- 虽然现在三星被业界贬低，但是我们不得不承认，其地位依然很强势。强大的半导体业务仍是三星的后盾，这些年来三星凭借该业务获益匪浅。三星去年遭遇手机品牌危机，虽然导致其智能手机业务遭遇滑坡，但是元件业务的完全可以弥补，直到现在三星依然是DRAM和NAND和SSD市场的老大，依然有价格主导权利。
不管是PC业务还是手机业务未来日子不好过的情况下，唯独DRAM内存、NAND闪存活的很滋润。我们看到在2016年下半年DRAM内存开始缺货，甚至涨价，据了解，DRAM涨价的主要推手是三星公司。众所周知，由于
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DRAM 三星
- 智能手机屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移动DRAM的需求，让三星、海力士等韩国两大存储器厂钱景一片看好。
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange周日发布报告预测，第一季DDR双通道存储器芯片报价今年第一季有望成长10-15%，为前一季3-7%的两倍多，反映市场供给吃紧的程度。
智能手机功能越来越多元，高分辨率的大屏幕手机更有赖于高密度DRAM模组驱动，如此才能实现类似PC的“多线程工作”。据传，三星今年推出的Galaxy S8手机其中一款
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三星 DRAM
- 中国台湾地区经济部工业局昨(17)日首度证实，全球DRAM大厂美光预计在台投资新台币1，300亿元，未来将落脚中部科学园区进行扩厂计划，预计将增加逾2千个就业机会。据悉，美光锁定中科进行新的3D封测制程，预估2-3年可量产，要打造成为亚太区营运中心。
工业局表示，去年协助美光在台扩大投资，总投资金额高达新台币1，300亿元，也就美光扩大投资所需土地、厂房、资金等提供协助，未来规划中科扩厂计划，将可增加2，000个以上就业机会，将台湾塑造为高效完整的DRAM全球生产基地。
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美光 DRAM
- 从2016年下半年开始，内存、闪存的缺货涨价势头开始上扬，2017年这一局面将继续扩散蔓延，而且一整年都未必会有改观。
据台湾经济日报报道，内存大厂金士顿近日表态，今年因为主要的DRAM内存大厂都没有增产计划，全年DRAM内存都面临缺货窘境。此外，群联公司董事长潘建成也强调，NAND闪存因为进入3D世代，制程良率无法提升，预计将缺货一整年。
日前，金士顿董事长陈建华出席群联竹南三厂上梁典礼时，针对DRAM内存市场进行了分析，他表示，目前主要DRAM内存大厂都没有增产计划
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DRAM 闪存
- 在长江存储，晋华项目和合肥长鑫这三大存储国产存储基地开建之际，有很多人曾经质疑过中国为什么要投入那么多钱去做这个建设。现在我通过一个事实告诉你原因。现在在存储产业，基本是韩国厂商的天下，而随着设动设备的火热，各种设备的爆发，市场对存储的需求日增，于是带来了存储产品的缺货问题，进而导致了涨价。
拜DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，部分分析师预测南韩两大存储厂三星与SK海力士，今年半导体营业利润可能年增5成，来到史无前例的25兆韩圆。
存储市况从2016年6月触底反弹后，从最低每单位1
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DRAM
- 长江存储成立后，大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手?这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际，这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一，但不是全部。
回归基本面来看。半导体之所以为高科技是因为有摩尔定律，容许其不断的制程微缩，而其经济效益也高度依赖摩尔定律。DRAM 在很长的一段时间里是半导体业的驱策技术(driving technology)，也就是说DRAM的制程领导其它的半导体制程前进。半导体的先
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DRAM 存储器
- 市场调查机构TrendForce最新报告预测，服务器用DRAM模组由于供给吃紧，第一季报价可能攀升至少25%。
2017年第一季初，服务器DRAM模组已较前一季同期涨价逾25%，部份高密度产品合约价涨幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模组目前已涨破200美元门槛，16GB模组也来到100美元。
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange发现，服务器DRAM模组报价看涨，部份是受惠于PC用DRAM持续涨价。除此之外，服务器制造业者因担心价格持续走扬而提前
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DRAM
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象，因此延续2016下半年的价格涨势，2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局，DDR3 4GB模组的合约价最高已超过25美元，季涨幅超过三成，为DRAM史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，根据现已成交的合约看来，2017年第一季标准型内存价格持续攀高，平均涨幅接近三成，服务器内存的涨幅略同，R-DIMM 32GB模组已超过200美元
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DRAM
- 在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%;2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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DRAM NAND
- 垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元，无需刷新操作;兼容于现有晶圆厂的制造设备，也无需任何新的材料或工艺。 相较于一般的DRAM，VLT内存数组能节约高达45%的成本;这是因为它具有更小的VLT内存单元，以及驱动更长行与列的能力，使其得以大幅提升内存数组效率。然而，想要发挥VLT的优势，就必须在依据产业标准发展的成熟DR
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DRAM
- 大陆紫光集团在2016年终正式宣布投资总额高达240亿美元，在武汉东湖高新区兴建全球单一最大3D储存型快闪存储器(NAND Flash)厂，为全球存储器市场投下一颗震撼弹。
半导体设备业透露，紫光集团由旗下长江存储公司负责推动这项计画。紫光集团暨长江存储董事长赵伟国甚至将这项投资案，等同辽宁号航空母舰出海试航，是中国大陆存储器产业从零突破的开端，也创下由国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作的新合作模式。
由紫光集团联合国家集成电路产业基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资
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紫光 DRAM
- 根据ICInsights报道，在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后，2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情，都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。
这种颓势延续到了2016年上半年，但从2016年下半年开始情况发生了变化，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到了2016结束。但由于
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DRAM 存储器
- 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨
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DRAM SK海力士
- 在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后，2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情，都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。
这种颓势延续到了2016年上半年，但从2016年下半年开始情况发生了变化，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到了2016结束。但由于上半年跌价太狠，IC Insi
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存储器 DRAM
- 力晶执行长黄崇仁20日出席台湾物联网产业技术协会成立大会时表示，明年存储器市况不错，但力晶没有到大陆生产存储器的计划;同时他发表传出前中华电信董事长蔡力行要去紫光看法，他认为蔡力行对于老东家台积电有程忠诚度，不会去挖台积电的墙角。
20日市场传出，蔡力行将加入大陆紫光集团，协助在成都盖12吋晶圆代工厂，黄崇仁对此提出看法表示 ，以他与蔡力行是老朋友的身分观察，蔡力行对台积电是有忠诚度的，不会去挖台积电的墙角。
由于力晶已经前进大陆合肥在当地盖12吋晶圆代工厂合晶，目前厂房已经盖好，明年将进
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力晶 DRAM
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