- 据报道，东芝(Toshiba)惨亏，将分拆旗下赚钱的半导体部门，成立新公司，卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥，各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资，借此强化NAND Flash布局。
韩媒BusinessKorea 24日报导，业界专家表示，SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司，取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色，去年第三季市占率为19.8%，仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 从2016年下半年开始，包括CPU、内存、屏幕、CMOS Sensor在内的众多电子元器件都进入了缺货周期，这样就给终端制造商带来了成本压力，最终这个压力就转移到了消费者身上，引起蝴蝶效应。
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DRAM NAND
- 随着全球对于手机、电脑、汽车等消费性产品需求持续增强，NAND FLASH始终处于供不应求的情况，特别是印度、印尼及越南等新兴智慧手机市场，当地消费者智慧手机持有率大增，进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧，特别是在第2、3季最为严重。
群联董事长潘建成表示，预计NAND FLASH今年将持续缺货，特别是在第2、第3季最为明显，原因在于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲。因应此一情况，有些记忆体业者将部分产能转去做3D
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SSD NAND
- 根据 SEMI (国际半导体产业协会) 的最新研究数据表示，当前中国正掀起兴建晶圆厂的热潮，预估 2017 年时，中国兴建晶圆厂的支出金额将超过 40 亿美元，占全球晶圆厂支出总金额的 70%。而来到2018年，中国建造晶圆厂相关支出更将成长至 100 亿美元，而其中又将以晶圆代工占其总支出的一半以上。
SEMI 中国台湾地区产业研究资深经理曾瑞榆指出，2017 年全球半导体产产值可望达到 7.2% 的年成长率。其中，存储为其中成长的关键。而未来 5 年之内，全球半导体产业仍将持续成长，到了 2
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晶圆 NAND
- 赛普拉斯半导体公司旗下子公司，高速、高容量和免电池非易失性存储器解决方案领先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式发布其符合JEDEC标准的AGIGARAM® DDR4 NVDIMM-N系列解决方案。该解决方案与AgigA业界领先的在JEDEC 标准发布之前就已量产的传统DDR4 NVDIMM产品一起，为最新公布的NVDIMM-N解决方案JEDEC标准(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交钥匙式模块产品和控制器解决方案。 Ag
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赛普拉斯 NAND
- 在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。
为什么中国要发展存储产业
在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和
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存储器 NAND
- 在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%;2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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DRAM NAND
- 或许是巧合!12月30日，长江存储的国家存储器基地与华力二期12英寸生产线这两个持续受到业界关注的重大项目，同日举行了开工启动仪式。
长江存储是国内最大的存储器项目之一，瞄准3D NAND技术，建成后将扭转我国存储器有市场无产品的窘境;华力微电子12英寸生产线建设项目则是“909工程”的二次升级改造，将建设逻辑芯片的代工生产线，建成后将使我国拥有从0.5微米到14纳米各工艺节点的生产平台，追赶国际先进水平。
随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的推进，中国IC业
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集成电路 NAND
- 中国紫光集团宣布，投入快闪记忆体战场，在武汉兴建全球规模最大厂房，总投资金额超过240亿美元，引发产业界震撼。
紫光集团董事长赵伟国：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，昨天我刚刚在成都，和四川省签下了两千亿的协议。我们会在那里投资一个，也是一个超过两百亿美金芯片的工厂”
2016年12月，紫光集团赵伟国，布局半导体战略，先是与成都市、新华集团共同签署战略合作协议，要在四川打造百亿云计算中心。
12月30日，紫光宣布动工，兴建三座全球最大3
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紫光 NAND
- 现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状，中国这波掀起对存储格局的改变，或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。
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存储路 NAND
- 2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
DRAMeXch
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NAND TrendForce
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 美国记忆体晶片大厂美光科技(Micron)财务长Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference时表示，该公司在3D NAND记忆体生产上已取得重要历程碑。
科技网站AnandTech报导，Maddock表示，虽然目前2D NAND晶片生产数量仍高于3D，但就记忆体总容量而言，3D NAND产能的总容量已高于2D产品。
据悉，美光2D和3D NAND生产采用完全不同的技术。 2D NAND生产依赖于光刻(lithography)技术，3D NA
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美光 NAND
- “三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”(东京有明国际会展中心)的“半导体高端论坛”上登台发言，并如此介绍了该公司的三维闪存(3D NAND)高密度化战略。
成毛以对比15nm工艺2D NAND(二维闪存)的形式，介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FL
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东芝 NAND
- 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2
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