全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术:基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台,X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP,并配备额外的4Kbit EEPROM。此外,从2025年起,X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式数据存储
新闻概要● Treo平台基于65纳米节点的BCD工艺技术,支持同行业领先的1- 90V宽电压范围和高达 175°C 的工作温度● Treo平台将帮助客户简化设计流程,降低系统成本,并加快在汽车、医疗、工业、AI数据中心等领域解决方案的上市速度● 安森美现可提供基于Treo平台构建的多个产品系列样品,包括电压转换器、超低功耗模拟前端(AFE)、LDO、超声波传感器、多相控制器和单对以太网控制器● 基于该平台构建的
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安森美 模拟和混合信号 Treo BCD
中国北京,2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂,由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起,因此与传统Bulk BCD工艺相比,高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
意法半导体(ST)宣布,电机电子工程师学会(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半导体IEEE里程碑奖,表彰ST在超级整合硅闸半导体制程技术领域的创新研发成果。ST的BCD技术可以单芯片整合双极制程高精密模拟晶体管、CMOS制程高性能数字开关晶体管和高功率DMOS晶体管,满足高复杂度、大功率应用的需求。多年来,BCD制程技术已赋能硬盘驱动器、打印机和汽车系统等终端应用获得重大技术发展。在意法半导体Agrate工厂的实时/
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ST BCD 制程技术
选择西门子S7-200作为控制器,针对花式喷泉的控制要求,分别采用经验设计法的位逻辑指令和比较指令以及顺序控制设计法SCR程序段的2种方法、3种不同编程思路,完成程序设计,为可编程控制器PLC初学者进行程序编写提供参考。
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花式喷泉 S7-200 比较指令 顺序控制 202008
全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”)近日宣布,其高性能90纳米BCD工艺平台在华虹无锡12英寸生产线顺利实现产品投片。该工艺可极大提高电源效率、显著缩减芯片面积,将在数字电源、数字电机驱动、数字音频功放等芯片领域获得广泛应用。紧贴电源管理技术高集成度和智能化的发展趋势,华虹半导体最新推出了90纳米BCD工艺平台,其LDMOS涵盖5V至24V电压段,其中Switch LDMOS具有耐高击穿电压下的较低导通电阻,达到业界先进水平。为了满足高集成度发展趋势,该工艺平
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BCD 电源管理
便携式及手持智能电子设备的小型化对芯片功能集成的要求日益复杂,芯片的微型化及引脚间距越来越小给产品的最终测试带来了技术挑战和成本压力,也让越来越多的客户采用晶圆级封装测试和晶圆级芯片封装测试的方案。史密斯英特康推出的Volta系列测试头适用于200µm间距及以上晶圆级封装测试,为高可靠性WLP(晶圆级封装)、WLCSP(晶圆级芯片封装)和KGD(已确认的好的裸片)测试提供更多优势,可满足客户对更高引脚数、更小间距尺寸、更高频率和更高并行度测试的要求。Volta独特的设计具有极短的信号路径,低接触电阻,可实
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晶圆级 封装测试头 Volta 200 系列
中国信通院数据显示,2019年1-10月中国5G手机出货量328.1万部,发展速度远超业界预期。5G商用的加速推进,让更广泛的智能时代提前到来,随之而来的是海量的芯片需求。然而,先进芯片制造工艺虽有巨资投入,却仅能满足CPU、DRAM等一部分芯片市场应用需求;像嵌入式闪存、电源、功率芯片等广泛存在的需求,则主要由华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)为首的特色工艺芯片制造企业,基于成熟工艺设备不断创新以提升芯片性能和成本优势来满足。近日,在中国集成电路设计业2019年会(ICCAD 2
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RF-SOI BCD
美国加利福尼亚州圣何塞,2019年9月10日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布其200 V Qspeed™二极管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 现已通过AEC-Q101汽车级认证。Qspeed硅二极管采用混合PIN技术,可在软开关和低反向恢复电荷(Qrr)之间提供独特的平衡。该特性有助于降低EMI和输出噪声,这对于车载音响系统特别重要。最新通过认证的200 V二极管具有业界最低的反向恢复电荷
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PI 200 V Qspeed二极管 音频放大器
特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。 第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至 20 mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-A
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0.18 BCD 工艺
This device provides a bidirectional, half-duplex communication physical interface to automotive and industrial LIN systems to meet the LIN
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200x MCP 200 LIN
产品简介: 近期,金升阳继推出满足CE认证(1000VDC)的PV05/PV10/PV15-27BxxR2系列后,为了进一步满足更高输入电压的应用需求,最新推出了15W/40W 200-1500VDC输入的PV15/PV40-29Bxx系列,该系列具有以下优势; 1)200-1500VDC超宽电压输入,支持更多光伏组串; 目前,光伏组件最高电压从1000VDC上升到1500VDC已成为光伏行业发展趋势。在该发展趋势下,光伏系统可增加50%的组串长度,有效降低系统端成本。金升阳自主开发的
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金升阳 200-1500VDC
XMOS公司日前宣布:推出支持千兆以太网的全新xCORE-200™多核微控制器系列产品,并公布了首批商用出货客户名单。通过在单一器件上集成16个高性能32位RISC处理器内核(32bit-RISC-processor-cores),首批xCORE-200器件提供了高达2000MIPs的实时计算能力;同时它也是第一种可商用的、带有可编程MAC层的、支持互联网网页服务器的10/100/1000千兆以太网解决方案。这种基于一种低成本多核微控制器而提供的先进功能,开启了一整套千兆网速物联网(IoT
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XMOS xCORE-200
华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」,连同其附属公司,统称「集团」)今日宣布,其新一代超高压0.5微米700V BCD系列工艺平台已经成功实现量产,良率超过98%,达到国际一流水平。该工艺平台主要针对诸如AC-DC转换器和LED照明等绿色能源的应用,具有业内领先的低导通电阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特点,可为客户提供极具竞争力的单芯片解决方案。目前,已有多家客户在该平台量产,各项指标均达到或超过客户要求。
在全球节能环保的大趋势下,LED绿色照明已经进入快速发展期。据相关机构统计,
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华虹半导体 BCD
香港, 2015年4月22日 - (亚太商讯) - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂── 华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」,连同其附属公司,统称「集团」)今日宣布,其新一代超高压0.5微米700V BCD系列工艺平台已经成功实现量产,良率超过98%,达到国际一流水平。该工艺平台主要针对诸如AC-DC转换器和LED照明等绿色能源的应用,具有业内领先的低导通电阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特点,可为客户提供极具竞争力的单芯片解决方案。目前,已有多家客户在该平台量产,各项指标均达到或超过客户
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华虹 BCD
bcd-200介绍
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