三星电子周五公布2015业务成果报告，结果一则以喜，一则以忧，虽然其半导体事业蒸蒸日上，但另一个营收主力，也就是手机部门表现仍持续挣扎。其实，三星去年以获利为最高指导原则，营运的重心主要放在半导体上，有如此结果也不令人意外。
据 三星统计，在全球DRAM市场上，三星所向披靡、强取豪夺45.3%的份额，市占率较一年前的39.6%又进步了5.7个百分点。三星指出尽管手机、平板 等行动产品减缓，但预期服务器与其它高阶产品市场将持续成长。除此之外，三星也相当看好物联网与汽车对存储器的需求展望。
在
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三星 DRAM
受来自PC部门需求疲弱，及包括DRAM与NAND Flash价格下滑等不利因素影响，美系记忆体大厂美光(Micron)2016年会计年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)营收仅达29.3亿美元，较前季33.5亿美元衰退12.4%，亦较2015年会计年度同期41.7亿美元衰退29.6%，这是美光自2015年会计年度第1季营收45.7亿美元相对高点以来，单季营收连续5季衰退。
在DRAM与NAND Flash的平均销售单价季衰退幅度超过2位数百分点幅度，加上营业费用控制成效不佳，营业
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美光 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)开始量产18纳米DRAM，成本将可比目前的20纳米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等业者的DRAM制程都还停留在20纳米以上世代，三星电子未来在DRAM市场上，势必将更具价格竞争力。
根据韩媒ETnews报导，存储器半导体的价格越来越低，越快将成本压到比下滑的市场价格更低的话，才有利润能剩下，若降低成本的速度太慢，就会产生赤字。以目前看来，2016年美光最需担忧的就是赤字问题，因为美光没能成功地转换微
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三星 DRAM
不论是NAND闪存还是DRAM内存领域，韩国两家公司三星、SK Hynix总算还能保住吃香喝辣的日子，但美国的美光公司这两年就没啥舒服日子了，技术、产能都落后友商，偏偏现在又遇到了内存、闪存降价，跌跌不休的价格导致美光营收下滑了30%，当季净亏损9700万美元，对未来季度的预测同样悲观。
美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报，当季营收29.3亿美元，上季度为33.5亿美元，去年同期为41.66亿美元，同比下滑了30%。
美光当季毛利只有5.79亿美元，远远低于上季度的8
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DRAM NAND
美国记忆体大厂美光昨(31)公布到3月3日为止的年度第2季财报，每股净损0.09美元，单季由盈转亏，并预估本季仍恐持续亏损。外界认为，美光连二季亏损，与该公司关系密切的华亚科(3474)短期营运将有压力。
受到DRAM价格与出货量都比上季滑落近一成的影响，美光第2季营收为29.34亿美元，季减12.4%，年减29.5%，影响其毛利率表现，仅19.7%，远不如前一季的25.3%，单季税后净损9,700万美元，每股净损0.09美元。
美光预期，本季恐持续亏损，估每股净损0.05至0.12美元，
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美光 DRAM
全球DRAM内存市场垄断在了三星、SKHynix及美光三家厂商中，在这其中三星是第一梯队的，不论工艺还是产能、占有率都遥遥领先其他两家，SKHynix第二，美光的工艺和产能最次。2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星如今再一次领跑，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。
跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是
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三星 DRAM
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出，3D NAND、DRAM与10奈米制程等技术投资，将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元;而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。
SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成
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晶圆 3D NAND
28日武汉新芯科技主导的12英寸晶圆厂正式动工，建成后将成为中国最大、最先进的存储芯片基地，而且直接切入3D NAND闪存领域，起点不低。再之前中国紫光集团宣布斥资300亿美元打造全球前三的半导体公司，一时间中国半导体崛起成了媒体的大新闻，美日韩已经在考虑中国公司的威胁了。早在去年，紫光集团就有意投资230亿美元收购美光公司，但被拒绝了，而且为了让外界放心，美光公司还表示三年内不会在大陆建立晶圆厂。
中国在半导体领域的大手笔投资或者收购已经引起了业界震动，在收购美光不成功之后，大陆公司把目标转向
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三星 美光 DRAM
前日本尔必达(Elpida Memory)社长坂本幸雄开设IC设计公司Sino King Technology，指出目前半导体业界有四种公司：一，有高度研发生产能力的公司，如英特尔(Intel);二，有高度研发能力如德州仪器(TI)或 Sony;三，强调研发生产周期低成本如三星电子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先进生产技术的如台积电。
而Sino King Technology则是要成为不同于上述四种的第五类公司，以研发高度客制化存储器为重，不
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尔必达 DRAM
针对中国将进军DRAM产业，华亚科(3474)董事长李培瑛表示， 由于中国未能取得技术来源，如要自主发展DRAM产业，势必得靠自身研发能力，以目前DRAM之专利及高度专业之技术进入障碍门槛，绝非仅靠投入资金、挖 人才就可达成，预期5年内将不会造成DRAM市场的影响，短期内难有进展。
李培瑛指出，目前全球DRAM技术掌握在南韩三星、SK海力士及美国美 光三大厂手中，为维持自身利益及寡占市场结构，避免中国厂商投入造成供需失衡，目前皆未有与中国技术授权合作或合资建厂计划。中国若未能取得技术来源，短 期
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华亚科 DRAM
国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
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3D NAND 存储
自2015年第四季以来，全球终端需求始终停滞，智慧型手机品牌商皆计画调降今年首季的出货计画，整体市场开始进行约一个季度的通路库存消化 (channel inventory digest)。全球市场研究机构TrendForce智慧型手机分析师吴雅婷表示，受益于库存调节接近尾声及2016 MWC展中新机发表，2月中起中国手机品牌陆续出现库存回补的需求。此外，中国智慧型手机营运商为拉抬4G机种的普及率，针对数款4G高阶智慧型手机增加 补贴额度，也推升消费者的购买欲望。
TrendForce预估2016
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华为 DRAM
大陆记忆体业新秀武汉新芯廿八日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯挟官方资金与国家集成电路产业发展基金(大基金)支持，向全球宣示大陆建立自主记忆体技术与制造的决心。
这是继紫光集团进军记忆体领域、酝酿收购多家国际大厂之后，大陆于记忆体领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂，是大陆首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案，牵动全球记忆体板块移动，业界高度关注 。
业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价
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新芯 DRAM
SEMI(国际半导体产业协会)公布最新“SEMI全球晶圆厂预测”(SEMIWorldFabForecast)报告，2016年包括新设备、二手或专属(in-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出预期将增加3.7%，达372亿美元，而2017年则将再成长13%，达421亿美元。另方面，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%。
SEMI公布最新“SEMI全球晶圆厂预测”报告，2016年包括新设备、二手或专属(in-house)
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DRAM 晶圆
还记得「尔必达」这家昔日全球DRAM巨擘吗?因不敌三星电子等韩厂蚕食，尔必达于2012年申请破产、之后被美国美光(Micron)收购，而坂本幸雄也成为尔必达的末代社长、在尔必达被美光收购后就辞去社长一职以示负责。不过坂本幸雄要开始踏上复仇之路了，此次将携手台湾、中国大陆之力，在安徽合肥打造大规模内存厂，力抗三星等厂商。
日经新闻11日报导，由坂本幸雄所设立的半导体设计公司「SinoKingTechnology(以下简称SKT)」已和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，Sino将主导合肥市政府总
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