DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR。
说到这里，很多人可能会问SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么区别的?小编还是来简单普及下关于存储的基础知识吧。
ROM 和RAM指的都是半导体存储器，ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称，是一种只能读出事先
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DDR DRAM
受到第三季进入旺季需求带动，存储器、面板等关键零组件皆终止长期价格颓势。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，存储器在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下，DRAM与NAND Flash第四季价格预计将同步上扬，特别是DRAM合约价第四季估将再涨逾一成。
供应持续吃紧，DRAM市场至2017年维持健康供需状态
由于今年中国品牌智能手机表现超乎预期，服务器出货也受惠于中国大陆数据中心需求增温，下半年台系服务器代工厂
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存储器 DRAM
存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
继上周日系外资提高存储器厂美光(Micron)自每股16元的目标价到每股20元之后，30日另一家美系外资的最新研究报告也指出，在当前DRAM市场价格逐步回稳的情况下，加上美光逐步降低成本、提高每股获利的转变，也将美光的目标价由原本的每股18美元，提高至每股20美元的价位。
该外资报告一开始便提及，看好2016年以来DRAM市场的回温与产品价格的回稳，而且实际上的表现还比当时预估的要好一些。不过，在当前许多供应商的产能不足的情况下，2017年DRAM的供应依旧是吃紧的。尤其，是在3D NAND闪存
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美光 DRAM
在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破，据称可让PCM的运行速度较传统DRAM快上逾1,000倍以上。
据Techspot网站报导，所谓的相变化存储器运作原理，是指在低阻抗的结晶态及高阻抗的非结晶态两种物理状态下进行移动，虽然此技术在现今全球储存技术领域中已展现
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存储器 DRAM
8月27日消息，中国目前大力推动国内芯片产业发展，目标是在将来成为全球电脑芯片制造业的领军者。这一宏伟计划似乎遇到了难以逾越的障碍。
在2014年，中国就宣布将投资1000亿美元以发展芯片设计和制造产业，以期在未来占据行业头把交椅。大笔资金已经投入了新制造工厂的修建之中。但贝恩管理咨询公司(Bain & Company )的最新分析显示，中国仅仅依靠这1000亿美元的投资是无法保证自己在芯片行业取得领先的。
中国国有芯片制造企业XMC(武汉新芯集成电路制造有限公司)正大举兴建用于加
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芯片 DRAM
Hot Chip 2016大会上，内存技术突然成了一大热点，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继浮出水面，明后两年陆续就能见到。
这份发展规划主要来自存储大厂三星，美光也提出了一些想法，而新规范自然主要以提高速度、扩大容量、降低功耗为主。
DDR5内存的设想是单条容量最小8GB、最大32GB，带宽最高6.4Gbps，两倍于DDR4，而电压和当前的DDR4一样维持在1.1V，这在历史上倒是第一次。
美光计划2019年量产DDR5，三星
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DDR5 LPDDR5
今天，镁光正式公布了DDR5内存的详细规格。作为DDR4内存的继任者，DDR5内存在性能上自然要高出DDR4一大截。从镁光公布的文件来看，DDR5内存将从8GB容量起步，最高可达单条32GB，I/O带宽能达到3.2-6.4Gbps，同时电压1.1V，内存带宽将为DDR4内存的两倍。
此外，镁光还在芯片论坛上表示DDR5内存将从3200Mhz起步，主流内存频率可达6400Mhz。
同时，镁光还表示他们将在2018年成功流片DDR5内存样品，并将在2019年实现正式量产。
据业内人士估计
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镁光 DDR5
韩联社首尔8月17日电 据半导体市场调研机构DRAMeXchange消息，三星电子2016年第二季移动动态随机存储器(DRAM)的销售额同比增长19.4%至24.18亿美元，全球市场占有率升至61.5%，创下移动DRAM市场份额单独统计以来的历史最高纪录。
三星2015年后三季度的移动DRAM市场份额均未突破60%关口，分别为57.6%、56.9%、58.2%。继今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1个百分点。三星移动DRAM的市场份额更是比DRAM市场份额(47.4%)高出14.1个百分点
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三星 DRAM
DRAMeXchange最新报告指出，中国地区的智慧型手机出货依然强劲，DRAM三大厂同步调整产品类别，持续向行动式记忆体转进，伴随第3季强劲的旺季备货需求到来，预估第3季全球DRAM总营收将出现较显著的成长。
DRAMeXchange表示，因市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米产出顺利，带动位元供给成长，使得第2季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%。
三星在第2季的DRAM产业营收仍排行第一，营收季
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三星 DRAM
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给成长，第2季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%;三星、SK海力士、美光三大厂营收都成长，台厂部分，以华邦电( 2344-TW )营收季增3.3%表现最佳。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第2季笔记型电脑及伺服器相关产品出货动能表现一般，但中国地区的智慧型手
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DRAM
按IC Insight的最新IC市场观察报告，2016年因供过于求，导致全球DRAM的平均售价(ASP)下降16%，导致全球IC销售额下降2%。
由于PC，笔记本，及平板电脑，包括智能手机等的出货量减少，今年全球DRAM销售额下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高点，到2012年时的1.69美元。
IC Insight认为，一组DRAM的ASP曲线，从2007年开始象飞机飞过山谷时一样的起伏。预计在服务器及新智能手机等市场需求推动
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DRAM
受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米产出顺利，带动位元供给成长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米产出顺利，带动位元供给成长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%。
DRAMe
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美光 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单 价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给增长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿 美元，季增长6.3%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第二季笔记本电脑及服务器相 关产品出货动能表现一般，但中国地区的智能手机出货依然强劲，因此DRAM三大厂也同步调整产品类别，持续向行动式内存
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SK海力士 DRAM
全球业界首选光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批准对近期扩建的中国上海厂的下一阶段投资计划;该厂由TPI独资子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 运营。TPI将对此工厂再投资8000万美元以展现其对中国快速成长的半导体产业及客户之长期承诺。TPI先前已投资2000万美元扩建上海二厂(TPCS Shanghai II);该厂现已量产并且为中国唯一提供全方位技术及产品的商业光掩模厂。
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DRAM NAND
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