据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
赛普拉斯半导体公司今日宣布其一款用于支持瞬时启动应用的全新小尺寸存储器解决方案已验证成功。赛普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封装(MCP)解决方案在8mm x 6mm的空间内集成了赛普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存储器。该方案在一个低引脚数封装内结合了用于实现快速启动和随开随用高速NOR闪存，和用于扩展便笺式存储器的自刷新DRAM ，特别适合空间受限和成本优化的嵌入式 设计。 该解决方案可用于广泛的应用类别，包括
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赛普拉斯 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)被预估自2017年第2季开始，将全面采用20纳米或以下的制程技术生产所有移动DRAM产品，意谓2017年第2季以后三星也将停止采用25纳米制程技术生产移动DRAM芯片，由此显示出三星在制程技术上的加速演进。
韩联社等外媒报导，根据市场研究公司DRAMeXchange指出，据信在2016年第4季三星生产的移动DRAM芯片中，约94%已开始采用20纳米或以下纳米制程技术生产。
到目前三星移动DRAM芯片采20纳米制程生产比重为82%、18纳米为
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三星 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，DRAM原厂与一线的PC-OEM(代工)大厂敲定第四季度的合约价格，4GB模组均价来到17.5美元，较上月的14.5美元上涨逾20%;现货市场也依然维持强劲的上升格局，DDR3/4 4Gb价格分别来到2.46/2.48美元，较上月同期比较已上涨17%与24%，显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，观察市场面，由于原厂产能陆续转进行动式内存与服务器内存后，
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TrendForce DRAM
南韩冲刺半导体业组成国家队，由当地前两大厂三星电子和SK海力士领军，筹组总规模2,000亿韩元的“半导体希望基金”，投资具发展潜力的半导体相关企业。
三星、SK海力士是全球前两大存储器芯片商，单是DRAM领域，两大厂市占率总和超过七成，具有绝对制价与技术领先优势，两大厂领军筹组南韩“半导体希望基金”，预料以存储器相关业务为优先，台湾南亚科、华邦电等存储器芯片厂，以及正在兴起的大陆存储器产业，短线将面临更大压力。
业界人士分析，此次南韩的&ld
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半导体 DRAM
三星电子智能手机吃闷棍，力拼内存事业救业绩!据传三星为了稳固龙头地位，将在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM，对手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)远远落后，技术差距约为一年半。
BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM，准备在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM。同时，该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至 30~40%。相关人士说，明年三星 10 纳
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三星 DRAM
阿姆斯特丹自由大学(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全实验室VUSec Lab本周揭露了一个可能影响所有智能手机的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移动平台或程式上，而是藏匿在手机所使用的动态随机存取存储器(DRAM)中，将允许骇客取得手机的最高权限。虽然研究人员是以Android手机进行测试，但理论上该漏洞也会影响iPhone或基于其他平台的手机。
研究人员利用的是已知的Rowhammer硬体漏洞，并打造Drammer软体来执行攻击，发现包括LG、Motorola、
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DRAM ARM
市场研究机构IC Insights的最新报告将对2016年全球半导体市场营收的成长率预测，由原先的-2%提升为1%;此外该机构预测，2016年全球IC出货量成长率将在4~6%之间。IC Insights调升半导体市场成长率的很大一部分原因，来自于DRAM市场的强劲表现。
IC Insights指出，自2002年以来，全球IC市场在第三季平均季成长率为8%，但去年第三季市场成长率仅成长约1%左右;2016年第三季的IC市场成长率则出现了略为高于过去十五年平均值的9%。此外该机构预期，2016年第四
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存储器 DRAM
据ICInsight的最新预测，2016年全球半导体业的增长率将是1%，之前的预测为下降2%。它的最新预测为2016年增长1%，及2017年增长4%，而2016年IC unit(出货量)由之前预测增加4%，上升至6%。
IC Insight修正预测的原因是DRAM的价格将止跌回升。如DDR3 4Gb的价格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度达62%。如今由于智能手机及PC对于DRAM的容量需求上升，导致市场缺货，价格止跌回升。三星等又重新开始扩大投资，增加
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SMIC DRAM
行动装置的记忆体不断扩大!三星电子宣布，智慧机将进入8GB DRAM年代，该公司已经开始生产，外界预料将用于明年初问世的Galaxy S8。
韩联社报导，三星电子20日发布业界首见的8GB行动DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四个16Gb的LPDDR4 晶片组成。三星执行副总Joo Sun Choi表示，8GB行动DRAM的到来，可让次世代旗舰机的功能更上一层楼。
目前智慧机行动DRAM最大为6GB，记忆体加大可满足双镜头、4K萤幕、虚拟实境(VR)等的需求。三星并宣称，新品效能与当前
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三星 DRAM
半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。
“Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名，我
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Kilopass DRAM
10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)技术，简称VLT技术。据Kilopass首席执行官Charlie Cheng称，该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能颠覆目前的DRAM产业格局。
最适用于云计算/服务器市场的DRAM技术
Charlie Cheng指出，DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。然而当前
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VLT DRAM
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存储器 DRAM SDRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，随着DRAM原厂持续调整产出比重，标准型内存在供货持续吃紧下，九月合约价维持强劲上涨走势，均价已来到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成，创下两年来的新高点。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈，如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元，较上月同期已各上涨19%与15%，显见市场供不应求
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ddr5 dram介绍
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