- 尽管目前全球存储器四强竞局维持平衡状态，然近期各厂投资动作频频，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)与东芝(Toshiba)为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash，业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。
半导体业者表示，3D NAND技术是未来存储器产品主流，然技术层次及难度十分高，目前在制程良率上仍面临许多挑战，预计2016年真正
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美光 DRAM
- 红色供应链给台企带来了巨大压力，市场萎缩，人才流失，再也损失不起了。
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DRAM 紫光
- 南亚科董事长吴嘉昭昨(6)日表示，虽然中国在DRAM产业急起直追，但至少还要花三年才能追上台湾。对于前总座高启全退休前往中国紫光集团发展，想要创造中美台合作空间，南亚科新任总经理李培瑛说，一切仍有不确定性，公司目前尚无实质作法。
南亚科昨天举行临时董事会，通过高启全退休案，但仍担任南亚科董事，并决议即日起由资深副总李培瑛接任总经理。
吴嘉昭透露，高启全是在9月18日提出申请退休，对于他的离开感到惋惜，虽然不清楚高的详细生涯规画，但仍给予祝福。
此外，高启全
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南亚科 DRAM
- 台湾过去数十年培养出来的半导体人才，现在一个一个往大陆跑，台企离没落不远了。
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京东方 DRAM
- 资策会产业情报研究所(MIC)报告指出，受到新兴市场智慧型手机晶片价格快速下滑及需求不佳影响，预估明年全球半导体市场成长率较今年衰退1%，台湾半 导体产业在DRAM产值跌幅趋缓之下，明年产值将达2.2兆元微幅年增2.2%。
资策会MIC资深产业分析师施雅茹表示，今年台湾半导体 产业表现不如全球，主要受DRAM与IC设计产值下滑影响，估算今年台湾IC设计产业产值约4,971亿元新台币，年减6%，DRAM产业产值2,325 亿元，年减13%;预估明年可望在DRAM产值跌幅趋缓，以及晶圆代工、IC封测
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半导体 DRAM
- ARM新近推出的版本中出现Bug，iPhone 6s Plus玩3D游戏闪屏，不过后续通过软件升级可以解决。
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iPhone 6s 3D
- 由于12吋晶圆持续扩大应用至非存储器领域，使得全球12吋晶圆生产线持续增加，2015年已超过90条产线，较5年前增加约20条产线，且预计未来4年将再增加近20条产线，相较之下，18吋晶圆商用化时程则会再往后延缓，业界预期2020年之前将不会有采用18吋晶圆进行大量生产的产线。
12吋晶圆除应用在DRAM和NANDFlash等需要大量生产的存储器芯片，亦持续扩大使用在非存储器产品，包括电源管理芯片、影像感测器等，甚至用来制造逻辑芯片、微型元件IC等，且为因应市场需求，将芯片产量最大化，半导体厂在1
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晶圆 DRAM
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价，调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期，DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测，市场消息传出，全球DRAM市占率达四成的三星，将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元，换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右，并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低，市场需
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三星 DRAM
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价，调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期，国内DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测，市场消息传出，全球DRAM市占率达四成的三星，将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元，换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右，并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低，市
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三星 DRAM
- PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
- 一场触控界的革新，因为苹果的参与而让市场沸腾起来。新iPhone9月10日(北京时间)发布后，搭载的3D Touch技术让消费者们对手机操控有了新鲜感。这让压力触控厂商们很是兴奋，经历了长久蛰伏期之后，他们看到了潜在的市场爆点。不过兴奋的同时，产业链厂商们也没有太过乐观，因为安卓市场才是引爆市场的关键，而这恐怕还需等待一段时间。
为部分App带来革命性体验
压感触控技术是指在现有手机平面操作的基础上增加第三种维度——重力感应，根据力度的不同，调用的菜单也有所区别。而
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压力触控 3D Touch
- 虽然较大尺寸晶圆的生产材料和技术成本高于小尺寸晶圆，但由于较大晶圆可以切割出更多的芯片，因此经验显示，就每单位芯片成本而言，大尺寸晶圆技术至少会比小尺寸晶圆降低20%。
然而在实务上，要采用大尺寸晶圆生产技术，业者必须要先行投入大笔经费。因此在资金和技术的障碍下，各业者往往会采用将现有技术进行效率最大化的方式进行生产，而不是对新开发的大尺寸晶圆生产技术进行投资。
以最新18吋(450mm)晶圆生产技术的采用为例，就正处于这样一种状况下。根据调研机构ICInsights最新公布的2015~2
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晶圆 DRAM
- 鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28奈米到20奈米，甚至发展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 虽然大陆景气疲软，2015年韩国存储器厂的业绩展望相对明朗。然大陆智能型手机需求缩减，2016年移动DRAM价格可能下滑，2016年前景反而不透明。
据ET News报导，全球排名前一、二名的DRAM制造厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年业绩可能会与当初预期相近，或小幅提升。近来大陆景气迅速萎缩，但对下半年暂时不会有太大影响。
三星下半年IT及移动装置(IM)事业部业绩可能下滑，但半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部的存储器和系统晶
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存储器 DRAM
- 微机电(MEMS)/奈米技术/半导体晶圆接合暨微影技术设备厂商EVGroup(EVG)今日宣布，该公司全自动12吋(300mm)使用聚合物黏着剂的晶圆接合系统目前市场需求殷切，在过去12个月以来，EVG晶圆接合系列产品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等订单量增加了一倍，主要来自于晶圆代工厂以及总部设置于亚洲的半导体封测厂(OSAT)多台的订单;大部份订单需求的成长系受惠于先进封装应用挹注，制造端正加速生产CMOS影像感测器及结合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互连技术的垂直
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CMOS 3D-IC
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