- DDR内存已成为系统DRAM的主要技术，而DDR系统的验证则是新的数字系统设计最具挑战性且费时的工作之一。逻辑分析仪是协助工程师验证这些系统的重要工具，但在成本与空间的限制下，逻辑分析仪探测技术变成了一个值得深思的问题。 理想上，DDR的可测试性应成为最终设计的一部份，以利于在测试台进行系统的验证，因为在整个产品生命周期中的工程设计与委外代工都会增加成本。然而碍于逻辑分析仪探测点的电气负载与空间需求，这种作法直到今天仍不可行。新的免接头式逻辑分析仪探测技术使DDR可测试性得以结合到产品的最初与最终
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DDR 测量 测试
- DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。
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电源电路 DDR DRAM 存储器
- 介绍了SDRAM的特点和工作原理，提出了一种基于FPGA的SDRAM控制器的设计方法，使用该方法实现的控制器可非常方便地对SDRAM进行控制。
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Verilog SDRAM FPGA 控制器
- 摘 要：本文对高速、高精度大容量数据采集板卡所采用的SDRAM控制器技术进行了讨论，详细介绍了基于FPGA的SDRAM控制器的设计、命令组合以及设计仿真时序，并将该技术应用于基于PCI总线的100MHz单通道 AD9432高速大容量数据采集板卡，最后给出了板卡测试结果。关键词：SDRAM；FPGA；AD9432
引言高速数据采集具有系统数据吞吐率高的特点，要求系统在短时间内能够传输并存储采集结果。因此，采集数据的快速存储能力和容量是制约加快系统速度和容许采集时间的主要因素之一。通常用于数据采
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AD9432 FPGA SDRAM 存储器
- 摘 要：本文在简要介绍SyncFlash(同步Flash)存储器的基础上，着重叙述了SyncFlash在基于ARM体系微处理器的嵌入式系统中的应用，并介绍了采用SyncFlash设计嵌入系统的优势。关键词：SyncFlash；SDRAM；ARM微处理器；嵌入式系统
随着嵌入式处理器的迅速发展，32位RISC处理器的应用越来越广泛，许多基于ARM核的微处理器都集成了SDRAM控制器。应用系统中一般都是采用SDRAM存储器作内存、NOR Flash作程序存储
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ARM微处理器 SDRAM SyncFlash 嵌入式系统 存储器
- 摘 要：本文提出了一种在MPEG-4 SP级解码器中的SDRAM接口设计，并巧妙地利用了一种新颖的填充方法,使得程序执行的效率大幅度提高。关键词：SDRAM；MPEG-4；填充 引言图像处理系统都需要用到容量大、读写速度高的存储介质。SRAM操作简单，但其昂贵的价格会使产品成本上升。相比较而言，SDRAM的控制较RAM复杂，但具有价格便宜、体积小、速度快、功耗低等优点,所以从降低成本的角度出发，本文采用SDRAM实现MPEG-4 SP(Simple Profile)级解
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MPEG-4 SDRAM 填充 存储器
- 电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本，而更关注它们能够达到的最高性能。
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DDR 存储器 接口设计
- 介绍基于现场可编程门阵列（FPGA），利用VHDL语言设计实现MMC2107与SDRAM接口电路。文中包括MMC2107组成结构、SDRAM存储接口结构和SDRAM控制状态机的设计。
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SDRAM FPGA MMC
- 本设计介绍了一种应用于DDR内存系统的独特、低成本的电源电路。常规DDR内存系统包括一个双反向转换器和一个输出参考电压。与常规设计不同，本文用线性调节器代替反向转换器，见图1，具有消除PWM转换器开关噪声的优点。DDR内存系统要求稳定的2.5V主电源(VDD)、端电压(VTT)和参考电压(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收电流，，这些要求给电源设计者带来新挑战。本电路中，低压同步反向器产生8A，2.5V的主电源VDD输出，VTT和VREF通过运放的线性调节设计实现。电路专门为低功耗DDR系统(如p
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DDR 存储器
- 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器(S-DRAM)。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
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华虹NEC SDRAM
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