- 摘要：随着数据存储量的日益加大以及存储速度的加快，大容量的高速存储变得越来越重要。内存条既能满足大容量的存储又能满足读写速度快的要求，这样使得对内存条控制的应用越来越广泛。首先介绍了内存条的工作原
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FPGA DDR 内存条
- Cyclone II如何实现的DDR SDRAM接口,在不增加电路板复杂度的情况下要想增强系统性能，改善数据位宽是一个有效的手段。通常来说，可以把系统频率扩大一倍或者把数据I/O管脚增加一倍来实现双倍的数据位宽。这两种方法都是我们不希望用到的，因为它们会增加
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SDRAM 接口 DDR 实现 II 如何 Cyclone
- 力晶总经理王其国表示，目前12寸晶圆厂不论在标准型DRAM或是代工业务如LCD驱动IC芯片、SDRAM产品上，产能都相当吃紧，未来DRAM业者在转制程和盖新厂上，会因为财务问题而放缓脚步，因此短期内不担心供过于求的问题，尤其是相当看好智能型手机(Smart Phone)对于DRAM产能的消耗量，算是杀手级的应用，对于未来DRAM产业看法相当正面。
王其国表示，过去摩尔定律认为每隔18个月晶圆产出数量可多出1倍，但未来随著DRAM产业制程技术难度增加，制程微缩的脚步放缓，可能较难达成，加上现在转进
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力晶 SDRAM DRAM
- 采用A3P125和SDRAM该方案采用A3P125和SDRAM的方式实现，由于A3125资源较为丰富，除了可以实现高分辨率的显示以外，还可以实现多图层的功能，功能上高于上述的方案。
功能特点：
1、采用Actel中等容量
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分辨率 显示 方案 多功能 实现 A3P125 SDRAM 基于
- 三星电子(Samsung Electronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时，虽然三星官方指出影响不大，但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张，甚至传出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影响，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存储器零组件都供货吃紧，三星跳电事件恐让存储器供应链出现供货排挤效应。
三星器兴厂发生停电意外，在启动不断电系统 (UPS)后，1小时内便恢复运作，估计此事件对公司营运影响不大。
存储器业者指出，这次三星受影响厂区
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三星电子 DRAM SDRAM 存储器
- DDR存储器，也称双倍数据率同步动态随机存储器，常用于高级嵌入式电路系统的设计，包括计算机、交通运输、家庭娱乐系统、医疗设备和消费类电子产品。 DDR的广泛采用也推动着DDR存储器自身的研发，在DDR 1和DDR
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DDR 高带宽 调试 混合信号示波器
- 上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后，包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生产业务。
由于中芯过去两年以SDRAM填补产能，成为国内消费性电子产品及家电市场SDRAM最大供应商，此次停产后导致市场供货短缺效应逐步发酵，128Mb及256Mb x32规格SDRAM现货价近日飙出新天价，台湾地区SDRAM供应商受惠最大。
中芯这两年因SDRAM月投片产能维持在2万片8吋芯片规模，在大陆消费性电子及家电市场，拥有超过30%的市场占有率，
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中芯国际 芯片代工 SDRAM
- 2009年DRAM产业在地狱和天堂里各走一遭，年初1颗DRAM均价还在0.5美元，当时生产成本还在2美元，可见亏损有多严重，各厂只好宣布停工、减产，巨额亏损的问题延伸至台、美、日DRAM厂大整合阶段，也演变成国与国之间的战争。但到了年底，DRAM厂又开始生龙活虎起来，中间历程看似短短 365天，但个中辛酸DRAM厂冷暖自知，未来各界看好DRAM产业有2年的好光景，终于摆脱地狱魔咒，前进在通往天堂的路上。
365天之间可以发生多少事?它可以让平均每天亏损新台币1亿元、每1季亏损超过百亿元的DRAM
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Microsoft DRAM DDR
- 1 引言 DDR3 SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）制定的全新下一代内存技术标准，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信号质量更好等优点，对于解决高速系统(例如某些高速图 像处理系统)设计中由于存储
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控制器 设计 SDRAM DDR3 Stratix III 基于 控制器
- 泰克公司日前宣布增强和升级其业界领先的DDR测试和验证解决方案系列。用于泰克TLA7000系列逻辑分析仪的新型内插器为工程师提供了最新DDR3-1867标准的总线捕捉和分析功能。新型内插器大大降低了TLA7000系列的DDR3测试成本，使存储器总线捕捉功能能为更多的设计人员所使用。泰克同时还为DDR标准最新的节能版LP-DDR2推出业内第一款电气接口测试和验证解决方案。这些新功能完善了泰克全面而广泛的DDR存储器解决方案，为验证和改善工程师的设计提供帮助。
DDR3-1867是最新一代双倍数
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泰克 DDR TLA7000
- 在本应用文章中，描述了与DDR相关的许多测试挑战，并提出了验证和调试存储器设计的工具。
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DDR 存储器 电气特性
- 存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展，对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、读写速度快
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SDRAM 多路 读写 接口设计
- 韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证，Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品，另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。
这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条)，验证时的运行频率为1333MHz，芯片电压为1.5V。
Hynix宣称
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
- 描述了一种在PAL→VGA的实时视频采集系统中图像数据处理的方法。针对实时视频采集系统一般使用2片SDRAM进行乒乓缓存的方式，给出一种使用一片SDRAM的不同BANK进行乒乓操作的相对容易实现的SDRAM控制器设计方法。该方法通过充分利用SDRAM的切换BANK存取操作并采用指令计数的方式进行读写状态转换，在PAL→VGA实时视频采集系统中实现了利用一片SDRAM进行图像缓存。它在实时视频采集系统中图像数据处理方面，具有良好的应用价值。
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控制器 设计 SDRAM 系统 视频 采集 实时
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