- 台湾动态随机存取记忆体(DRAM)制造大厂——南亚科周四表示，个人电脑需求量的日渐升温将助推高其第三季晶片产出;其稍早公布的第二季亏损已有所缩减。
南亚科正押注未来数月的个人笔记本电脑需求，因这类产品需要新一代效能更高的记忆体晶片;但多数分析师仍表示，南亚科今年料难由亏转盈。
南亚科副总白培霖向记者表示，“DRAM整体市场正逐步复苏，我们在接下来的几个月情况应该比较好。”
白培霖并称，公司第三季的位元产出将成长最多20%，而第二季成长率
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南亚科 DRAM DDR3
- 8月5日消息，据市场调研公司iSuppli日前发布的报告显示，由于产品短缺，以及内存芯片市场价格上涨，预计在今年第三季度中，全球电子元器件的定价将比第二季度增长2.3%。
据国外媒体报道，iSuppli公司表示，在2008年第四季度中，全球电子元器件的价格就下降了8.4%;在今年第一季度中，价格继续下降了9.2%;甚至在接下来的第二季度中仍然下降了5%。不过，预计在第三季度中，电子元器件市场的价格将经历一段较短的增长期。事实上，大多数元器件的价格在第三季度都可能下跌，但是其平均价格将被DRAM芯
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电子元器件 DRAM DDR3 分立元件 滤波器
- 日本尔必达存储公司称，计划下月将把用于高速计算机和服务器的高级DRAM 芯片产量提高一倍多。此消息一出，周一该公司股价被推高。
尔必达表示，从9月开始，将把DDR3芯片的产量从现在的月产20000-30000片提高到每月75000片。
DDR3 芯片的现货价格大约在2.10美元，比5月时的价格上涨了约30%，这促使尔必达及其竞争对手三星电子有限公司和海力士半导体公司将重心更多地转移到这种新型芯片上。今年第二季度期间，韩国包括三星电子和海力士在内的芯片企业在全球半导体市场上占有的份额超过60
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尔必达 DRAM DDR3
- 美光科技股份有限公司近日宣布生产出业内首个DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)，并将于今年秋季开始推出16GB版本的样品。通过减少服务器内存总线上的负载，美光的LRDIMM可用以支持更高的数据频率并显著增加内存容量。
新的LRDIMM将采用美光先进的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3内存芯片制造。由于芯片的高密度和业内领先的小尺寸，使美光能够轻松并具成本效益地增加服务器模块的容量。美光的2Gb 50nm DDR3产品目前正在进行客户认证，将很快进行大量生产。
如今多数中端企
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美光 LRDIMM DDR3 50nm
- DRAM大厂华亚科日前办理的海外存托凭证案(GDR)原本价格订为新台币14.5元，预期募集资金116亿元，然近期股价受惠DRAM产业回春和DRAM价格反弹，因此一路上涨，最后完成定价，订为每股约16.02元，与日前收盘价相较，则是折价约10%，预计可募得102.5亿元资金，加速华亚科下半年将12寸晶圆厂到入50纳米制程。
科技大厂法说会起跑，2009年DRAM产业由华亚科和南亚科打头阵举办，将于本周登场，也是华亚科已公布第2季的营运数字，亏损缩小至41亿元，南亚科估计亏损也将较第1季大幅减少，约
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DRAM 50纳米 DDR3
- 在DDR3内存供应短缺并导致价格上涨之际，iSuppli公司日前把DRAM供应商的近期形势评级调升到了“正面”。
自从2008年9月以来，iSuppli公司一直维持对DRAM市场的“负面”评级，两周前才调高至“中性”。
“DRAM市场近三年来一直处於供应过剩状态，局面改善令人高兴，”iSuppli公司的首席分析师Nam Hyung Kim表示，“供应过剩对於全球DRAM产业是一大灾难
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内存 DRAM DDR3
- 南亚科努力进行营运转型，如期在6月底之前达成减资和增资的动作。日前办理10亿股的私募，正式以每股私募价格新台币12.22元的定价，取得122.2亿元的资金，认购人包括南亚塑料、台湾化学纤维、台湾塑料、台塑石化、麦寮汽电和长庚医疗财团法人，全数由母公司相关企业力挺到底，成为台湾第1家获得营运资金的DRAM厂，南亚科表示，三厂(Fab3)要尽快转入50奈米的堆叠式技术制程，降低成本结构。
台塑集团对外宣示不加入TMC以来，以实际行动力挺自家DRAM厂进行营运体质强化运动，并挹注新的营运资金，使得旗下
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南亚 DRAM 50纳米 DDR3
- 继韩国海力士十二英寸封装测试项目落户无锡，其在无锡的销售中心日前也正式签约。海力士无锡工厂新任董事权五哲日前透露，十二英寸后工序项目明年初将建设完毕，届时，该集团将真正实现在无锡的一体化生产，成为中国最大的半导体生产基地。
海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在全球半导体公司中名列前茅。无锡工厂是其在海外唯一的生产基地，承担了韩国总部百分之五十的DRAM生产量，占全世界DRAM市场的百分之十。
权五哲称，金融危机下，国际内存需求量逆势上升，该公司目前内存价格较年初已上涨二倍。明年实现
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海力士 DRAM 封装测试 DDR3
- 三星近日宣布，将全力推动DDR3的普及。由于2GB容量DDR3与DDR2模组差价模已拉近至1美元，近期三星锁定部分一线大客户，利用DDR3与DDR2的差价策略，鼓励PC用户积极采购DDR3平台。
三星力推DDR3与DDR2无价差策略
DRAM厂表示，三星规划DDR3交替脚步相当积极，多次出面力挺DDR3时代将来临，使得其他DRAM厂包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、尔必达(Elpida)等，对于加快脚步导入DDR3，亦显得兴致高昂。不过，近期三星对于DDR3价格杀伤力极大，恐
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三星 DRAM DDR3
- 为了配合英特尔不久前刚宣布的Xeon 5500系列处理器的需求问题，三星电子准备开始50纳米的DDR3量产。
DDR3是第3代的同步双速率存储器。三星及业界都相信今年底将成为全球存储器的主流技术。但也有些分析师，包括Needham的Edwin Mok认为DDR3今年可能不会有实质性的太多进展。
三星表示DDR3能使设计servers的OEM与DDR2相比较，每个系统提升到192Gb，并在功能提高一倍时功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb时)。
未来Xeon 5500处理器结合DD
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三星 DDR3 存储器
- 近日，安捷伦科技公司推出目标应用为板级或嵌入式存储器应用的DDR3协议调试和测试套件，由硬件和软件的组成。据说该套件是业界首个功能最齐全的DDR3测试工具，包含业界最快的（2.0-Gtransfer/s）全通道16962A逻辑分析模块，用于DDR3 BGA和DIMM器件的探针，以及一个DDR3兼容性和高性能软件环境。
该套件具有2GHz触发序列速度，逻辑模块
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安捷伦 DDR3
- 据台湾地区的主板厂商称，虽然英特尔和AMD原来预计其所有产品都要在2009年全面向DDR3内存过渡，但是，这两家厂商现在要推迟仅支持DDR3内存的芯片组。DDR3这代内存预计要在2010年之后才能广泛应用。
由于DDR3内存价格的下降没有英特尔预期的那样快，同时英特尔Corei7CPU和X58芯片组还没有达到预期，英特尔决定将仅支持DDR3内存的5系列芯片组推迟到今年9月。
同时，AMD仍在努力解决技术难题，以便实现建在基于AM3的处理器中的DDR3控制器的稳定性和兼容性。因此，AMD在它
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AMD DDR3
- 内存是PC机重要的部件之一，一般而言，每代内存规格的生命周期为3-5年，如今DDR2规格在经历了4年左右的发展后，已经进入了其生命的最后历程。
随着电脑技术以及应用软件的不断进步，在各种应用当中， DDR2内存无论在性能还是功耗上对现今以及未来的需求都显的有些捉襟见肘。作为IT行业的领跑者，在Intel现阶段以及今后的发展蓝图中，我们可以看见DDR3内存正逐渐取代DDR2。
作为即将取代DDR2规格内存的DDR3，相比DDR2频率上限更高且电压更低，这些改进能为我们带来什么好处呢？
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DDR3 Windows Vista 功耗 内存 DDR2
- 引言
DDR3 SDRAM存储器体系结构提高了带宽，总线速率达到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工艺密度提高到2 Gbits。这一体系结构的确速率更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但是怎样才能实现DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?调平技术是关键。如果FPGA I/O结构中没有直接内置调平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口会非常复杂，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是调平技术，这一技
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FPGA 存储器 DDR3 SDRAM
ddr3介绍
目录概述
设计
发展
DDR3内存的技术改进
概述
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度 [
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