- 大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)原本预定2016年要在大陆西安半导体工厂进行第二阶段的投资，日前传出这项计划目前处于保留状态。业界预估，2016年将会进入记忆体7年来最糟的供需不平衡情况，加上东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)等纷纷增设NAND Flash工厂，也使三星开始担心供货量剧增的恶性竞争情况。
目前三星电子西安工厂只使用整体腹地(约34万坪)的5分之1，而且以目前的设备来说，已经到达最大产能，所以南韩业界原本认为，三星将在2016年内
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三星 DRAM
- DRAMeXchange公布去年第4季DRAM统计报告，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，第4季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季减9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，去年第4季虽有苹果iPhone 6s出货加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅转进20奈米制程，都让产出持续增加，使得当季DRAM价格持续下修。
三星依然是DRAM产业的龙头，虽然DRAM营收下跌9.7%至47.6亿美元，
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DRAM 三星
- 存储芯片在新一代信息技术产业中扮演着重要角色，但前5家公司高度垄断全球市场，我国发展存储芯片产业关乎国家安全，意义重大。
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美光 DRAM
- 大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂，并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式，由紫光出资建厂，再邀请美光等国际大厂入股，解决技术授权问题。
据了解，此计画由前华亚科董事长、现为紫光集团执行副总裁的高启全亲自操刀，业界盛传，日本前尔必达总裁坂本幸雄亦有意加入。
大陆官方自前年成立国家积体电路产业投资基金(简称大基金)后，就有意投入自建记忆体供应链，但不论是DRAM或NAND Flash，主要制程专利及矽智财都掌握前国际大厂手中，因此，率先表态要自建记忆体产能的紫光集团，由
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紫光 DRAM
- 经济部统计处资料显示，台湾集成电路业产值虽持续成长，但去年增率却是近三年来首见个位数成长，也结束自2011年以来的上升走势，台湾经济部指出，去年台湾DRAM产值成长由正转负，加上晶圆代工成长下滑，整体集成电路业产值年增率仅6.2%。
台湾集成电路产值在2014年产值突破兆元大关，去年上半年延续荣景，较前年同期成长23.9%，但下半年因全球经济复苏力道疲弱，尤其新兴市场需求明显下降，抑制终端消费性电子产品销售成长动能，下半年衰退7.9%。
去年集成电路业产值增率6.2%，是自2011年低点反
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DRAM 晶圆
- 清华紫光集团所属的清华控股董事长徐井宏，昨天在瑞士达沃斯的世界经济论坛现场，接受彭博访问时坦承，由于美国主管机关竖立的障碍，美光投资案过关的机会渺茫，但紫光集团仍持续推动与美光或其他公司的合作，希望藉此在记忆晶片与IC领域取得突破。
他表示，紫光集团可能寻求其他与美光的合作方式，例如成立中美合资企业。
徐井宏也透露，清华紫光集团旗下的3大平台之中，主攻DRAM的同方国芯，今年将投下约2000亿人民币，再买下两家海外IC业者，但没有透露可能购并对象。
徐井宏也提到，2016紫光集团的海
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紫光 DRAM
- 三星电子2016年1月19日宣布，已开始量产HBM2标准(HBM：High Bandwidth Memory，高带宽内存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固态技术协会12日刚刚宣布HBM2成为JEDEC标准“JESD235A”。
HBM2标准的DRAM芯片的结构。
按照HBM2标准，DRAM芯片内可纵向层叠最大8Gbit的存储器裸片，裸片之间通过TSV(硅通孔)连接。三星于2014年8月发布了配备36颗2GB DRAM的64GB服务器用
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三星 DRAM
- 日前美光(Micron)公布最新1季结果表现不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息传出后造成股价下跌5%，也让众多分析师跌破眼镜。
评论认为，由于传统第1季是DRAM价格淡季，而且PC与移动装置带动DRAM成长有限，因此DRAM厂商表现黯淡早已可期，但也凸显美光必须考虑加强布局3D XPoint技术必要性。
据SemiWiki网站报导，DRAM已成为半导体产业最终普遍性产品，因此，相当容易受到供需平衡变化而导致价格改变。加上目前正处于需求弱但供应强阶段，因此，DRAM厂商欲求好表
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美光 DRAM
- 迅速迈向“大国”的中国也在世界上引发摩擦，自主的行为原则与现有的国际秩序不兼容，在经济减速局面下的经济改革时而动摇市场，中国的真实情况到底是什么呢。
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紫光 DRAM
- 2016年中国持续发展半导体的策略不变，仍将有许多并购发生，记忆体方面更是中国发展的重点项目之一。
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DRAM
- DRAM市场供过于求，而分散营收的努力尚待开花结果，导致美光(Micron)最新一季营收、净利均大幅衰退，本季展望也并不乐观。
华尔街日报(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒体报导，美光于22日发布截至12月3日止的2016年会计年度第1季财报，营收衰退26.74%至33.5亿美元，净利衰退79.46%至2.06亿美元。
在展望方面，美光预测本季营收将介于29亿~32亿美元间，每股将亏损0.05~0.15美元，双双低于路透(Reuters)预估的34.6亿美元及0.22美元的每股盈余
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美光 DRAM
- 市场是开放了，技术依然要自己发展，包括华为等过去几十年发展起来的巨头没有一家是通过市场换技术换来而是通过自身努力崛起的。
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DRAM
- 美光这次算盘打得好啊，曲线救国了，这下有了筹码，再也不不用提心吊胆了。
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美光 DRAM
- 韩国三星电子于2015年12月9日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲(论文26.5)。三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，该公司表示其特性非常良好，并表示“采用同样的方法，可以达到10nm工艺”。 最近，有技术人员指出DRAM的微细化极限是20nm。DRAM在单元中的电容器中储存电荷，对有电荷状态分配1、无电荷状态分配0，以此记录信息。但是，随着微细化发展，电容器的表面积越来越小，不能再如愿存储电荷。因此，业内通过将电容器做成细长的圆柱状来确保表面积，也就是
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