- 去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。
根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
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英特尔 3D XPoint
- 去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。
根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
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英特尔 3D XPoint
- 随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
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SSD 3D NAND
- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
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Nand Flash 寄存器
- 由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
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3D NAND
- 大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产，武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂，最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片，尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代，然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。
尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大
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存储器 NAND
- 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
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Flash NAND 扇区管理
- YouTube上的科技频道总不乏各种技术宅的奇思妙想，日前，一位名为“Mrwhosetheboss”发布了一则有趣的视频，记录了他将一台智能手机打造成一台3D全息投影仪的全过程。 下面就让我们一起来见证一下奇迹发
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3D 全息投影仪 DIY
- 全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作，打算超车三星电子，抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告，要是WD和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创NAND价格。
巴伦(Barronˋs)11日报道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和东芝计划抢在三星之前，生产64层3D NAND flash，此举可能导致三星扩产还击。报告称，当前三星在业界握有主导权，将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了
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西数 NAND
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange)最新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售
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NAND 服务器
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPh
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TrendForce NAND
- 未来半导体进入五大转折，包括逻辑芯片制程技术推进到10/7纳米;存储器推进到3D NAND Flash;因应芯片愈来愈小，制图成型依赖愈来愈高;移动设备导入OLED比重会愈来愈高以及大陆积极扶植半导体产业。
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NAND AR
- 半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。
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存储器 NAND
- 据外媒报道，东芝今天将截至9月份的上半财年营业利润预期上调一倍以上至700亿日元(约合6.95亿美元)，此前预期为300亿日元。
受此消息推动，东芝股价在周三快速上涨，创下自去年10月以来的最高点。这是东芝第二次上调营业利润预期，该公司在今年5月份最初预计上半财年将营业亏损200亿日元。
智能机存储芯片的强劲需求推动东芝上调营业利润预期。另外，比东芝保守预期更为疲软的日元汇率也发挥了推动作用。
芯片需求的增长源于中国智能机出货量的强劲表现。尽管全球智能机市场表现乏力，但是中国智能机出
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东芝 NAND
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