这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
Metalenz与意法半导体（STMicroelectronics，ST）宣布推出VL53L8直接飞行时间（Direct Time-of-Flight，dToF）传感器。 Metalenz与意法半导体为消费性电子设备提供世界首创光学超结构透镜技术Metalenz的超结构光学透镜技术是哈佛大学的技术研发成果，可以取代现有结构复杂的多镜片镜头。嵌入一颗超结构光学透镜后，来自3D传感器模块大厂意法半导体的飞行时间（ToF）测距模块可以提供更多功能。Metalenz光学技术导入这些模块，可以为众多消费性
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ST Metalenz 光学超结构透镜 ToF
近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
3D飞行时间（3D ToF）是一种无扫描仪LIDAR（光检测和测距，激光雷达）技术，通过发射纳秒级的高功率光脉冲来捕获相关场景的深度信息（通常是短距离内），已经广泛应用于消费电子、工业4.0、汽车、医疗健康、安防和监控、机器人等领域。本文将为您介绍3D ToF技术的发展与ADI推出的相关解决方案。3D ToF技术可精准进行距离测量3D ToF技术是采用ToF摄像头通过使用调制光源（例如激光）主动照亮物体，然后用对激光波长敏感的传感器捕捉反射光，以此测量距离。传感器测量从摄像头发射光，到摄像头接收到发射光之
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艾睿电子 ToF，LIDAR
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出最新的FlightSense飞行时间（ToF）测距传感器，适用于智能型手机镜头管理和扩增实境和虚拟现实装置。透过大幅提升关键组件的性能，意法半导体最新ToF模块的测距性能相较上一代产品提升一倍，室内全区模式测距长达4公尺，在相同条件下，功耗比上一代产品降低了一半。意法半导体执行副总裁暨模拟、MEMS和传感器事业群之影像子事业部总经理Eric Aussedat表示，ST的ToF技术在商用领域获得了傲人的
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意法半导体 飞行时间 传感器 ToF
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
· VL53L8 直接飞行时间 (dToF) 传感器非常适用于智能手机以及智能扬声器、人机界面、消费类激光雷达和 AR/VR/MR· 传感器集成新的革命性超表面透镜 (metasurface lens) 技术和性能更强、能效更高的激光源和片上处理改进技术 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(简称ST)推出了新一代FlightSense™飞行时
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意法半导体 ToF
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST），推出能在设计简单、注重成本的消费性与工业应用中，加入非接触式手势控制的解决方案。该解决方案包括意法半导体的VL53L5CX FlightSense飞行时间（Time-of-Flight，ToF）多区测距传感器和免费的工程开发用软件。采用ToF传感器的姿态识别是一项突破性的人机互动技术，让使用者能够与各种设备进行复杂的互动。手势控制人机互动最初是高阶汽车的一项功能配置，现在则可以改善并加强多种设备的人机互
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意法半导体 STGesture 手势识别技术 ToF
● FlightSense™专用软件包可以实现低功耗、低成本的手势检测● 基于ToF 多区测距传感器的无摄像头人机交互解决方案可实现全隐私服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)，推出一款非接触式的手势控制解决方案，该方案不仅设计简洁且价格实惠，同时还可使用于消费者和工业应用中。这款解决方案包括了意法半导体的VL53L5CX FlightSense™飞行时间 (ToF) 多区测距传感器和免费的
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意法半导体 STGesture™ 手势识别 非接触控制 手势识别 ToF
当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
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