRAM市占率达四成的三星，将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元，换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右，并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低，市场需
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三星 DRAM
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价，调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期，国内DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测，市场消息传出，全球DRAM市占率达四成的三星，将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元，换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右，并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低，市
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三星 DRAM
- PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
- 虽然较大尺寸晶圆的生产材料和技术成本高于小尺寸晶圆，但由于较大晶圆可以切割出更多的芯片，因此经验显示，就每单位芯片成本而言，大尺寸晶圆技术至少会比小尺寸晶圆降低20%。
然而在实务上，要采用大尺寸晶圆生产技术，业者必须要先行投入大笔经费。因此在资金和技术的障碍下，各业者往往会采用将现有技术进行效率最大化的方式进行生产，而不是对新开发的大尺寸晶圆生产技术进行投资。
以最新18吋(450mm)晶圆生产技术的采用为例，就正处于这样一种状况下。根据调研机构ICInsights最新公布的2015~2
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晶圆 DRAM
- 虽然大陆景气疲软，2015年韩国存储器厂的业绩展望相对明朗。然大陆智能型手机需求缩减，2016年移动DRAM价格可能下滑，2016年前景反而不透明。
据ET News报导，全球排名前一、二名的DRAM制造厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年业绩可能会与当初预期相近，或小幅提升。近来大陆景气迅速萎缩，但对下半年暂时不会有太大影响。
三星下半年IT及移动装置(IM)事业部业绩可能下滑，但半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部的存储器和系统晶
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存储器 DRAM
- 由于对DRAM过于依赖，近年来英特尔半导体龙头地位摇摇欲坠，现在英特尔似乎下决心要扳倒后进：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亚历山大。
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Intel DRAM
- 全球第二大DRAM厂南韩SK海力士昨(25)日宣布，规划斥资31兆韩元(约259.4亿美元、约新台币8,300亿元)，在南韩兴建两座新厂，预计2024年前竣工。近期DRAM价格好不容易出现止跌讯号，市场忧心，SK海力士大举扩产，长期将再度使得产业陷入供过于求。
外电指出，投资人正密切留意记忆体厂新的资本投资，因为大规模的支出可能导致供给过剩，或引爆价格战，这对三星、SK海力士、华亚科(3474)、南亚科等业者都将不利。
受市场忧心SK海力士大举扩产影响，南亚科昨天股价在台股大涨逾265点下
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海力士 DRAM
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，DRAM市场第2季受到合约均价大幅衰退约10%的影响，虽然位元产出量持续增长，总产值仍呈现4.8%的季衰退，来到114亿美金。在淡季影响下，各DRAM厂营收都呈现衰退走势，然而由于制程持续转进，毛利并未大幅缩减，三星、SK海力士与美光的DRAM产品别营业获利比例分别为48%、37%与21%，因此DRAM产业真正的考验将会落在未来的几个季度。在需求端如笔电与智慧型手机领域持续疲弱，但供给端来自20nm/21nm的比例将持续提升，该机构
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三星 DRAM
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，DRAM市场在 2015年第二季受到合约均价大幅衰退约10%的影响，虽然位元产出量持续增加，总产值仍呈现4.8%的季衰退，来到114亿美元。
在淡季影响下，各DRAM厂第二季营收都呈现衰退走势，然而由于制程持续转进，毛利并未大幅缩减，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的DRAM产品别营业获利比例分别为48%、37%与21%，因此DRAM产业真正的考验将会落在未来的几季;在需求端如笔电与智慧型
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DRAM 三星
- 犹如国内股市，今年内存持续降价，已经降回多年前的低位。但现在坏消息来了，世界上最大的内存颗粒生产商三星宣布将降低DRAM颗粒的生产量，下个月可能会引起内存的价格反弹。
据台媒CTIMES News报道，三星将降低30%的普通DRAM颗粒产量，以腾出生产线用于生产手机用的LPDDR内存颗粒，预计在8月到9月，普通内存的价格将会提高。
传闻苹果的新一代iPhone将搭载2GB LPDDR4内存，这意味着苹果需要采购比去年更多的内存颗粒，而现有的供应商海力士和镁光无法
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三星 DRAM
- 据记忆体市调机构DRAMeXchange最新报告显示，第3季初伺服器用记忆体整体市场需求仍未见回温，在需求端拉货力道不振下，即便原厂力守价格，代理商对市场信心依然持续减弱，并出现降价求售，使整体市场价格出现明显松动。
DRAMeXchange分析师刘家羽表示，由于PC端需求依旧疲软，标准型记忆体跌价幅度持续扩张，也使得伺服器用记忆体价格跌幅收敛受阻。
受DDR4跌价冲击，DDR3价格下杀幅度趋明显，7月底 8GB/16GB均价来到64与116美元，月跌幅达5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM DDR4
- 凭借着Galaxy系列智能手机在市场中的巨大成功，三星电子过去四年通过与苹果争夺高端智能手机市场收获了数十亿美元。不过这家韩国科技巨头的前景并不乐观，因为为了在中低端市场抵御来自小米、华为等中国智能手机制造商发起的冲击，该公司已被迫下调产品价格，并接受降低手机部门利润率的现实。
三星电子当前所面临的现实，是这家公司无法摆脱与低成本竞争对手共同采用Android操作系统的窘境，而后者已能够自主开发出功能更多的智能手机。Stratechery.com分析师本·汤普森(Ben Thomp
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三星 DRAM
- 据记忆体市调机构DRAMeXchange最新报告显示，第3季初伺服器用记忆体整体市场需求仍未见回温，在需求端拉货力道不振下，即便原厂力守价格，代理商对市场信心依然持续减弱，并出现降价求售，使整体市场价格出现明显松动。
DRAMeXchange分析师刘家羽表示，由于PC端需求依旧疲软，标准型记忆体跌价幅度持续扩张，也使得伺服器用记忆体价格跌幅收敛受阻。
受DDR4跌价冲击，DDR3价格下杀幅度趋明显，7月底 8GB/16GB均价来到64与116美元，月跌幅达5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM DDR4
- 市场传出，DRAM龙头三星半导体计划减产三成标准型DRAM，产能转为生产行动式记忆体(Mobile DRAM)，以因应苹果新机出货，同时通知OEM厂8月起不再调降标准型DRAM售价。法人预期，盘跌近七个月的DRAM价格可望止跌回升，华亚科、南亚科及华邦电等DRAM族群营运可望再起。
苹果供应链透露，苹果新款iPhone 6s与6s Plus，将搭载A9 升级版处理器与2GB LPDDR4 Mobile DRAM，搭载记忆体由1GB升级到2GB，容量倍增，原有供应商美光和SK海力士无法满足供货，因
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三星 DRAM
- 美光(Micron)与英特尔(Intel)合作非挥发性存储器(NVM)新技术3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，业界传出该技术不仅将导入固态硬碟(SSD)，台系NAND Flash控制芯片业者慧荣更已加入3D XPoint计划，成为首家控制芯片供应商，2016年抢先导入SSD。不过，相关消息仍待慧荣正式对外宣布。
存储器业者表示，包括美光和英特尔的IM Flash阵营对于3D XPoint技术并未揭露太多资讯，业界推测可能是一种称为可变电阻式存储器(ReRAM)的新
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DRAM NAND
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