- 记忆体卡巨擘SanDisk下修展望，加上传言三星屯兵积粮、似有增产企图，导致美光科技(Micron Technology)股价连泻三日，创下近三个月新低。
SeekingAlpha引述券商Northland Securities报告指出，三星大买DRAM机台、计画增加产能，美光将最先感受到冲击。
此前，高盛警告记忆体业可能进入新一轮产能军备竞赛，美光上周曾对此表示，半导体产业经过整并后，不太可能重蹈覆辙。不过，如果三星增产是事实，即使市场需求没有问题，也难保DRAM定价不会面临压力。
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三星 DRAM 美光
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进入淡季后，第1季DRAM价格将持续下跌，业者预期，单季跌幅可能超过5%，比第4季的跌价幅度稍大。这对于华亚科、南亚科等厂商的业绩，可能造成部分影响。业者强调，整体而言，今年的DRAM市况虽然可能不如去年，但还算乐观。
DRAM业者指出，去年第4季DRAM价格跌幅约在5%以内，本季跌幅可能扩大，但还算健康的缓跌状态。PC DRAM与消费型DRAM因为处于淡季，价格可能跌幅较多，行动装置所使用的记忆体价格也应该会稍微下滑，较可能逆势上涨者，是需求相当强劲的伺服器用DRA
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- 美国市场调查公司IHS于2014年12月22日发布调查报告称，预计2014年全球半导体销售额将比上年增长9.4%，达到3532亿美元，实现自2010年以来的最高增长率。IHS副总裁兼首席分析师Dale Ford称：“2014年的市场是最近几年里最为健全的。2013年的市场扩大(增长率6.4%)主要得益于存储器领域的增长，而2014年整体表现都很出色，在年末假日季，各个领域的供应商都能因此而受益。”
IHS将半导体市场分为28个小领域进行了调查。在2013年，这28个领域中
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存储器 SK海力士 DRAM
- Gartner发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。
Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.
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- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。
东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好，在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
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东芝 NAND 闪存 3D 201501
- 2014年12月8日，第七届3D大赛暨3D大会在龙城常州圆满落幕。来自全球3D及相关行业上中下游的数百名产学研精英、1000多家知名企业代表，全国800多所本科、职业类院校师生代表，100多家权威媒体人士，以及来自国内外的30000多观众，用四天时间共同打造了一场3D全产业链盛宴。 第七届全国3D大赛暨3D大会不仅是3D大赛总决赛，也是以“众创、众包、众需 —— 创新驱动、两化融合、3D引领、应用先行”为主题的3D上下游全产业链盛会，大会以“关注3D!关注人才!关注应用!关注创新
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- 三星电子(Samsung Electronics)有望独家供应20纳米DRAM给苹果(Apple)新款iPhone，据Digital Times报导，苹果正考虑独家采用三星先进制程之Mobile DRAM与NAND Flash。
苹果之前从英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)等多家记忆体厂进行采购，但由于三星的技术与竞争对手差距拉大，而陷入策略思考中。
三星日前刚发表采用20纳米制程生产的8GB LPDDR4 Mobile DR
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- 研调机构顾能(Gartner)初估，2014年全球半导体产值达3398亿美元，年增7.9%。
顾能表示，动态随机存取记忆体(DRAM)供应商去年营运表现超过整体半导体产业水准。
顾能指出，受惠市场供不应求及价格持续稳定，去年DRAM市场产值大增31.7%;记忆体市场去年产值成长16.9%，是带动去年半导体产业成长的最大动力。
去年不计记忆体的半导体产值年增5.4%，远比2013年成长0.8%佳。
据顾能统计，英特尔(Intel)去年营收达508.4亿美元，蝉联全球半导体龙头地位
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- 韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持续扩大尖端DRAM和NAND Flash产线，2014年受到半导体市场荣景带动对产线投资而荷包满满的设备业者，预期2015年也将迎来亮眼的业绩。
据ET News报导，三星和SK海力士2015年可望为扩充DRAM、NAND Flash、系统芯片产线而执行投资。因转换微细制程，导致生产量减少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。
三星17产线将于201
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- 三星电子和世界顶级的内存芯片制造商SK海力士计划在2015年投资19万亿韩元用于研发芯片，此次投资计划高于去年17.7万亿韩元的芯片投资资金。据美国一位对冲基金负责人表示，三星电子和SK海力士希望通过此次19万亿韩元的投资，改善产品结构，适应市场状况，调整市场的供求平衡。
据悉，一些对冲基金和市场投资机构都纷纷看好三星电子和SK海力士的未来发展。按照投资计划，三星电子计划投资3.5万亿韩元，SK海力士计划投资5.5万亿韩元。三星一位官员表示，三星的销量增长将在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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- 三星电子(Samsung Electronics)为取得存储器市场70%以上获利，加速研发新技术与扩大产量。SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)为抵挡三星独霸而联手，但技术力差距牵制不易。同时，因智能型手机事业陷低潮的三星，能否借存储器事业翻身成为焦点。
据韩媒E-Daily报导，三星为抢占2015年存储器半导体市场营业利益的70%正研拟策略。2015年合计DRAM与NAND Flash的整体存储器半导体营收规模预估为80兆~90兆韩元(约728亿~815亿美元)。
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- 记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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- 随三星宣布20奈米制程正式产出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及华亚科(3474)也预定第2季导入20奈米量产，让今年DRAM产业主流技术，将正式推进至20奈米世代。
不过，20奈米需要投入庞大的资本支出，各DRAM考量必须在获利的基础上进行扩充，也让今年各家20奈米制程推进趋于缓慢。集邦科技出具今年DRAM产业趋势报告，预告今年DRAM产业持续维持寡占格局，支持DRAM持稳不坠，今年各家DRAM厂仍处于全面获利的一年。
集邦预估，今年DARM产值达541亿元，年增16%。
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- 三星电子(Samsung Electronics)正加速转换制程，2015年第4季整体DRAM产量中，将有5成以上采20纳米技术生产。三星预计以差别化制程技术，在伺服器和高阶移动装置用次世代DRAM市场上拉开与其他竞争对手的差距，维持市场独大地位。
据韩国首尔经济报导，三星计划在2015年底将DRAM产量中至少40%、最多50%以20纳米制程生产。
外电引用市调机构DRAMeXchange近期资料指出，三星20纳米DRAM生产比重在2015年第4季将提升到46%。韩国业者表示，目前20纳米
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- 三星电子(Samsung Electronics)正加速转换制程，2015年第4季整体DRAM产量中，将有5成以上采20纳米技术生产。三星预计以差别化制程技术，在伺服器和高阶移动装置用次世代DRAM市场上拉开与其他竞争对手的差距，维持市场独大地位。
据韩国首尔经济报导，三星计划在2015年底将DRAM产量中至少40%、最多50%以20纳米制程生产。
外电引用市调机构DRAMeXchange近期资料指出，三星20纳米DRAM生产比重在2015年第4季将提升到46%。韩国业者表示，目前20纳米
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