为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
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3D NAND 2D
大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
中国紫光欲与美韩合作DRAM(动态随机存取内存)碰壁后，日本DRAM大厂尔必达前社长坂本幸雄所主导成立的兆基科技(Sino King)，近日确定与中国合肥市政府合作，将结合日本研发技术与中国的资金力量，两年后在合肥量产DRAM。据了解，相关合作细节预计本周于日本举行记者会说明。
台湾DRAM业界指出，尔必达于2012年倒闭并由美光并购后，坂本幸雄与尔必达研发团队一些成员，另起炉灶新成立兆基科技，除了网罗台湾的力晶科技等DRAM部分人马加入，也传出看好中国内存市场，加上中国企图建立自主技术，地方政
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紫光 DRAM
大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)原本预定2016年要在大陆西安半导体工厂进行第二阶段的投资，日前传出这项计划目前处于保留状态。业界预估，2016年将会进入记忆体7年来最糟的供需不平衡情况，加上东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)等纷纷增设NAND Flash工厂，也使三星开始担心供货量剧增的恶性竞争情况。
目前三星电子西安工厂只使用整体腹地(约34万坪)的5分之1，而且以目前的设备来说，已经到达最大产能，所以南韩业界原本认为，三星将在2016年内
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三星 DRAM
DRAMeXchange公布去年第4季DRAM统计报告，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，第4季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季减9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，去年第4季虽有苹果iPhone 6s出货加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅转进20奈米制程，都让产出持续增加，使得当季DRAM价格持续下修。
三星依然是DRAM产业的龙头，虽然DRAM营收下跌9.7%至47.6亿美元，
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DRAM 三星
存储芯片在新一代信息技术产业中扮演着重要角色，但前5家公司高度垄断全球市场，我国发展存储芯片产业关乎国家安全，意义重大。
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美光 DRAM
全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降;占2014年内存用量需求20.9%的传统产品(桌面PC与传统笔记本电脑)产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。
DRAM市场2016年供过于求
近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化;2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在
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3D NAND
大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂，并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式，由紫光出资建厂，再邀请美光等国际大厂入股，解决技术授权问题。
据了解，此计画由前华亚科董事长、现为紫光集团执行副总裁的高启全亲自操刀，业界盛传，日本前尔必达总裁坂本幸雄亦有意加入。
大陆官方自前年成立国家积体电路产业投资基金(简称大基金)后，就有意投入自建记忆体供应链，但不论是DRAM或NAND Flash，主要制程专利及矽智财都掌握前国际大厂手中，因此，率先表态要自建记忆体产能的紫光集团，由
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紫光 DRAM
经济部统计处资料显示，台湾集成电路业产值虽持续成长，但去年增率却是近三年来首见个位数成长，也结束自2011年以来的上升走势，台湾经济部指出，去年台湾DRAM产值成长由正转负，加上晶圆代工成长下滑，整体集成电路业产值年增率仅6.2%。
台湾集成电路产值在2014年产值突破兆元大关，去年上半年延续荣景，较前年同期成长23.9%，但下半年因全球经济复苏力道疲弱，尤其新兴市场需求明显下降，抑制终端消费性电子产品销售成长动能，下半年衰退7.9%。
去年集成电路业产值增率6.2%，是自2011年低点反
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DRAM 晶圆
3D 打印和增材制造解决方案的全球领导者 Stratasys Ltd.(纳斯达克代码：SSYS)上海分公司与便携式 3D 测量解决方案和工程服务领域的全球领航者Creaform形创中国，今天联合宣布将两公司的战略合作拓展至中国大陆与香港地区。 Stratasys与形创的此次合作，将为市场提供更加整合的3D解决方案，让用户得以同时利用前沿的3D扫描技术与3D打印技术，完成从输入端的产品扫描到输出端的产品成型，确保工作流程一气呵成。此次合作将以教
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Stratasys 3D 打印
清华紫光集团所属的清华控股董事长徐井宏，昨天在瑞士达沃斯的世界经济论坛现场，接受彭博访问时坦承，由于美国主管机关竖立的障碍，美光投资案过关的机会渺茫，但紫光集团仍持续推动与美光或其他公司的合作，希望藉此在记忆晶片与IC领域取得突破。
他表示，紫光集团可能寻求其他与美光的合作方式，例如成立中美合资企业。
徐井宏也透露，清华紫光集团旗下的3大平台之中，主攻DRAM的同方国芯，今年将投下约2000亿人民币，再买下两家海外IC业者，但没有透露可能购并对象。
徐井宏也提到，2016紫光集团的海
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紫光 DRAM
三星电子2016年1月19日宣布，已开始量产HBM2标准(HBM：High Bandwidth Memory，高带宽内存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固态技术协会12日刚刚宣布HBM2成为JEDEC标准“JESD235A”。
HBM2标准的DRAM芯片的结构。
按照HBM2标准，DRAM芯片内可纵向层叠最大8Gbit的存储器裸片，裸片之间通过TSV(硅通孔)连接。三星于2014年8月发布了配备36颗2GB DRAM的64GB服务器用
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三星 DRAM
日前美光(Micron)公布最新1季结果表现不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息传出后造成股价下跌5%，也让众多分析师跌破眼镜。
评论认为，由于传统第1季是DRAM价格淡季，而且PC与移动装置带动DRAM成长有限，因此DRAM厂商表现黯淡早已可期，但也凸显美光必须考虑加强布局3D XPoint技术必要性。
据SemiWiki网站报导，DRAM已成为半导体产业最终普遍性产品，因此，相当容易受到供需平衡变化而导致价格改变。加上目前正处于需求弱但供应强阶段，因此，DRAM厂商欲求好表
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美光 DRAM
慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供应商主流3D NAND产品的交钥匙式企业版SATA SSD控制器解决方案。这款性能增强的控制器解决方案将有助加快推进最具竞争力的高性能SSD产品在市场上的应用。此次2016年拉斯维加斯消费电子展期间(2016 Consumer Electronics Show)，慧荣科技也将展出其使用了升级版SM2246EN
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慧荣科技 3D NAND
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