明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。
BusinessKorea 12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。
据了解，明年上半年是淡季，DRA
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DRAM 美光
美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体，包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。
Crucial SSD的售价为200美元，这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的
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美光 3D NAND
明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。
BusinessKorea 12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。
据了解，明年上半年是淡季，DRA
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DRAM 美光
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对
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3D NAND
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 根据记忆体营收部分发布 2012年记忆体模组厂排名调查，该年度全球模组市场总销售金额为
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记忆体储存 金士顿 DRAM
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路，IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态，期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
近来DRAM 价格晶片大宗订单的价格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供应给日益成长的智慧手机市场，令人担心个人电脑(PC)未来的供应。预料
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DRAM 晶片 智能手机
RAMRAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM的速度比较快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比较
DRAMeXchange表示，由于DRAM产业寡占市场格局确立，加上各大DRAM供应商按照原先规划减少标准型存储器部位影响下，主流模块4GB均价在第2季上扬16%，由23.5
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存储器 DRAM 三星
由于闪存比传统媒介有着更为明显的优势，在过去一年里，闪存的普及率开始飙升。不过，我们总是很难判断不同闪存产品之间的区别。在本文中，我
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NFS PCIe NAS DRAM 闪存
根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，DRAM产业的减产效应已正在逐步发酵当中，在跌无可跌的前提之下，短时间内现货价格有机会带动一波价格的上
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DRAM 现货价 短期看涨
行业专家认为，对于一个典型的大型数据中心而言，其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。对于数据中心服务器，高功率密度的
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存储器 子系统效率 DRAM
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