今天我们来讲的是SDRAM的架构以及设计，这也是小墨第一次接触架构，也谈不上给大家讲，就是把我理解的当做一个笔记分享给大家，我也试着做了一个SDRAM 的架构word文档，在文章的后面，喜欢的朋友可以下载下来看一下
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SDRAM FPGA
高速电路设计领域，关于布线有一种几乎是公理的认识，即“等长”走线，认为走线只要等长就一定满足时序需求，就不会存在时序问题。本文对常用高速器件的互连时序建立模型，并给出一般性的时序分析公式。为
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PCB DDR SDRAM PHY芯片
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存储器 DRAM SDRAM
SDRAM与DDR SDRAM
SDRAM是比较久远的事情了，但我们一说到它肯定不会和 DDR混淆，我们通常理解的SDRAM其实是SDR SDRAM,为SDRAM的第一代，而DDR1则为第二代，乃至到我们现在使用的DDR4，其实为第五代SDRAM，在此需要澄清一下。以示区别，后续文 章里面用SDR来特指SDR SDRAM，而DDR就特指DDR SDRAM了。
就像很多人回复的一样，他们的本质区别就是周期操作方 式(也称时钟采样)的差异，这就导致后面设计上很大的不同。SDR都是“
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DDR SDRAM
介绍SDRAM电路设计之前先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列，可以把它想象成一个表格，和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，
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SDRAM 电路设计
混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 处理器，该处理器采用可进行生产的 PCI Express®(PCIe®)交换和计
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IDT DDR
RAMRAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM的速度比较快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比较
射频功率、成像和高可靠性半导体解决方案领域的领军企业 e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布，将延长世界领先高级存储解决方案供应商之一 Mic
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Micron e2v DDR
DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR。
说到这里，很多人可能会问SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么区别的?小编还是来简单普及下关于存储的基础知识吧。
ROM 和RAM指的都是半导体存储器，ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称，是一种只能读出事先
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DDR DRAM
为了使DDR3 SDRAM更方便、多样地用于工程开发中，本文对XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核进行了分析研究，并在此基础上实现了大容量数据缓冲区的逻辑设计。通过对系统中各模块的作用及相互间关系的研究，发现该控制器256位接口对工程开发十分不便，通过创建FIFO控制系统和读写接口FIFO的方式，将接口转换为64位。该方案对控制核重新构建并上板测试，均符合高速数据传输缓存的要求，使DDR3成为一个大容量且可控的高速FIFO。
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MIG核 FIFO DDR3 SDRAM 201608
特权同学对存储器的认识也许还很肤浅，但是不要紧，学习靠积累，靠总结。希望在大话存储器的一些文章里总结归纳一些和存储器相关的知识，也希望能够理出一条清晰的思路，让大家也让我自己对存储器有更深入的认识何了解。
提到存储器相信没有人会陌生，也许你的第一反应会是PC机的内存条、硬盘，如果你是个电子行业的学生或者从业者，你也许还会想到FLASH、SRAM、SDRAM、EEPROM等等。的确，信息时代的存储器可谓无处不在，也正是因为有了存储器，才让计算机(特权同学认为这个计算机的概念不仅仅是电脑，嵌入式的任
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存储器 SDRAM
七、SDRAM工作时钟相位偏移计算
从上篇文章中我们知道，我们的数据是要经过一定的延时才会到达目标器件的，这个延时也就是相对于源寄存器的时钟发射沿的时间延时，数据在源寄存器时钟的上升沿到来时输出，经过FPGA的走线，PCB走线等，到达目标寄存器的数据端口时会有一定的延时，而这个数据要想被目标器件的目的寄存器锁存，那么，目的寄存器的锁存时钟应该尽量在数据的有效窗口内才能确保数据被捕获成功。所谓数据的有效窗口，就是数据在两次变化之间的中间部分，也是数据最稳定的部分。
所以，要想将数据正确捕获，
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FPGA SDRAM
下面我们进入正题，今天我们讲时序
一、从静态时序分析说起
我理解的静态时序分析，就是我们在不加激励的情况下，通过对电路进行时序的延迟计算，预计电路的工作流程，对电路提出我们需要的一些约束条件，比如我们需要从A寄存器到B寄存器的延迟不能大于10ns，如果我们不添加时序约束，综合工具可能会有好几条路径，按照它自己的要求来布局布线，那么从A寄存器到B寄存器的时间就有可能是20ns或者15ns之类的路径，而我们需要的是不能大于10ns，因此，我们需要添加时序约束，再根据特定的时序模型，使我们的系统
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FPGA SDRAM
今天我们来讲的是SDRAM的架构以及设计，这也是小墨第一次接触架构，也谈不上给大家讲，就是把我理解的当做一个笔记分享给大家，有什么错误也请积极指正，毕竟我也是没有老师教，也是自己摸索的，难免有些不合理的地方。
一、SDRAM 工作部分
1、上电初始化
我们先来看第一部分，上电初始化。上电初始化我们知道，上电之后我们需要等待200us的稳定期，这段时间我们可以用一个定时器来计数，这没什么问题，然后进入的是预充电部分，这个时候，预充电的时候，sdram_cmd
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FPGA SDRAM
其实说实话这一个月来也没怎么看新知识，大体梳理了一下以前学过的知识，回顾了一下SOPC的学习。对于SOPC的学习我打算暂时先放一放，因为前面还有一个要写的没有完成，也是一直以来无法写起的一个题目，就是今天我们要写的SDRAM的操作。等写完这个，我们再回到SOPC，带领大家调USB2.0!
由于SDRAM本身就是一个比较复杂的东西，之前小墨在学这方面东西的时候感觉很是吃力，于是那时候便暂时放下了，知道年后这段时间，小墨又重新拾起这个知识点，想要一口气把它调通了，再往下看其他的东西。学SDRAM，理
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FPGA SDRAM
ddr-sdram介绍
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