市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量成长率从原来的8%提升到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长,如DRAM内存出货量增长49%,NAND闪存出货量增长38%,界面集成电路出货量增长60%,数据转换集成电路出货量增长58%,汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称,如果2007年全球集成电路出货量成长率达到10%或者更高,这将是连续第六年的两位增长,这是前所未有的大牛市。
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模拟技术 电源技术 集成电路 IC DRAM 消费电子
如果你认为过去的归过去，未来的归未来，那么你就错了，因为没有过去就不会有现在，没有现在当然就不会有未来。然而过去、现在、未来之间是如何相互依存的呢？从某方面来说这是神秘难以解答的一件事，但简单来讲就是靠记忆的作用，过去虽然不存在了，却可以回想，未来虽然还没有决定，现在却可以一步步去计划、设想与实践
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NVM SRAM DRAM
上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2512MbeTT价格收在1.17美元，涨幅约11.9%;相较之下，品牌颗粒仍呈现平稳走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%。根据集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的强劲涨势，是因为eTT主要的供货商进行70nm转进，供给量减少，部份买主逢低买进拉抬买气，进而带动价格上扬，因此这波价格上扬主要是短期市场操作结果，而非市场终端需求带动;此外，这波投机性买盘主要集中在DDR2eTT的颗粒，并没有
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现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%;DDR2512Mb667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。
十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一
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全球DRAM现货价16日正式跌破1美元重要心理关卡，以目前现货报价及DRAM厂每月产能状况推估，台DRAM厂力晶、茂德及南科3雄每月合计将蒙受约1亿美元损失，且未来亏损数字恐持续扩大，若2007年底前DRAM现货价无法翻扬，初步估计台DRAM3雄从现在起到2007年底前总共将亏掉新台币100亿元以上，其中，以力晶处境最为不利。
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日本汽车制造商本田把3维传感器技术用于提高汽车安全性。本田汽车宣布对Canesta公司的电子感知技术投资500万美元。本田在过去三年中一直对Canesta进行投资，近日表示它将采用该技术来开发避撞系统这样的汽车安全应用。 Canesta的图像传感器可以被隐藏在车身、汽车装饰品或汽车仪表盘中。“它提供一种成本比较低的芯片级3D摄像方案，可以一种安装来提供多种应用，”本田战略风险投资的领导人ToshinoriArita在一次发言中说。
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据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称，全球半导体大型设备开支增长速度正在减缓，这种低迷的状况预计将持续到2008年第一季度。2007年全球半导体大型设备开支总额将达到437亿美元，比2006年增长4.1%。2008年全球半导体大型设备开始预计将比2007年增长0.3%。 Gartner分析师称，2007年全球半导体大型设备开支的增长将影响到2008年的增长。2008年半导体大型设备的开支将勉强实现正增长，晶圆加工设备的开支将出现小幅度的负增长。后端设备市场的前景仍是正增长。 Gar
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地时间本周二，日本索尼和德国芯片制造商奇梦达宣布，它们计划建立一个芯片设计合资机构，开发消费电子和游戏机使用的DRAM储存芯片。 两公司在一份联合声明中称，新的合资机构称为 Qreatic Design，计划在今年年前在东京成立，在由双方30名专家组成的芯片设计合资公司中，两公司将各自拥有50%的股份。合资公司主要开发高性能、低能量消耗、嵌入式的、明确用于消费电子产品的DRAM芯片。 奇梦达是全球最大的DRAM储存芯片制造商之一，尽管索尼内部拥有它自己的芯片设计
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DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以来由于市场需求不振以及买卖双方抱持观望的态度，使得价格持续缓跌。然而当DDR2eTT价格跌破5月低点后，部分分销商及模块厂开始备货，使得现货价格出现反弹，间接带动了些许买气。而合约市场方面，由于现货价格快速下跌，加上PCOEM厂商已经备足旺季所需的库存水位，因此部份OEM厂商于9月上旬所谈妥的合约数量有砍单的动作。
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据国外媒体报道，所有想为自己电脑增加更多内存的人都赢得了来自DRAM行业的礼物--激烈竞争使得内存价格猛跌，行业分析师预测，DRAM价格还将进一步下降。 使用最广泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合约价格已比两周前下跌了12.5%，周二时跌至1.75美元，创下了DRAMeXchange今年记录的新低。DRAMeXchange公司运营一家对内存芯片进行网上交易的网站。 这条重大新闻将对用户产生三个重大影响：第一，DRAM价格下跌将增加惠普和戴尔这类电脑制
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高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。
计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快，但是内存过热的风险也随之增加。温度传感器可以监视内存温度，为中央处理器调整数据流量和采取防过热措施提供依据，因此温度传感器在系统设计中变得更为重要。
STTS424是一个独立使用的数字温度传感器芯片，而STTS
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2001年DRAM市场价格崩溃以来，经历了市场恶化最严重的半年后，2007年下半年DRAM市场开始重现谨慎乐观气氛，预计2007年下半年销售价格将一路走高。下半年的乐观因素包括返校带来的销售高峰，以及季节性假日需求来临，其它具体原因还包括：2007年PC出货量预计增长12%，内存平均容量为1.4GB，比2006年的平均800MB内存增长75%。2007年第2季度，预计每台电脑平均内存容量为1.3GB，2007年第3季度预计达到1.4GB，2007年第4季度发展到1.6GB。一些DRAM供应商相信，到200
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嵌入式系统 单片机 DRAM 嵌入式
闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。 DRAM报价一片涨声 根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价
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NAND DRAM 闪存
根据iSuppli公司的正式消息，NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的，并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地，供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 与2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND闪存的平均定价有望下降35%到40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失，该市场有史以来第一次发生这样的事情。 经济学101法则 需求对降价呈现弹性的响应，市况恶劣的主要原因在于NAND供
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NAND 闪存 存储 DRAM
2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技（Ramaxel Technology Ltd）和勤茂科技（TwinMOS Technologies Inc.）产品销量迅猛增长，增长率分别达到85%和127%。 中国的记忆科技公司不仅是给全球排名第四的PC制造商联想直接供货的OEM，而且是PC制造业龙头惠普公司的模块供应商。其营收和出货量增长均与HP市场份额的上升保持一致。 台湾勤茂的增长受益于它和中国模块分销商的合作，它们让其享受到中国经济高速增长推动PC组装
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