Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发，采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式，以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察，三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案，将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
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三星 3D NAND
触摸屏的保护玻璃，又称之为保护盖，用来保护显示屏和触控面板。为了适应智能机的不同设计需求，保护玻璃有不同的形状。保护玻璃通常位于显示器和触控面板 的顶部，再根据保护玻璃的形状分为2D，2.5D和3D等。随着智能手机厂商越来越在外形和时尚设计方面竞争，舒适的手感和灵敏的触控反应越来越重要，这 也鼓励着触控面板厂商开发形状更好的保护玻璃。
2016年用于手机的3D保护玻璃出货量预计将增至4,900万片，占手机用保护玻璃市场总量的3.1%。IHS预测2017年其出货量将飞涨103.9%达1亿片的规模，
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3D 2D保护玻璃
行动记忆体需求暴增，在晶片制造商穷于应付的同时， PC用DRAM却也因此受惠，现货价格持续攀升。
据日经新闻报导，行情指标4-Gigabit DDR3 DRAM过去一个月上涨6%，目前来到1.74美元，某些产品甚至还涨到2美元以上。PC出货量萎缩、需求能见度明明不佳，但PC用DRAM价格之所以还能往上攀升，是因为美光等记忆体大厂将部分产能移作生产行动产品，以致供给减少。
PC制造商夏季机种目前已陆续上市，尽管此时季节性需求已开始减缓，但许多专家仍旧看好DRAM这波反弹行情将一直延续至九月，
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PC DRAM
韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。
3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省一半;采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点，对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务，3D NAND成为具有潜力，有利于迈入第四次工业革命的技
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3D NAND 半导体
一个董事席位不至于让知识产权轻松被转移。不过一个错误的决定却可能让台湾集成电路产业重蹈面板的覆辙。
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DRAM 集成电路
DRAM产业因长期需求不振，合约价格已历经连续19个月的跌幅趋势。今年五月底DDR4合约均价为1.31美元，而DDR3仅1.25美元，各厂都面临庞大的成本压力。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)研究协理吴雅婷表示，第三季个人电脑(PC)将进入出货高峰、中国品牌智能手机出货持续走扬，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉货动能，将消耗可观的DRAM产能。此外，各家DRAM供货商对于制程转进的态度趋于
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TrendForce DRAM
苹果iPhone 7已展开备货，记忆体容量倍增，销售也看好，业界预期第3季NAND快闪记忆体的需求将好转，大厂的产能将转向NAND快闪记忆体，这将带动DRAM市况也趋健康，记忆体模组厂创见、威刚、宇瞻等，预估下半年营运会比上半年好。
创见预期今年记忆体市况将比去年好转，主要因上游大厂资本支出较保守，产能增加有限，致使价格趋缓跌;受惠智能手机等产品储存容量不断上升，加上SSD取代硬盘态势成形，SSD需求强劲，储存型快闪记忆体(NAND Flash)下半年市况比DRAM佳。
威刚董事长陈立白日
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NAND DRAM
台存储器模组厂威刚董事长陈立白指出，观察国际龙头大厂动向，全球DRAM军备竞赛可望在韩系龙头三星电子(Samsung Electronics)节制资本支出的情况下停止，预计DRAM价格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景气将好转，为期两年半的DRAM空头市场将走完。
陈立白认为，三星在DRAM的资本支出上踩煞车，影响接近45%的供货，接下来就要看SK海力士的态度，如果海力士也认同避免军备竞赛的移动，开始节制资本支出，对产业来说就是美事一桩。
据台存储器模组业者表示，SK海力士新董事长
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威刚 DRAM
市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星第一季豪取全球移动DRAM逾六成市场(60.4%)，不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。
尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。
SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03亿美元。加总三星与海力士市占率，从去年第四
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海力士 DRAM
市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星第一季豪取全球移动DRAM逾六成市场(60.4%)，不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。(Businesskorea.co.kr)
尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。
SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03
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三星 DRAM
半导体设备业龙头厂商应用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盘后的营收预估值击败分析师预估，带动20日股价跳涨13.81%、收22.66美元，涨幅不但居费城半导体指数成分股30支成分股之冠，收盘更创2015年3月30日以来收盘新高。
美国记忆体大厂美光(Micron Technology)19日跟着大涨7.25%、收10.80美元，创4月28日以来收盘新高。TheStreet.com 20日报导，应材在财报电话会议上指出，投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪记忆体
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美光 DRAM
TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange最新报告显示，受到市况持续供过于求、平均销售单价下降影响，2016年第一季全球DRAM总产值为85.6亿美元，环比衰退16.6%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季为传统淡季，除中国市场的智能手机略有库存回补的需求以外，笔记本电脑与iPhone的出货量同步遭到下修，导致DRAM市场供过于求的现象更为明显。
三星营收持续摘冠，美光集团开始面临成本保卫战
三星依然稳坐DRAM产业龙头，第一季营收虽下跌16.6%，
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三星 DRAM
2016年三星电子(Samsung Electronics)于DRAM将以开发18纳米制程为其投资重点，DIGITIMES Research观察，为克服DRAM 18纳米制程微缩所面临的电容器(Capacitor)易倒塌、杂讯(Noise)增加、电荷外泄及曝光显影变复杂等课题，三星将运用四重曝光显影技术(Quadruple Patterning Technology;QPT)与超微细导电膜形成技术，以维持其在DRAM技术的领先地位。
三星于DRAM 18纳米制程将运用自动对位QPT(Self A
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三星 DRAM
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