- 市场研究机构TrendForce最新调查显示，2015年第一季起智慧型手机出货积弱不振，季衰退幅度高达9.2%。尽管第二季展望国际大厂苹果(Apple)与三星(Samsung)出货相对稳健，然而智慧型手机在中国通路的库存水位仍高，在第二季将持续库存去化的情况下，较难看到大幅的出货成长。第二季全球智慧型手机预估季成长6.8%，中国地区(含中国品牌外销国外)部分为14.8%，远低于过往两年动辄25%以上的季成长。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2
- 关键字：
LPDDR4 DRAM
- 智慧型手机与平板电脑快速普及，正带动行动式动态随机存取记忆体(Mobile DRAM)需求水涨船高，其中智慧型手机每年所采用的Mobile DRAM数量，更占全球总出货量近八成比重，是最主要的应用及成长来源。
近年来，行动装置产品因具有高功能性、便利性且兼具时尚感，成为全球最热门电子产品，因而驱动其关键零组件行动式动态随机存取记忆体(Mobile DRAM)需求快速成长，使之成为DRAM产业的发展主流。本文将针对Mobile DRAM的应用面及市场发展性进行探讨。
挺进手机/平板市场 Mo
- 关键字：
DRAM
- TrendForce最新调查显示，2015年第一季起智慧型手机出货积弱不振，季衰退幅度高达9.2%，尽管第二季展望国际大厂苹果与三星出货相对稳健，然而，智慧型手机在中国通路的库存水位仍高，在第二季度将持续库存去化下，较难看到大幅的出货成长;第二季全球智慧型手机预估季成长6.8%，中国地区(含中国品牌外销国外)部分为14.8%，远低于过往两年动辄25%以上的季成长。
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2015年行动式存储器价格走势趋于稳定;目前行动
- 关键字：
DRAM LPDDR4
- DRAM大厂推升制程造成部分产能产出受影响的效应逐步发酵，由于市场供给量降低，带动DRAM价格止跌，集邦科技统计近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整数关卡，蓄势反弹，有助南亚科(2408)、华亚科营运。
由于市场供给缩减、报价止跌，美国记忆体晶片指标厂美光上周五(17日)股价不畏美股重挫279点，上演逆转行情，尾盘逆势收红，以28.02美元作收，小涨0.01元，持续站稳各均线，透露市场资金回流。
国际投资机构陆续对DRAM市况翻多，美国知名财经网站巴隆(Barron`s.com)近日则引
- 关键字：
DRAM 华亚科
- 索尼在软硬件融合过程中的失败，在于轻视其原本拥有的硬件优势，进而导致产品本身丧失了品牌溢价；只有软件与硬件都做出高品质产品，才能确保生态的价值。
- 关键字：
索尼 3D
- 近日，有韩国媒体“中央日报日文版”报道，我国液晶面板厂京东方 (BOE)有意进军存储器芯片行业，引发市场关注。受到《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以及国家集成电路产业投资基金成立等利好政策的助推，今年以来包括存储芯片在内的集成电路产业，热度不断升高，据悉积极争取设立DRAM厂的地方政府已达6家。由于全球存储产业正处于转型期，加之市场广阔，即使行业已趋于高度垄断，如果政策到位、措施得当，未来中国切入存储产业，依然存在机会。
中国积极介入存储产业
“作为
- 关键字：
京东方 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)中断生产30纳米级DRAM，全面进入20纳米级生产时代。据了解，SK海力士在4年前才首度采用38纳米制程生产DRAM，不过到2015年第1季，生产效率比30纳米级制程更高的25纳米DRAM制程比例，已高达全体生产的82%。
韩媒Digital Times报导，日前业界消息传出，SK海力士的38纳米制程到2014年第4季为止，约占全体DRAM生产比例的8%，但从2015年第1季开始已全面转进20纳米级制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30纳米级
- 关键字：
SK海力士 DRAM
- 近年来，固态硬盘似乎已经成为了计算机的标配。而随着SSD的普及，人们对于速度和容量的渴求也在迅速膨胀。为了能够在单颗闪存芯片上塞下更大的存储空间，制造商们正在想着3D NAND技术前进。与传统的平面式(2D)设计相比，垂直(3D)堆叠能够带来更显著的容量提升。但是最近，一家名为Stifel的市场研究公司却发现：为了实现这一点，制造商们正在砸下大笔投资，而这种成本压力却无法在多年的生产和销售后减退多少。
影响利润的一个主要原因是，3D NAND芯片的生产，比以往要复杂得
- 关键字：
3D NAND SSD
- 国际研究暨顾问机构 Gartner 最终统计结果显示， 2014年全球半导体营收总金额达3,403亿美元，较2013年的3,154亿美元增加7.9%。前25大半导体厂商合计之营收成长11.7%，高于业界整体成长率。前25大半导体厂占整体市场营收72.4%，亦高于2013年的69.9%。
Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“2014年各类元件皆呈正成长，不似2013年时，特殊应用积体电路(ASIC)、离散元件(discrete)与微组件(microcompone
- 关键字：
英特尔 DRAM
- 研究机构Gartner公布最新半导体统计，去年全球半导体总营收金额达3403亿美元，较2013年3154亿美元增加7.9%，以记忆体连续2年最高，表现最好，其中DRAM去年成长32%，创下历史新高。
Gartner统计，去年半导体营收前3名仍是英特尔、三星与高通，分别为523亿美元、347亿美元与192.9亿美元，市占率为15.4%、10.2%与5.7%;前10名名单都与前年一样，仅有名次小幅变动。
英特尔三星高通前3名
经过连2年衰退后，英特尔因个人电脑生产复苏而重回成长，年营收增
- 关键字：
半导体 DRAM
- 记忆体模组大厂威刚(3260)公布3月营收为20.72亿元，比2月谷底跳增51%。今年第一季合并营收为54.52亿元，年减24.62%，公司预期通路库存到底，第二季DRAM需求将逐步回温。
威刚表示，由于PC淡季持续，DRAM比重仍与2月相当，维持在38%左右;固态硬碟(SSD)出货量及销售金额再创新高，月营收贡献达25%，累计今年第一季SSD营业额已近全公司营业额25%，年增率并超越50%。
威刚今年第一季产品结构方面，DRAM由去年同期的55%降至41%，SSD比重则倍增为非DRAM产
- 关键字：
威刚 DRAM
- 市场研究机构IHS Technology发布的资料显示，三星电子和SK海力士去年全球动态随机存取记忆体(DRAM)的市占率总和达67.7%，是自2001年开始对DRAM市占率进行全面统计以来的最高韩企市占率。
其中，三星电子的市占率为40.4%，高踞首位;SK海力士占27.4%，居次。美国企业美光(Micron)半导体的市占率为24.6%，位列第三。
目前，全球DRAM市场形成三星电子、SK海力士和美光半导体鼎足而三的局面，三家公司的市占率场总和超过九成。
- 关键字：
三星 DRAM
- 自上世纪50年代末集成电路问世以来，应用不断扩张，在电子产品中的含量日益提高，市场也随之接连增长，上世纪80年代是世界集成电路市场增长最快的十年，年均增长率创历史最高，接近17%，1989年达428亿美元(见图1)。这时期正是IBM的PC上市并获得大发展的时代，对产品所用MPU，特别是DRAM需求十分殷切。迨至90年代，Intel和AMD在MPU方面开展了激烈的竞争以提高其功效，与此同时微软公司也每二三年发布一套新的操作系统，从而大大促进了DRAM的应用，以便使PC系统能有效地工作，这一时代的世界集成
- 关键字：
DRAM 集成电路 半导体 MPU 201504
- UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他们的主要业务是为残疾人的假肢提供3D打印的精美外壳或其他配饰。天工社早先曾经报道过这家公司。UNYQ是在2014年刚刚成立的，如今已经在西班牙塞维利亚和美国旧金山设立了精品工作室。
该公司目前提供30款限量版假肢外壳，当然，所有的都是3D打印的。UNYQ称设计师和工匠们会在这些款式的基础上，与客户一起创造独一无二、只适合其本人规格指标和个人风格的产品。
如今UNYQ公司宣称，他们已经与数字化设计和制造专家3D Systems公司签订了多层次合作协议，后
- 关键字：
3D Systems 3D打印
- 全球半导体去年总产值达3403亿美元，年增7.9%;其中，以动态随机存取记忆体(DRAM)市场表现最佳，成长达32%。
据国际研究暨顾问机构顾能(Gartner)统计，去年半导体各类元件都呈正成长;记忆体市场连续第2年表现最佳，年增达16.6%，当中又以DRAM市场表现最突出，产值达461亿美元，年增32%，并创历史新高纪录。
英特尔(Intel)在经过连续2年业绩衰退后，去年因个人电脑生产复苏，顺利止跌回升，营收达523.31亿美元，年增7.7%，全球市占率略降至15.4%，不过，连续第
- 关键字：
英特尔 DRAM
3d dram介绍
您好，目前还没有人创建词条3d dram!
欢迎您创建该词条，阐述对3d dram的理解，并与今后在此搜索3d dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
